System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种芍药栽培方法技术_技高网

一种芍药栽培方法技术

技术编号:40205887 阅读:5 留言:0更新日期:2024-02-02 22:17
本发明专利技术涉及鲜切花栽培技术领域,具体提供一种芍药栽培方法。本发明专利技术所提供的栽培方法,针对大田种植的芍药进行地膜覆盖后搭建2~3层冷棚,所述冷棚包括拱棚。本发明专利技术通过控制各层冷棚的搭建时机,调控棚内温度,提高了芍药鲜切花棚内的温度,提前达到芍药开花所需的有效积温,显著促进芍药提前开花;并且,本发明专利技术所提供的栽培方法显著提升了芍药鲜切花的品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芍药栽培,尤其涉及一种芍药栽培方法


技术介绍

1、芍药作为我国最古老的传统名花之一,其美名传遍千古。芍药花色和花型丰富、种类繁多、抗逆性强,具有高度的观赏价值。在世界鲜花市场不断迸发新活力的今天,芍药鲜切花倍受消费者追捧,然而受芍药固有生态习性的影响,芍药鲜切花主要在4~5月上市,短暂供货期难以满足广大消费者需求,更难提高经济效益。

2、现有技术中,采用温室栽培可以对芍药生长温度进行较精准的调控,从而延长芍药的花期,但是温室栽培对设备及栽培场地要求较高,不适合用于大面积的田间种植。现有的芍药大田栽培技术中,通常选择覆盖地膜或搭建冷棚或设置围挡的方式对芍药生长温度进行调控,但其种植管理较为粗犷,不能实现精细化管理,无法确保在芍药花期提前的情况下,使得芍药鲜切花具备较好的品质。


技术实现思路

1、为了解决现有技术的缺陷,本专利技术提供促进芍药花期提前的同时,提升芍药鲜切花品质的方法。

2、具体地,本专利技术所提供的技术方案如下:

3、第一方面,本专利技术提供一种芍药栽培方法,包括:针对大田种植的芍药进行地膜覆盖后搭建2~3层冷棚,所述冷棚包括拱棚,所述拱棚的宽0.8~0.9m,高1.2~1.5m。

4、在本专利技术所提供的方法中,所述构建2~3层冷棚包括:在搭建拱棚后,进行1~2次扣棚。

5、现有技术在进行芍药栽培的冷棚构建时,通常不考虑搭建拱棚,本次多层冷棚构建中,拱棚所起的作用有:增加温度,防风的作用。p>

6、温度改变是改变芍药花期的主要因素,芍药不同生长时期所需的温度不同。本专利技术所提供方法中,通过控制地膜覆盖、拱棚搭建和扣棚的时机,提供芍药生长及开花所需的温度。

7、具体地,本专利技术所提供的方法,包括:9月上旬至10月下旬进行芍药大田栽植;环境温度在0~5℃时覆盖地膜;环境温度在-1~1℃时,在地膜上搭建拱棚;环境温度在-5~0℃时,进行1~2次扣棚。

8、本专利技术所提供的芍药栽培方法中,芍药花芽长出地面8~10cm时,及时将地膜挖孔,芍药蕾径1~1.5cm时撤去地膜。

9、及时撤去地膜的优势在于:植株有效积温达到后植株将开始生长会顶破地膜;芍药花芽长出地面8~10cm时,气温及低温已经达到了植株生长的需求,可以将地膜撤去;并且,如果不及时撤去,地膜内温度过高,湿度大,将导致病菌的生长繁殖,尤其是灰霉病。感病后将不利于植株生长。

10、在本专利技术所提供的芍药栽培方法中,待所有鲜切花采切完毕后,撤除冷棚的塑料薄膜。将塑料薄膜撤除后,保存好以便于再次利用。

11、作为本专利技术的具体实施方式,本专利技术所提供的芍药栽培方法,包括:

12、(1)整地,进行深翻25cm~30cm,每亩施有机肥3000kg~5000kg,施加多菌灵和毒死蜱颗粒剂;

13、(2)栽植:9月上旬至10月下旬进行芍药栽植,选用三年生芍药苗,株行距50cm×80cm,种植穴直径15cm~20cm,深度20cm~30cm,覆土厚度为芽上1cm~2cm,覆土后踏实,并封土高于床面3cm~5cm;

14、(3)覆盖地膜:12月上中旬,温度在0~5℃,覆盖塑料地膜;

15、(4)搭拱棚:12月中下旬,温度在0℃左右,在地膜上搭建拱棚;

16、(5)扣棚1~2次:覆盖地膜后,温度在-5~0℃时,进行扣棚处理;

17、(6)大棚内栽培管理:扣棚前追施越冬肥,显蕾时,每亩追施40~50kg复合肥或过磷酸钙,并辅以根外追肥;芍药展叶后,每7~10d叶面喷施0.1%~0.2%磷酸二氢钾水溶液,连续2~3次;温度过高时及时通风。

