一种多重共振的有机半导体材料在窄带光探测器中的应用制造技术

本发明专利技术涉及窄带光电探测器领技术领域，具体涉及一种多重共振的有机半导体材料在窄带光探测器中的应用。具体技术方案为：一种多重共振的有机半导体材料在窄带光探测器中的应用，所述多重共振的有机半导体材料的结构通式如下式(I)所示：其中，X1‑X6分别独立选自原子：B、N、C、O、S、P中的任意一种，E1‑E3分别独立选自原子：C、N、B、O、S、Se、Ge、Si、Sn、P中的任意一种，或，‑C‑C‑、‑C＝C‑、‑C＝N‑、‑C＝P‑、‑C≡C‑中的任意一种键接或不接成环；Ar1‑Ar7分别独立选择构筑单元：取代或未取代的具有5‑30个碳原子的芳基、取代或未取代的具有5‑30个碳原子的杂芳基，或者相邻两个Ar基团之间独立的以单键、‑C‑C‑、‑C＝C‑、‑C＝N‑、‑C＝P‑、‑C≡C‑中的任意一种键接成环。该类材料具有窄的吸收光谱、可调的光响应波段、良好的热稳定性和成膜性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及窄带光电探测器，具体涉及一种多重共振的有机半导体材料在窄带光探测器中的应用。

技术介绍

1、光电探测器(pd)可以将光信号转换为可识别的电信号。根据光响应范围的不同，光电探测器可分为宽带光电探测器和窄带光电探测器。目前，宽带光电探测器已经被广泛用于人们的生产生活中，但随着新兴应用的兴起，对能够检测窄光谱范围的光电探测器的需求不断增长。例如，用于军事、医疗、信息等领域的日盲通信，rgb色彩识别和成像，用于人工智能的机器视觉等。窄光谱检测的需求几乎涵盖了从紫外到近红外的波长范围。不同的应用场景除了对带宽有不同的要求外，对响应窗口宽度的要求也不同。通常，响应窗口所需的宽度从100nm到小于10nm。因此，有必要开发具有可调响应窗和光谱宽度的高性能窄带光电探测器。

2、传统和商用窄带光电探测器主要依赖于具有窄带隙的无机半导体材料，如si(a-si:h,c-si)，gap,gaasp和ingaas。由于这些宽带吸收半导体不能直接识别特定波长的光，因此需要进行额外的光谱处理手段，利用光学元件将光分解成不同的光谱成分，实现窄带或单色检测。在图像本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多重共振的有机半导体材料在窄带光探测器中的应用，其特征在于：所述多重共振的有机半导体材料的结构通式如下式(I)所示：

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述芳基为苯基、萘基、蒽基、联萘、菲基、二氢菲、苾基、苝基、并四苯、并五苯、苯并苝、苯并环戊二烯基、螺芴基和芴基中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述杂芳基的杂原子为N、S、O、P、B、Si、Se、Ge和Sn原子中的一个或多个。

4.根据权利要求1～3任一项所述的应用，其特征在于：：所述多重共振的有机半导体材料的结构通式如(a)-(c)任意一种所示：

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【技术特征摘要】

1.一种多重共振的有机半导体材料在窄带光探测器中的应用，其特征在于：所述多重共振的有机半导体材料的结构通式如下式(i)所示：

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述芳基为苯基、萘基、蒽基、联萘、菲基、二氢菲、苾基、苝基、并四苯、并五苯、苯并苝、苯并环戊二烯基、螺芴基和芴基中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述杂芳基的杂原子为n、s、o、p、b、si、se、ge和sn原子中的一个或多个。

4.根据权利要求1～3任一项所述的应用，其特征在于：：所述多重共振的有机半导体材料的结构通式如(a)-(c)任意一种所示：

5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于：所述窄带光探测器包括至少一层所述多重共振的有机半...

【专利技术属性】
技术研发人员：费竹平，姚翔，李艳如，涂雪杨，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：

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