System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种掩模版图形优化方法、系统及电子设备技术方案_技高网

一种掩模版图形优化方法、系统及电子设备技术方案

技术编号:40215773 阅读:6 留言:0更新日期:2024-02-02 22:23
本发明专利技术提供一种掩模版图形优化方法、系统及电子设备,属于计算光刻领域,方法包括:获取掩模版主图形边缘向内或向外移动预设距离后的新轮廓图形;当所述移动为向内移动时,将新轮廓图形以内的区域设置为主图形阴影区域;当所述移动为向外移动时,将新轮廓图形以外的区域设置为主图形阴影区域;基于所述主图形阴影区域对逆光刻求解得到的掩模梯度场进行筛选,以仅保留该区域内的掩模梯度场;基于筛选后的掩模梯度场生成掩模版的亚分辨率辅助图形。本发明专利技术采用主图形阴影区域约束提取的方法,能够有效生成满足制造要求且对曝光有积极影响的亚分辨率辅助图形,且可以有效限定主图形逆光刻优化过程的移动步长,提高掩模版图形的优化效率和质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于计算光刻领域,更具体地,涉及一种掩模版图形优化方法、系统及电子设备


技术介绍

1、集成电路的版图设计中,同时存在密集图形和稀疏图形,尤其是逻辑器件的设计,形状更为多样。而密集图形和稀疏图形的光刻曝光工艺窗口通常是不一致的,随着特征尺寸的进一步减小,需要在掩模优化设计中引入正向亚分辨辅助图形sraf(sub resolutionassist feature)或逆向亚分辨率辅助图形srif(sub resolution inverse feature),从而减少集成电路板图中因图形密度不同引起的工艺差异,进一步提高掩模优化效果,提升焦深和工艺窗口的均匀性。所添加的辅助图形尺寸应小于光刻系统成像分辨率,在曝光时其本身不会形成曝光图形,但由于光的相干性,会对周围的掩模图形成像光强分布产生一定的影响。添加sraf图形是90nm节点开始引入的技术,已成为40nm及更小节点集成电路制造掩模优化的关键辅助手段。

2、目前常用的sraf生成方式有基于规则的方式(rule based sraf)和基于模型的方式(model based sraf)。基于规则的生成方式,即按照掩模优化的实验经验积累,设置在特定形状图形的周围特定区域放置特定形状、尺寸和排列规律的sraf图形,这种方式需要通过大量的实验经验建立规则表,如果工艺发生改变,那么规则表就需要重新积累实验,根据实验结果重新制定。现有的基于模型的生成方式,实际是对sraf的调整方式,同样需要经验来确定sraf图形放置的数量和初始位置,将sraf的尺寸和调整位置设为可变参数,根据主图形仿真曝光成像结果调整sraf相关参数,并通过掩模规则检查(mask rule check,mrc)判断sraf的放置是否满足与主图形间隔一定距离的要求,以免带来新的制造性挑战。

3、综上所述,现有亚分辨率辅助图形的生成方式需要依据经验,需要进行不断调整和大量的mrc判断,步骤相对复杂繁琐,并且针对新工艺,无法快速生成有效辅助图形,效率低下。


技术实现思路

1、针对现有技术的缺陷,本专利技术的目的在于提供一种掩模版图形优化方法、系统及电子设备,旨在解决现有亚分辨率辅助图形的生成和调整过程步骤繁琐,需要大量实验积累经验,效率低下的问题。

2、为实现上述目的,本专利技术提供一种掩模版图形优化方法,包括:

3、获取掩模版主图形(main pattern)边缘向内或向外移动预设距离后的新轮廓图形;

4、当所述移动为向内移动时,将新轮廓图形以内的区域设置为主图形阴影区域;当所述移动为向外移动时,将新轮廓图形以外的区域设置为主图形阴影区域;

5、基于所述主图形阴影区域对逆光刻求解得到的掩模梯度场进行筛选,以仅保留该区域内的掩模梯度场;

6、基于筛选后的掩模梯度场生成掩模版的亚分辨率辅助图形。

7、需要说明的是,本专利技术中提到的掩模梯度场指的是基于模型的逆光刻求解方法每次迭代中计算出来的,用于指示掩模需要如何变化参照的梯度场。具体地,掩模梯度场的计算方法,用现有的任何一种逆光刻(例如光学邻近校正(optical proximity correction,opc)或逆光刻技术 (inverse lithography technology,ilt))的计算方法计算得到都可以,本专利技术对此不做任何限定。

8、具体地,现有sraf或srif生成过程中,mrc检查时需要判断生成的亚分辨率辅助图形与主图形的距离,若距离过近则设计失败,以避免距离过近在制造过程对原始主图形的影响。本专利技术通过对掩模梯度场进行筛选,使得生成的亚分辨率辅助图形自然与主图形存在预设距离,针对任意掩模图形,能够有效生成满足制造要求且对曝光有积极影响的辅助图形,可以大大减少mrc检查的工作,提高辅助图形的生成效率。

9、在一种可能的实现方式中,若将新轮廓图形以外的区域设置为主图形阴影区域,则所生成的亚分辨辅助图形为正向亚分辨率辅助图形sraf;

10、若将新轮廓图形以内的区域设置为主图形阴影区域,则所生成的亚分辨辅助图形为逆向亚分辨率辅助图形srif。

11、在一种可能的实现方式中,获取掩模版主图形边缘向内或向外移动预设距离后的新轮廓图形,包括:

12、在掩模版主图形边缘各点放置偏导数,得到矢量梯度场;

13、对所述矢量梯度场进行积分,将积分值作为灰度值,得到辅助灰度图像;

