System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 移相电路及移相器制造技术_技高网
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移相电路及移相器制造技术

技术编号:40199013 阅读:16 留言:0更新日期:2024-01-27 00:03
本发明专利技术公开了一种移相电路及移相器,涉及移相器技术领域,该移相电路采用开关管并联在电感两端的桥T型结构,包括输入端、移相模块和输出端,移相模块接在所述输入端和所述输出端之间。移相模块,用于根据接入的导通电压进行工作状态的切换,以基于不同所述工作状态之间的切换得到所需移相度数。由上述的移相电路可知,本发明专利技术的移相电路避免了并联电感的结构,因此相比于常规的电感并联在开关管两端的拓扑结构,避免了并联电感的电感值的影响,进而避免了在应用于高频段时,需引入微带线以获取更小的电感值而造成的移相精度降低和拓扑面积变大的情况。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及移相器,尤其涉及一种移相电路及移相器


技术介绍

1、移相器是相控阵中常用的关键元件,通过直流偏置电压对移相器中的移相单元进行控制,改变移相单元的工作状态,使输入端和输出端得的信号相位发生变化,从而实现不同相位的移相。随着集成电路和通信技术的发展,移相器也逐渐向小型化,高频化,高移相精度发展。

2、常用的拓扑有开关线型,加载线型,开关网络型,嵌入开关型和反射型。目前最常见的嵌入开关型移相器拓扑为电感并联在开关两边的桥t型结构,但该拓扑在应用于高频段时,需引入微带线,而因微带线本身的长度影响,其所等效的电感值是有限值的,会使得拓扑的各项精度变差,同时因微带线本身所需的空间,不利于移相器集成和面积的缩小。


技术实现思路

1、本专利技术的主要目地在于提供一种移相电路及移相器,旨在解决常规的移相器所引入的微带线会造成精度性和集成性差的技术问题。

2、为实现上述目地,本专利技术提供一种移相电路,所述移相电路采用开关管并联在电感两端的桥t型结构,所述移相电路包括输入端、移相模块和输出端;

3、所述移相模块接在所述输入端和所述输出端之间;

4、所述移相模块,用于根据接入的导通电压进行工作状态的切换,以基于不同所述工作状态之间的切换得到所需移相度数。

5、可选地,所述移相模块包括第一电感、第一开关管和第二开关管;

6、所述第一电感接在所述输入端和所述输出端之间,所述第一开关管的输入端接在所述输入端和所述第一电感的连接点上,所述第二开关管的输入端接在所述输出端和所述第一电感的连接点上,所述第一开关管的输出端和所述第二开关管的输出端相接。

7、可选地,所述移相模块还包括第二电感、第三开关管和第一电容;

8、所述第三开关管与第一电容串联,所述第三开关管的输入端与所述第二电感的一端相接后接在所述第一开关管的输出端和所述第二开关管的输出端的连接点上,所述第二电感的另一端与所述第一电容远离所述第三开关管的一端相接后接地。

9、可选地,所述移相电路应用于所述所需移相度数小于预设移相度数的情形下。

10、可选地,所述移相模块还包括第二电容和第三电容;

11、所述第二电容接在所述第一开关管的输入端和所述第一电感的一端之间,所述第三电容接在所述第二开关管的输入端和所述第一电感的另一端之间。

12、可选地,所述移相电路应用于所述所需移相度数大于预设移相度数的情形下。

13、可选地,所述第一开关管的控制端导通电压和所述第二开关管的控制端导通电压相同。

14、可选地,所述第一开关管和第二开关管的控制端导通电压与所述第三开关管的控制端导通电压反向。

15、可选地,所述输出端与移相度数计算模块相接。

16、此外,为实现上述目地,本专利技术还提供一种移相器,所述移相器包括如上所述的移相电路,所述移相电路采用开关管并联在电感两端的桥t型结构,所述移相电路包括输入端、移相模块和输出端;

17、所述移相模块接在所述输入端和所述输出端之间;

18、所述移相模块,用于根据接入的导通电压进行工作状态的切换,以基于不同所述工作状态之间的切换得到所需移相度数。

19、本专利技术通过设计一种移相电路,该移相电路开关管并联在电感两端的桥t型结构,包括输入端、移相模块和输出端,移相模块接在所述输入端和所述输出端之间。移相模块,用于根据接入的导通电压进行工作状态的切换,以基于不同所述工作状态之间的切换得到所需移相度数。由上述的移相电路可知,本专利技术的移相电路避免了并联电感的结构,因此相比于常规的电感并联在开关管两端的拓扑结构,避免了并联电感的电感值的影响,进而避免了在应用于高频段时,需引入微带线以获取更小的电感值而造成的移相精度降低和拓扑面积变大的情况。

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【技术保护点】

1.一种移相电路,其特征在于,所述移相电路采用开关管并联在电感两端的桥T型结构,所述移相电路包括输入端、移相模块和输出端;

2.如权利要求1所述的移相电路,其特征在于,所述移相模块包括第一电感、第一开关管和第二开关管;

3.如权利要求2所述的移相电路,其特征在于,所述移相模块还包括第二电感、第三开关管和第一电容;

4.如权利要求3所述的移相电路,其特征在于,所述移相电路应用于所述所需移相度数小于预设移相度数的情形下。

5.如权利要求3所述的移相电路,其特征在于,所述移相模块还包括第二电容和第三电容;

6.如权利要求5所述的移相电路,其特征在于,所述移相电路应用于所述所需移相度数大于预设移相度数的情形下。

7.如权利要求5所述的移相电路,其特征在于,所述第一开关管的控制端导通电压和所述第二开关管的控制端导通电压相同。

8.如权利要求5所述的移相电路,其特征在于,所述第一开关管和第二开关管的控制端导通电压与所述第三开关管的控制端导通电压反向。

9.如权利要求5所述的移相电路,其特征在于,所述输出端与移相度数计算模块相接。

10.一种移相器,其特征在于,所述移相器包括如权利要求1至9中任意一项所述的移相电路。

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【技术特征摘要】

1.一种移相电路,其特征在于,所述移相电路采用开关管并联在电感两端的桥t型结构,所述移相电路包括输入端、移相模块和输出端;

2.如权利要求1所述的移相电路,其特征在于,所述移相模块包括第一电感、第一开关管和第二开关管;

3.如权利要求2所述的移相电路,其特征在于,所述移相模块还包括第二电感、第三开关管和第一电容;

4.如权利要求3所述的移相电路,其特征在于,所述移相电路应用于所述所需移相度数小于预设移相度数的情形下。

5.如权利要求3所述的移相电路,其特征在于,所述移相模块还包括第二电容和第三电容;

【专利技术属性】
技术研发人员:陈炫羽葛磊阮顺添陈力
申请(专利权)人:深圳大学
类型:发明
国别省市:

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