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【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于钙钛矿量子点光催化剂材料制备,尤其涉及一种功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂、制备方法及其在二氧化碳光催化还原中的应用。
技术介绍
1、近年来,随着纳米材料技术的快速发展,催化技术的研究模式已经完成从简单材料设计合成向精准表界面调控发展。通过精确调控表界面参数,可以有效促进催化性能的提升。钙钛矿纳米晶体(ncs)有天然表面配体包裹,具有高度动态的表面配位环境,通过对其表面进行调控,可以解决其原有的不稳定的配体覆盖、整体稳定性以及由于受限的载流子动力学带来的催化性能低等问题。
2、配体是ncs催化剂中不可忽视的重要组成部分。在ncs的制备过程中,不可避免地会使用到各种各样的表面配体,如油胺、油酸等。其利用配位作用键合至材料表面,并通过静电排斥、空间位阻等途径,实现ncs的表面钝化,从而控制其尺寸大小并保证其稳定性。而传统的长链配体虽然可以保证ncs一定的稳定性,但也由于绝缘配体覆盖其表面活性位点,在表面形成表面势垒阻碍电子传递而大大限制其催化性能。
3、通过上述分析,现有技术存在的问题及缺陷为:ncs表面覆盖的传统绝缘长链配体占据其表面活性位点而限制其催化活性。表界面调控是解决ncs催化现存的上述问题的发展趋势,但由于现有催化研究对ncs表面微环境的忽视而使ncs催化剂的发展与应用遇到瓶颈。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的问题,本专利技术提供了一种功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂、制备方法及其在二氧化碳光催化还原中的应用。
...【技术保护点】
1.一种功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂,其特征在于,所述功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂由CsPbBr3和FCA构成并以量子点形式存在。
2.如权利要求1所述的功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂,其特征在于,所述功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂的CsPbBr3经过二茂铁甲酸功能配体修饰并以量子点形态存在,具有CsPbBr3钙钛矿量子点的基本特性。
3.一种如权利要求1或2所述的功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂的制备方法,包括以下步骤:
4.如权利要求3所述的功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤一中的含Cs可溶性盐为碳酸铯;所述含Pb可溶性盐为溴化铅;所述含Cs可溶性盐溶于的有机溶剂为十八烯和油酸的混合物;所述含Pb可溶性盐溶于的有机溶剂为十八烯、油胺和油酸混合物。
5.如权利要求4所述的功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂的制备方法,其特征在于,所述十八烯和油酸的比例为8:1,所述十八烯、油胺和油酸的比例为10:1:1。
6.如权利要求3所述的功能配体表面修饰
7.如权利要求3所述的功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤二中的保护气体为氩气、氦气或氮气中的任意一种;所述加热温度为150℃;混合的含Cs前驱液和含Pb前驱液摩尔比为1.2:10。
8.如权利要求3所述的功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤四中的二茂铁甲酸溶液为用正己烷稀释的33%wt Ac的氢溴酸和二茂铁甲酸的混合溶液,所述CsPbBr3正己烷溶液和二茂铁甲酸溶液的体积比为5:1。
9.如权利要求3所述的功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤五中的高速离心速度为10000rmp,离心时间为5min;所述真空烘箱置于通风处中,烘干温度为60℃,烘干处理时间为12h。
10.一种如权利要求3-9任意一项所述方法制备的功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂在CO2光催化还原中的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂,其特征在于,所述功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂由cspbbr3和fca构成并以量子点形式存在。
2.如权利要求1所述的功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂,其特征在于,所述功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂的cspbbr3经过二茂铁甲酸功能配体修饰并以量子点形态存在,具有cspbbr3钙钛矿量子点的基本特性。
3.一种如权利要求1或2所述的功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂的制备方法,包括以下步骤:
4.如权利要求3所述的功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤一中的含cs可溶性盐为碳酸铯;所述含pb可溶性盐为溴化铅;所述含cs可溶性盐溶于的有机溶剂为十八烯和油酸的混合物;所述含pb可溶性盐溶于的有机溶剂为十八烯、油胺和油酸混合物。
5.如权利要求4所述的功能配体表面修饰的钙钛矿纳米晶光催化剂的制备方法,其特征在于,所述十八烯和油酸的比例为8:1,所述十八烯、油胺和油酸的比例为10:1:1。
6.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:盛剑平,杜晨宇,何烨,孙艳娟,董帆,
申请(专利权)人:电子科技大学长三角研究院湖州,
类型:发明
国别省市:
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