【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示器,特别涉及一种像素电路及显示面板。
技术介绍
1、目前,micro-led像素电路主要集中应用在手机类的小尺寸显示,或者ar、vr等微显示中。现有的micro-led像素电路通常采用低温多晶硅薄膜电晶体管这种具有较高迁移率的晶体管,但是低温多晶硅薄膜电晶体管的迁移率、阈值电压等关键物理参数随着面板尺寸的增加呈现较大的分散性,使得其无法被应用于大尺寸电视面板中;而大尺寸电视常用的薄膜晶体管,其迁移率只有低温多晶硅薄膜电晶体管的1/5;就算采用新型的高迁移率氧化物材料作为薄膜晶体管的有源层,一般薄膜晶体管的迁移率也难以达到低温多晶硅薄膜电晶体管的1/2。因此如何提升薄膜晶体管的驱动能力,使micro-led像素电路能够应用于大尺寸显示面板中,成为了亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提供一种像素电路及显示面板,旨在提升薄膜晶体管的驱动能力,使micro-led像素电路能够应用于大尺寸显示面板中。
2、为实现上述目的,本专利技术提出的像素电路
...【技术保护点】
1.一种像素电路,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第三晶体管的漏极接入所述外部控制器的采集端,所述补偿控制信号包括侦测信号,所述第三晶体管的顶栅与其底栅互连,所述第一驱动电压为所述第三晶体管的顶栅电压;
3.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述第一晶体管及所述第二晶体管均为双栅晶体管;
4.如权利要求3所述的像素电路,其特征在于,
5.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一晶体管及所述第二晶体管均为双栅晶体管,所述补偿控制信号包括扫描信号;
6.如权利要求
...【技术特征摘要】
1.一种像素电路,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第三晶体管的漏极接入所述外部控制器的采集端,所述补偿控制信号包括侦测信号,所述第三晶体管的顶栅与其底栅互连,所述第一驱动电压为所述第三晶体管的顶栅电压;
3.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述第一晶体管及所述第二晶体管均为双栅晶体管;
4.如权利要求3所述的像素电路,其特征在于,
5.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一晶体管及所述第二晶体管均为双栅晶体管,所述补偿控制信号包括扫描信号;
【专利技术属性】
技术研发人员:张盛东,付佳,姚江波,廖聪维,郑欣,金爽,
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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