【技术实现步骤摘要】
本公开涉及测试和测量仪器，并且更特别地涉及用于进行电流-电压(i-v)测量的器件和方法。
技术介绍
1、功率mosfet上的电流-电压(i-v)测量通常涉及测量高漏极电流，诸如大于10a。当测量该漏极电流时，测试电路中的甚至小的负载电阻可能导致大的不想要的电压降，从而导致强制的漏极电压的衰减。这导致测量的漏极电流小于预期的漏极电流，从而导致不正确的结果。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种测试和测量仪器，包括：
2.根据权利要求1所述的测试和测量仪器，其中导致所述一个或多个处理器确定所述差是否满足所述阈值的所述代码导致所述一个或多个处理器确定所述差是否小于可接受的误差。
3.根据权利要求1所述的测试和测量仪器，所述一个或多个处理器还被配置为执行代码以导致所述一个或多个处理器：当所述差确实满足所述阈值时，确定新的强制电压并且重复所述施加、测量和确定步骤。
4.根据权利要求1所述的测试和测量仪器，所述一个或多个处理器还被配置为执行代码以导致所述一个或多个处理器：当所述差确实满足所述阈值时，将所述强制电压用于所述MOSFET。
5.根据权利要求1所述的测试和测量仪器，其中导致所述一个或多个处理器使用测量的漏极电压、测量的漏极电流和负载电阻来确定新的强制电压值的所述代码包括代码以导致所述一个或多个处理器：
6.根据权利要求5所述的测试和测量仪器，其中所述一个或多个处理器还被配置为执行代码，所述代码导致所述一个或多个处理器：通过将测量的漏极电流乘以所述强制电压除以所述漏极电压来确定所述预期的漏极电流。>
7.根据权利要求5所述的测试和测量仪器，其中所述一个或多个处理器还被配置为执行代码，所述代码导致所述一个或多个处理器：通过测量所述漏极电压和所述漏极电流至少两次以产生先前测量和瞬时测量来确定所述预期的漏极电流，并且然后：
8.一种方法，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中确定所述差是否满足阈值包括确定所述差是否小于可接受的误差。
10.根据权利要求8所述的方法，其中计算所述预期的漏极电流包括将所述至少一个测量的漏极电流乘以所述强制电压除以所述至少一个漏极电压。
11.根据权利要求8所述的方法，其中测量至少一个漏极电流和至少一个漏极电压包括测量两个漏极电流：先前漏极电流和瞬时漏极电流，测量至少一个漏极电压包括测量至少两个漏极电压：先前漏极电压和瞬时漏极电压。
12.根据权利要求11所述的方法，其中计算所述预期的漏极电流包括：找出所述强制电压与在所述先前漏极电流和漏极电压测量与所述瞬时漏极电流和漏极电压测量之间的线的斜率的乘积，并将所述线的y截距与所述乘积相加。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述线的所述斜率等于所述先前漏极电流减去所述瞬时漏极电流的量除以所述先前漏极电压减去所述瞬时漏极电压的量。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述y截距等于所述先前漏极电流减去所述强制电压乘以所述线的所述斜率。
...【技术特征摘要】
1.一种测试和测量仪器，包括：
2.根据权利要求1所述的测试和测量仪器，其中导致所述一个或多个处理器确定所述差是否满足所述阈值的所述代码导致所述一个或多个处理器确定所述差是否小于可接受的误差。
3.根据权利要求1所述的测试和测量仪器，所述一个或多个处理器还被配置为执行代码以导致所述一个或多个处理器：当所述差确实满足所述阈值时，确定新的强制电压并且重复所述施加、测量和确定步骤。
4.根据权利要求1所述的测试和测量仪器，所述一个或多个处理器还被配置为执行代码以导致所述一个或多个处理器：当所述差确实满足所述阈值时，将所述强制电压用于所述mosfet。
5.根据权利要求1所述的测试和测量仪器，其中导致所述一个或多个处理器使用测量的漏极电压、测量的漏极电流和负载电阻来确定新的强制电压值的所述代码包括代码以导致所述一个或多个处理器：
6.根据权利要求5所述的测试和测量仪器，其中所述一个或多个处理器还被配置为执行代码，所述代码导致所述一个或多个处理器：通过将测量的漏极电流乘以所述强制电压除以所述漏极电压来确定所述预期的漏极电流。
7.根据权利要求5所述的测试和测量仪器，其中所述一个或多个处理器还被配置为执行代码，所述代码导致所述一个或...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·N·普罗宁，M·A·图普塔，A·A·谢特勒，
申请(专利权)人：基思利仪器有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。