【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于金属材料，具体涉及一种高温退火强化纯钽及其制备方法和应用。
技术介绍
1、钽是一种体心立方难熔金属，具有密度和熔点高，延展性和耐蚀性好等特点，广泛应用在电子工业、冶金工业、先进钢铁、汽车工业等领域，此外，钽的高温强度突出，因此也常用于制造航空航天领域的发动机刀片和叶片等。纯钽的高温力学性能决定其应用能力，因此进一步提高纯钽的高温强度，对拓展纯钽的应用领域，提高其应用能力具有重要的研究意义；
2、现有技术中，针对金属材料的退火强化现象多体现在室温环境下，如专利号为cn111440938a公开了一种轧制纯钽箔的退火强化工艺方法，通过该工艺制得纯钽箔具有室温退火强化效应，使得轧制钽箔的抗拉强度和塑性变形有明显的提高，从而提高了室温力学性能，但未出现高温退火效应，对此，本专利技术提供了一种高温退火强化纯钽及其制备方法和应用。
技术实现思路
1、本专利技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种高温退火强化纯钽及其制备方法和应用。
2、本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的：
3、作为本专利技术的第一个方面，本专利技术提供了一种高温退火强化纯钽的制备方法，先对纯钽在不高于30℃的温度下进行不低于1次的冷塑性变形加工，得到细晶或超细晶纯钽，再将细晶或超细晶纯钽在300-600℃真空中进行退火处理，即可得到高温退火强化纯钽。
4、作为本专利技术的进一步优化方案，所述冷塑性变形加工为旋锻、轧制、锻造或挤压中的一种或多种，且冷塑性变形加工
5、作为本专利技术的进一步优化方案，所述冷塑性变形加工的具体步骤包括，
6、(1)先将纯钽在20℃下进行1道次应变量为1.03的等通道转角挤压；
7、(2)再将挤压后的纯钽放置在液氮中冷却20分钟后取出，用红外温度测量仪测得样件表面温度为-10℃时，开始对纯钽进行锻造，纯钽表面温度超过0℃时停止锻造，并将纯钽继续放置在液氮中，待纯钽表面温度达到-10℃时开始进行下一道次锻造，以此循环最终实现锻造总变形量为73％，即可完成纯钽的冷塑性变形加工。
8、作为本专利技术的进一步优化方案，所述退火处理的真空度不低于10-1pa，退火时间为0.5-5小时。
9、作为本专利技术的第二个方面，本专利技术提供了一种根据上述任一所述的高温退火强化纯钽。
10、作为本专利技术的进一步优化方案，所述高温退火强化纯钽在500℃高温下的抗拉强度为525-561mpa，总延伸率为13-16％。
11、作为本专利技术的第三个方面，本专利技术还提供了一种如上述所述的高温退火强化纯钽在制备耐高温高强度机械零件中的应用，所述耐高温高强度机械零件包括应用于航空航天领域的发动机刀片或叶片。
12、本专利技术的有益效果在于：
13、本专利技术先在低温下对商业纯钽进行冷塑性变形加工，以获得具有大量预制位错的细晶或超细晶纯钽。随后通过控制热处理工艺来控制位错行为，使预制的大量位错演变为位错胞结构或亚晶等亚结构，且这些亚结构具有良好的高温稳定性，从而使本专利技术的纯钽在500℃高温下出现了退火强化效应，进而提高了纯钽的高温强度，为拓展纯钽的应用领域，提高其应用能力奠定了理论基础。
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1.一种高温退火强化纯钽的制备方法，其特征在于：先对纯钽在不高于30℃的温度下进行不低于1次的冷塑性变形加工，得到细晶或超细晶纯钽，再将细晶或超细晶纯钽在300-600℃真空中进行退火处理，即可得到高温退火强化纯钽。
2.根据权利要求1所述的一种高温退火强化纯钽的制备方法，其特征在于：所述冷塑性变形加工为旋锻、轧制、锻造或挤压中的一种或多种，且冷塑性变形加工的总应变量不低于1。
3.根据权利要求2所述的一种高温退火强化纯钽的制备方法，其特征在于：所述冷塑性变形加工的具体步骤包括，
4.根据权利要求1所述的一种高温退火强化纯钽的制备方法，其特征在于：所述退火处理的真空度不低于10-1Pa，退火时间为0.5-5小时。
5.一种根据权利要求1-4任一所述的制备方法制备得到的高温退火强化纯钽。
6.根据权利要求5所述的一种高温退火强化纯钽，其特征在于：所述高温退火强化纯钽在500℃高温下的抗拉强度为525-561MPa，总延伸率为13-16％。
7.一种如权利要求6所述的高温退火强化纯钽在制备耐高温高强度机械零件中的
...【技术特征摘要】
1.一种高温退火强化纯钽的制备方法，其特征在于：先对纯钽在不高于30℃的温度下进行不低于1次的冷塑性变形加工，得到细晶或超细晶纯钽，再将细晶或超细晶纯钽在300-600℃真空中进行退火处理，即可得到高温退火强化纯钽。
2.根据权利要求1所述的一种高温退火强化纯钽的制备方法，其特征在于：所述冷塑性变形加工为旋锻、轧制、锻造或挤压中的一种或多种，且冷塑性变形加工的总应变量不低于1。
3.根据权利要求2所述的一种高温退火强化纯钽的制备方法，其特征在于：所述冷塑性变形加工的具体步骤包括，
4.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：王先平，张广杰，谢卓明，杨俊峰，张临超，吴学邦，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：
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