【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示装置。
技术介绍
1、现有技术中，有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)显示装置、微发光二极管(micro light-emitting diode，micro led)显示装置、次毫米发光二极管(mini light-emitting diode，mini-led)显示装置等自发光显示装置，其阵列基板一般需要至少两个薄膜晶体管控制单个像素显示状态，其中，每个薄膜晶体管起到的作用不同，在结构上也会存在区别，从而导致阵列基板的制备过程需要更多的光罩掩模板，使得阵列基板的制备更加复杂。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示装置，旨在解决阵列基板具有多种不同作用的薄膜晶体管时，阵列基板的制备需要的光罩掩模板较多，制备过程更加复杂的问题。
2、本申请实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：
3、基板；
4、薄膜晶体管层...
【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层包括第一沟道部，及位于第一沟道部两侧的第一掺杂部，所述第一掺杂部掺杂有金属离子，两个所述第一掺杂部分别与所述第一源漏极层连接。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括覆盖所述第一有源层和所述第二源漏极层的第一绝缘层，所述第二有源层设于所述第一绝缘层并穿过所述第一绝缘层与所述第二源漏极层连接。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层包括第二沟道部，及位于第二沟道部两侧的第二掺杂部，所...
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层包括第一沟道部，及位于第一沟道部两侧的第一掺杂部，所述第一掺杂部掺杂有金属离子，两个所述第一掺杂部分别与所述第一源漏极层连接。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括覆盖所述第一有源层和所述第二源漏极层的第一绝缘层，所述第二有源层设于所述第一绝缘层并穿过所述第一绝缘层与所述第二源漏极层连接。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层包括第二沟道部，及位于第二沟道部两侧的第二掺杂部，所述第二掺杂部掺杂有金属离子，两个所述第二掺杂部穿过所述第一绝缘层与所述第二源漏极层连接。
5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括设于所述第一绝缘层的第一栅极绝缘层，所述第一栅极层设于所述第一栅极绝缘层上；所述第二薄膜晶体管包括设于所述第二有源层上的第二栅极绝缘层，所述第二栅极层设于所述第二栅极绝缘层上。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层同层设置；所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层的材质相同；
【专利技术属性】
技术研发人员：罗传宝，周楷，冼秀娟，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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