钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法、装置及存储介质制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法、装置及存储介质，其中钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法包括：使用VASP软件包对若干类纯相ABO<subgt;3</subgt;型钙钛矿进行结构优化与自洽计算，以获得优化后的晶格常数；根据优化后的晶格常数，基于AKAI‑KKR程序的Green函数、蒙特卡洛和相干势近似方法生成替换不同比例和组分(1‑x)(BT)<subgt;x</subgt;ABO<subgt;3</subgt;，以得到对应的结构文件，其中，x＝0.25,0.5；使用高通量计算方法对生成的结构文件POSCAR进行计算，得到弹性模量和介电常数矩阵；使用VASPKIT数据后处理软件对弹性模量和介电常数矩阵进行处理得到该固溶体结构的压电参数。以解决现有技术中设计陶瓷电容材料组分与结构时，单单通过实验验证，具有庞杂性的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及介电陶瓷材料研究，具体涉及一种钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法、装置及存储介质。

技术介绍

1、电容器也称为电容，是三大被动电子元器件之一，具有储存和释放电荷的能力，广泛运用在电路中的隔直通交、耦合、旁路、滤波等方面。

2、陶瓷电容器可分为单层陶瓷电容(slcc)、多层陶瓷电容器(mlcc)和引线式多层陶瓷电容。mlcc中一般使用钛酸钡做电介质，而且电极是多层的，在等效电路上相当于一层一层并联连接，因此能够实现非常低的esr，在实际应用中保证良好的平滑特性和瞬态响应特性。

3、随着宽禁带半导体材料迅猛发展，介电材料的工作温度已经延伸到300℃-500℃。无源器件mlcc的工作温度必须与之匹配才能更好地集成到电路中。除此之外，发动机在线监测、石油测井、电源模块也对高温电容器有广泛需求。然而目前主流的陶瓷电容器最高使用温度仅为125℃。因此，国内外都在寻找能应用于高温环境工作的陶瓷电容器材料。同时为了获得高性能的mlcc，直流偏压、频率等对电容的影响，以及绝缘电阻的衰减等都与电介质材料的组成、晶粒尺寸、晶界等密切相关。...

【技术保护点】

1.一种钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法，其特征在于，所述生成替换不同比例和组分的(1-x)(BT)xABO3，包括：

4.根据权利要求1所述的钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法，其特征在于，包括：

5.根据权利要求1所述的钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法，其特征在于，所述高通量计算方法，包括：

6.根据权利要求5所述的钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法，其特征在于，所述高...

【技术特征摘要】

1.一种钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法，其特征在于，所述生成替换不同比例和组分的(1-x)(bt)xabo3，包括：

4.根据权利要求1所述的钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法，其特征在于，包括：

5.根据权利要求1所述的钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法，其特征在于，所述高通量计算方法，包括：

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【专利技术属性】
技术研发人员：胡顺波，张灵瑶，任伟，王音，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：