调谐开关电路及射频芯片制造技术

技术编号:40217005 阅读:23 留言:0更新日期:2024-02-02 22:24
本发明专利技术涉及无线通讯技术领域,本发明专利技术公开了一种调谐开关电路及射频芯片,调谐开关电路包括调谐开关单元和调谐器件单元,调谐开关单元包括第一电阻、第一晶体管、第二电阻和第二晶体管;第一电阻的第一端和第二电阻的第一端连接并共同作为调谐开关单元的输入端,第一电阻的第二端连接第一晶体管的栅极,第一晶体管的漏极连接调谐器件单元的输入端,第一晶体管的源极连接第二晶体管的漏极,第二电阻的第二端连接第二晶体管的栅极,第二晶体管的源极接地;第一电阻的阻值大于第二电阻的阻值;第一晶体管的栅宽大于第二晶体管的栅宽;第一晶体管的栅长大于第二晶体管的栅长。本发明专利技术的调谐开关电路能够以更小的面积实现更大的耐压值和更低的Fom值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无线通讯,尤其是涉及一种调谐开关电路及射频芯片


技术介绍

1、随着集成电路和无线通信技术的快速发展,手机成为了人们生活中的必需品。进入5g时代后,由于用户对数据收发速度和稳定性的要求不断提升,导致智能手机运行所需的频段、功能和模式的数量不断增加。

2、对于上述需求,在无线通信领域一般使用ca (载波聚合)、mimo(多输入多输出)和新的宽带 5g 频段来提供更高的数据速率,因此在手机中需要采用更多天线。与此同时,更多天线导致单个天线的空间缩小,最终导致天线效率降低。目前,为了克服因天线面积和效率降低所导致的问题,主流方法是使用天线调谐器件对天线进行调谐。而天线调谐开关是天线调谐器件中必不可缺的一部分。调谐开关(tuner)由于常处于非50ω系统中,电压驻波比(vswr)可达5:1,因此对调谐开关耐压值有较高要求,往往达到48dbm(80v)。而绝缘体上硅(soi)工艺下场效应管源漏击穿电压通常为3v左右,因此需要串联多个场效应管来满足使用需求。

3、在传统的开关设计中,一般使用场效应管串联堆叠结构来均分天线端电压摆幅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种调谐开关电路,其特征在于,所述调谐开关电路包括调谐开关单元和调谐器件单元,所述调谐开关单元的输入端用于连接第一偏置电压,所述调谐开关单元的输出端连接所述调谐器件单元的输入端,所述调谐器件单元的输出端用于连接天线;

2.如权利要求1所述的调谐开关电路,其特征在于,所述调谐开关单元包括n个电阻和n晶体管,第n电阻的第一端连接至所述第一电阻的第一端,所述第n电阻的第二端连接至第n晶体管的栅极,所述第n晶体管的漏极连接至第n-1晶体管的源极,所述第n晶体管的源极接地;所述第n晶体管的衬底用于连接所述第二偏置电压;其中,n≥3;

3.如权利要求2所述的调谐开关电路,...

【技术特征摘要】

1.一种调谐开关电路,其特征在于,所述调谐开关电路包括调谐开关单元和调谐器件单元,所述调谐开关单元的输入端用于连接第一偏置电压,所述调谐开关单元的输出端连接所述调谐器件单元的输入端,所述调谐器件单元的输出端用于连接天线;

2.如权利要求1所述的调谐开关电路,其特征在于,所述调谐开关单元包括n个电阻和n晶体管,第n电阻的第一端连接至所述第一电阻的第一端,所述第n电阻的第二端连接至第n晶体管的栅极,所述第n晶体管的漏极连接至第n-1晶体管的源极,所述第n晶体管的源极接地;所述第n晶体管的衬底用于连接所述第二偏置电压;其中,n≥3;

3.如权利要求2所述的调谐开关电路,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:邢洋钟郭嘉帅
申请(专利权)人:深圳飞骧科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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