18、本专利技术所提供的芍药栽培方法适用于华北地区芍药栽培。更优选地,本专利技术所提供的芍药栽培方法适用于菏泽地区的芍药鲜切花大田栽培。

19、在实施本专利技术所提供的芍药栽培方法时,如遇到暴风天气,应及时加固大棚,检查大棚的薄膜,防止出现有漏风的情况。如遇到暴雪天气,应该及时铲除积雪防治压榻大棚。如遇到倒春寒,应在倒春寒来临之前及时进行浇透水。如遇到暖春,应该及时打开棚进行通风降温,温度不能低于10℃。一般在午后15时左右温度(15℃左右)进行封闭大棚。若后期温度逐渐升高,中午温度过高应该及时盖遮阴网,减低棚内温度。

20、采用本专利技术所提供的栽培方法,通过对地膜覆盖、拱棚搭建和扣棚的结合,能够实现在芍药花芽萌动前控制温度为10~15℃;在芍药花芽萌动期控制温度为18~20℃;在芍药孕蕾期控制温度为20~22℃;在芍药采收期控制温度为20~25℃。

21、根据本领域技术人员的理解,本专利技术还提供了,所述芍药栽培方法在改变芍药花期中的应用。

22、以及,上述的芍药栽培方法在芍药初采时间提前中的应用。

23、以及,上述的芍药栽培方法在延长芍药花期或延长芍药鲜切花采收期中的应用。

24、本专利技术的有益效果:

25、(1)本专利技术通过在芍药花田进行多层扣棚处理,对芍药生长温度进行调控,改变芍药花期,极大地提前芍药的初采时间,将芍药鲜切花的初采时间提前了30天左右,并延长了芍药的花期。

26、(2)本专利技术所提供的芍药大田栽培方法,不受场地的限制,在低成本的情况下有效提前不同芍药品种的花期,实现错峰上市,延长了花期供应链,提高了鲜切花的整体品质,大幅度的提高了鲜切花的经济效益,提升产业化水平,增强出口创汇能力,增加花农经济收入。

27、(3)本专利技术通过多层扣棚,提高了芍药鲜切花棚内的温度,提前达到芍药开花所需的有效积温,显著促进芍药提前开花。扣棚处理后薄膜也阻挡了部分紫外线的照射,使花蕾增大,提升芍药鲜切花品质。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芍药栽培方法,其特征在于,包括:针对大田种植的芍药进行地膜覆盖后搭建2~3层冷棚,所述冷棚包括拱棚,所述拱棚的宽0.8~0.9m,高1.2~1.5m。

2.根据权利要求1所述的芍药栽培方法,其特征在于,所述构建2~3层冷棚包括:在搭建拱棚后,进行1~2次扣棚。

3.根据权利要求1~2任一项所述的芍药栽培方法,其特征在于,包括:9月上旬至10月下旬进行芍药大田栽植;环境温度在0~5℃时覆盖地膜;环境温度在-1~1℃时,在地膜上搭建拱棚;环境温度在-5~0℃时,进行1~2次扣棚。

4.根据权利要求3所述的芍药栽培方法,其特征在于,芍药花芽长出地面8~10cm时,及时将地膜挖孔,芍药蕾径1~1.5cm时撤去地膜。

5.根据权利要求4所述的芍药栽培方法,其特征在于,待所有鲜切花采切完毕后,撤除冷棚的塑料薄膜。

6.根据权利要求1~5任一项所述的芍药栽培方法,其特征在于,包括:

7.根据权利要求1~6任一项所述的芍药栽培方法,其特征在于,用于华北地区芍药栽培。

8.权利要求1~7任一项所述的芍药栽培方法在改变芍药花期中的应用。

9.权利要求1~7任一项所述的芍药栽培方法在芍药初采时间提前中的应用。

10.权利要求1~7任一项所述的芍药栽培方法在延长芍药花期或延长芍药鲜切花采收期中的应用。

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【技术特征摘要】

1.一种芍药栽培方法,其特征在于,包括:针对大田种植的芍药进行地膜覆盖后搭建2~3层冷棚,所述冷棚包括拱棚,所述拱棚的宽0.8~0.9m,高1.2~1.5m。

2.根据权利要求1所述的芍药栽培方法,其特征在于,所述构建2~3层冷棚包括:在搭建拱棚后,进行1~2次扣棚。

3.根据权利要求1~2任一项所述的芍药栽培方法,其特征在于,包括:9月上旬至10月下旬进行芍药大田栽植;环境温度在0~5℃时覆盖地膜;环境温度在-1~1℃时,在地膜上搭建拱棚;环境温度在-5~0℃时,进行1~2次扣棚。

4.根据权利要求3所述的芍药栽培方法,其特征在于,芍药花芽长出地面8~10cm时...

【专利技术属性】
技术研发人员:邬博稳马书燕王传印刘瑞聂庭李睦刘清芝李烨杨崇师刁来印李玉鹏凌燕王潇然许庆标
申请(专利权)人:菏泽市林业科学研究院山东省林业科学研究院菏泽分院
类型:发明
国别省市:

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