【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及高速开关器件。更具体地，本专利技术涉及用于高速开关器件的栅极驱动器电路的优化布局。
技术介绍
1、氮化镓高电子迁移率晶体管(gan hemt)广泛用于高功率应用，包括例如服务器和电信应用。gan hemt可实现高频、高效和高密度的功率转换。然而，gan hemt通常需要由辅助电源供电的驱动器，这些驱动器将gan hemt、驱动器和辅助电源连接在一起。另外，驱动gan hemt需要特别小心，因为gan hemt具有较低的栅源阈值电压，当gan hemt暴露于少量电磁干扰(emi)或噪声时，这可以导致gan hemt不期望地导通，即，自导通。gan hemt的不期望导通导致具有gan hemt的电路(包括gan hemt的栅极驱动器电路)的物理布局受到限制和出现问题。gan hemt通常具有非常快的开关，从而在连接的电路中产生较大的电压尖峰(即，电压随时间的变化(dv/dt)较大)，这可以增加噪声。
2、由于gan hemt的敏感性，期望连接到gan hemt的栅极的线路尽可能短。连接到ganhemt的栅极的线路可...
【技术保护点】
1.一种开关电路，包括：
2.根据权利要求1所述的开关电路，还包括：
3.根据权利要求1或2所述的开关电路，其中，所述第一开关和所述第二开关中的每一个是GaN晶体管。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的开关电路，其中，所述第一开关的源极端子连接到所述第二开关的漏极端子。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的开关电路，还包括控制电路，所述控制电路连接到所述第一隔离驱动器和所述第二隔离驱动器中的每一个。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的开关电路，其中，所述变压器到所述第一隔离驱动器的输出位于所述变压器的与所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种开关电路，包括：
2.根据权利要求1所述的开关电路，还包括：
3.根据权利要求1或2所述的开关电路，其中，所述第一开关和所述第二开关中的每一个是gan晶体管。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的开关电路，其中，所述第一开关的源极端子连接到所述第二开关的漏极端子。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的开关电路，还包括控制电路，所述控制电路连接到所述第一隔离驱动器和所述第二隔离驱动器中的每一个。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的开关电路，其中，所述变压器到所述第一隔离驱动器的输出位于所述变压器的与所述变压器到所述第二隔离驱动器的输出不同的一侧。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的开关电路，其中，所述变压器的尺寸小于所述第一隔离驱动器或所述第二隔离驱动器中的任一个的尺寸。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的开关电路，其中，所述第一开关、所述第二开关、所述第一隔离驱动器、所述第二隔离驱动器和所述变压器中的每一个设置在单个电路板或单个基板上。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的开关电路，其中，连接在所述第一隔离驱动器与所述第一开关的栅极端子之间的第一栅极线和连接在所述第二隔离驱动器与所述第二开关的栅极端子之间的第二栅极线中的至少一个的长度等于或短于所述第一开关和所述第二开关中的至少一个的宽度。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的开关电路，其中：
11.一种栅极驱动器设备，包括：
12.根据权利要求11...
【专利技术属性】
技术研发人员：増田昌平，艾哈迈德·亚法维，安德鲁·迪克森，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：
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