14、对主图形边缘进行分段,确定边缘各段的位置,之后基于所述预设距离和求得的矢量梯度场在所述辅助灰度图像上对所述边缘各段处的灰度值进行调制,且采用平滑函数调制其附近的灰度值,使得调制区域内的灰度值连续变化,得到更新的辅助灰度图像;

15、采用截断阈值对更新的辅助灰度图像进行截取,提取一个多边形轮廓,若当前提取的多边形轮廓和原始主图形边缘各处的边缘位置距离与所述预设距离的差值均小于预设的极小值,则将其作为新轮廓图形;否则在更新的辅助灰度图像上对所述差值不小于预设极小值的各点的灰度值和其附近的灰度值迭代调制,直至最终提取的多边形轮廓上各点的所述差值均小于预设极小值。

16、在一种可能的实现方式中,在更新的辅助灰度图像上对所述差值不小于预设极小值的各点的灰度值和其附近的灰度值迭代调制,具体为:

17、在当前提取的多边形轮廓中所述差值不小于预设极小值的各点处放置偏导数,得到新的矢量梯度场;

18、基于新得到的矢量梯度场、各点对应的所述边缘位置距离以及所述预设距离,在更新的辅助灰度图像上对所述各点的灰度值进行调制,且采用平滑函数调制其附近的灰度值,使得调制区域内的灰度值连续变化,得到再一次更新的辅助灰度图像。

19、在一种可能的实现方式中,在更新的辅助灰度图像上对所述各点的灰度值进行调制,具体为:在当前灰度值的基础上,累加当前多边形轮廓各点矢量梯度场对应的标量梯度与当前边缘位置距离和预设距离之间差值的乘积,得到调制后的灰度值。

20、在一种可能的实现方式中,基于所述主图形阴影区域对逆光刻求解得到的掩模梯度场进行筛选,包括:

21、将所述主图形阴影区域栅格化为灰度像素图,在所述灰度像素图上,将深入主图阴影区域的像素值设置为1,将远离主图阴影区域的像素值设置为0,在主图阴影区域边缘附近的像素值设置为从1到0平滑过渡;

22、将所述灰度像素图上各点的像素值与所述掩模梯度场内各点的像素值进行逐点运算,实现对掩模梯度场的筛选。

23、在一种可能的实现方式中,基于所述主图形阴影区域对逆光刻求解得到的掩模梯度场进行筛选,包括:

24、基于所述主图形阴影区域的边缘轮廓构造一个坐标点位于其轮廓内部的布尔函数;

25、基于所述布尔函数对掩模梯度场进行筛选。

26、在一种可能的实现方式中,基于筛选后的掩模梯度场生成亚分辨率辅助图形,包括:

27、根据掩模梯度场的脊或沟所在位置,放置相应的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种掩模版图形优化方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,若将新轮廓图形以外的区域设置为主图形阴影区域,则所生成的亚分辨辅助图形为正向亚分辨率辅助图形SRAF;

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,获取掩模版主图形边缘向内或向外移动预设距离后的新轮廓图形,包括:

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在更新的辅助灰度图像上对所述差值不小于预设极小值的各点的灰度值和其附近的灰度值迭代调制,具体为:

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在更新的辅助灰度图像上对所述各点的灰度值进行调制,具体为:在当前灰度值的基础上,累加当前多边形轮廓各点矢量梯度场对应的标量梯度与当前边缘位置距离和预设距离之间差值的乘积,得到调制后的灰度值。

6.根据权利要求1至5任一项所述的方法,其特征在于,基于所述主图形阴影区域对逆光刻求解得到的掩模梯度场进行筛选,包括:

7.根据权利要求1至5任一项所述的方法,其特征在于,基于所述主图形阴影区域对逆光刻求解得到的掩模梯度场进行筛选,包括:

8.根据权利要求1至5任一项所述的方法,其特征在于,基于筛选后的掩模梯度场生成亚分辨率辅助图形,包括:

9.根据权利要求1至5任一项所述的方法,其特征在于,基于筛选后的掩模梯度场生成亚分辨率辅助图形,包括:

10.根据权利要求1至5任一项所述的方法,其特征在于,所述主图形为任意曲线多边形或曼哈顿图形。

11.根据权利要求1至5任一项所述的方法,其特征在于,所述预设距离参考掩模规则检查MRC参数设定。

12.一种掩模版图形优化方法,其特征在于,包括:

13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述预设距离参考光刻优化参数设定。

14.一种掩模版图形优化系统,其特征在于,包括:

15.一种掩模版图形优化系统,其特征在于,包括:

16.一种电子设备,其特征在于,包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种掩模版图形优化方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,若将新轮廓图形以外的区域设置为主图形阴影区域,则所生成的亚分辨辅助图形为正向亚分辨率辅助图形sraf;

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,获取掩模版主图形边缘向内或向外移动预设距离后的新轮廓图形,包括:

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在更新的辅助灰度图像上对所述差值不小于预设极小值的各点的灰度值和其附近的灰度值迭代调制,具体为:

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在更新的辅助灰度图像上对所述各点的灰度值进行调制,具体为:在当前灰度值的基础上,累加当前多边形轮廓各点矢量梯度场对应的标量梯度与当前边缘位置距离和预设距离之间差值的乘积,得到调制后的灰度值。

6.根据权利要求1至5任一项所述的方法,其特征在于,基于所述主图形阴影区域对逆光刻求解得到的掩模梯度场进行筛选,包括:

7.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:尉海清
申请(专利权)人:武汉宇微光学软件有限公司
类型:发明
国别省市:

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