System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 封装件、半导体封装件及其形成方法技术_技高网

封装件、半导体封装件及其形成方法技术

技术编号:40211216 阅读:4 留言:0更新日期:2024-02-02 22:20
半导体封装件,包括:第一中介层,包括:第一衬底;第一光学组件,位于第一衬底上方;第一介电层,位于第一光学组件上方;以及第一导电连接件,嵌入在第一介电层中;光子封装件,接合至第一中介层的第一侧,其中,第一中介层和光子封装件之间的第一接合包括光子封装件上的第二介电层和第一介电层之间的电介质至电介质接合,并且第一中介层和光子封装件之间的第二接合包括光子封装件上的第二导电连接件和第一导电连接件中的第一个之间的金属至金属接合:以及第一管芯,接合至第一中介层的第一侧。本申请的实施例还涉及封装件和形成半导体封装件的方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及封装件、半导体封装件及其形成方法


技术介绍

1、电信令和处理是用于信号传输和处理的一种技术。近年来,光信令和处理已经用在越来越多的应用中,特别是由于用于信号传输的光纤相关的应用的使用。

2、光信令和处理通常与电信号和处理相结合,以提供成熟的应用。例如,光纤可以用于远程信号传输,并且电信号可以用于短程信号传输以及处理和控制。因此,形成了集成远程光学组件和短程电子组件的器件,以用于光信号和电信号之间的转换,以及光信号和电信号的处理。因此,封装件可以包括:包含光学器件的光学(光子)管芯以及包含电子器件的电子管芯。


技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种半导体封装件,包括:第一中介层,包括:第一衬底;第一光学组件,位于所述第一衬底上方;第一介电层,位于所述第一光学组件上方;以及第一导电连接件,嵌入在所述第一介电层中;光子封装件,接合至所述第一中介层的第一侧,其中,所述第一中介层和所述光子封装件之间的第一接合包括所述光子封装件上的第二介电层和所述第一介电层之间的电介质至电介质接合,并且所述第一中介层和所述光子封装件之间的第二接合包括所述光子封装件上的第二导电连接件和所述第一导电连接件中的第一个之间的金属至金属接合;以及第一管芯,接合至所述第一中介层的所述第一侧。

2、本申请的另一些实施例提供了一种封装件,包括:第一中介层;第一封装组件,位于所述第一中介层的第一侧上方并且接合至所述第一中介层的第一侧,所述第一封装组件包括第一光学组件;以及第一半导体管芯,位于所述第一中介层的所述第一侧上方并且接合至所述第一中介层的所述第一侧,所述第一中介层包括光学连接至所述第一光学组件的第二光学组件,其中,所述第二光学组件在所述第一封装组件和所述第一半导体管芯下面延伸。

3、本申请的又一些实施例提供了一种形成半导体封装件的方法,所述方法包括:将光子封装件附接至第一中介层的第一侧,其中,将所述光子封装件附接至所述第一中介层的所述第一侧包括使用电介质至电介质接合将所述第一中介层的第一介电层接合至所述光子封装件的第二介电层,以及使用金属至金属接合将所述光子封装件的第一导电连接件接合至所述第一中介层的对应的第二导电连接件;以及将半导体管芯附接至所述第一中介层的所述第一侧,其中,将所述半导体管芯附接至所述第一中介层的所述第一侧包括使用电介质至电介质接合将所述第一中介层的所述第一介电层接合至所述半导体管芯的第三介电层,以及使用金属至金属接合将所述半导体管芯的第三导电连接件接合至所述第一中介层的对应的所述第二导电连接件。

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【技术保护点】

1.一种半导体封装件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述光子封装件包括:

3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一中介层和所述第一管芯之间的第三接合包括所述第一管芯上的第三介电层和所述第一介电层之间的电介质至电介质接合,并且所述第一中介层和所述第一管芯之间的第四接合包括所述第一管芯上的第三导电连接件和所述第一导电连接件中的第二个之间的金属至金属接合。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一中介层的所述第一光学组件在所述第一管芯和所述光子封装件下面延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一中介层的所述第一光学组件光学耦合至所述光子封装件的第二光学组件。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件,还包括:

7.根据权利要求6所述的半导体封装件,还包括:

8.根据权利要求7所述的半导体封装件,还包括:

9.一种封装件,包括:

10.一种形成半导体封装件的方法,所述方法包括:

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述光子封装件包括:

3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一中介层和所述第一管芯之间的第三接合包括所述第一管芯上的第三介电层和所述第一介电层之间的电介质至电介质接合,并且所述第一中介层和所述第一管芯之间的第四接合包括所述第一管芯上的第三导电连接件和所述第一导电连接件中的第二个之间的金属至金属接合。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:夏兴国余振华曾智伟巢瑞麟
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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