【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及半导体器件的制作方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，人们对集成电路性能的要求越来越高。现有的半导体器件的半导体掺杂层容易存在界面漏电，进而限制或降低半导体器件的性能。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种半导体器件及半导体器件的制作方法，以解决现有的半导体器件的半导体掺杂层容易存在界面漏电，进而限制或降低半导体器件的性能的问题。
2、为实现上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：
3、本专利技术实施例提供了一种半导体器件，包括：
4、衬底；
5、设置于衬底一侧的缓冲层；
6、设置于缓冲层远离衬底一侧的电子传输层；
7、设置于电子传输层远离衬底一侧的半导体掺杂层；
8、设置于半导体掺杂层远离衬底一侧的栅极；
9、半导体掺杂层远离衬底的一侧包括至少一个台阶；
10、沿垂直于半导体器件的厚度方向，台阶在衬底的正投影与栅极在衬底的正投影不交叠。
11、可选的，半导体掺杂层至少包括第一台阶；
12、第一台阶包括平行于衬底的第一表面，以及与第一表面相交的第二表面；第一表面与电子传输层远离衬底的一侧邻接；
13、第一表面至半导体掺杂层靠近衬底一侧的表面的距离小于半导体掺杂层的厚度。
14、可选的，半导体掺杂层，至少还包括第二台阶；
15、第二台阶包括平行于衬底的第
16、可选的，半导体掺杂层至少还包括第三台阶；
17、第三台阶在衬底的正投影与栅极在衬底的正投影不交叠。
18、可选的，第三台阶包括平行于衬底的第五表面和与第五表面相交的第六表面，第六表面分别与第二台阶的第三表面和第五表面邻接；
19、第五表面至电子传输层远离衬底一侧的表面的距离大于第三表面至电子传输层远离衬底一侧的表面的距离。
20、可选的，第二表面与第四表面和第六表面相互平行，且不在同一平面上。
21、可选的，台阶远离衬底的一侧浅注入有氧离子。
22、可选的，半导体掺杂层包括p型掺杂层，p型掺杂层包括掺杂mg的gan层；
23、缓冲层的材料包括gan；
24、电子传输层的材料包括algan；
25、栅极的材料包括氮化钛或氮化钨。
26、根据本专利技术的另一方面，本实施例提供一种半导体器件的制作方法，包括：
27、提供衬底；
28、在所述衬底的一侧形成缓冲层；
29、在所述缓冲层远离所述衬底的一侧形成电子传输层；
30、在所述电子传输层远离所述衬底的一侧形成半导体掺杂层；
31、在所述半导体掺杂层远离所述衬底的一侧形成栅极；
32、刻蚀所述半导体掺杂层远离所述衬底的一侧，形成至少一个台阶；其中，沿垂直于所述半导体器件的厚度方向，所述台阶在所述衬底的正投影与所述栅极在所述衬底的正投影不交叠。
33、可选的，在所述刻蚀所述半导体掺杂层远离所述衬底的一侧，形成至少一个台阶之后，还包括：
34、在所述台阶远离所述衬底的一侧浅注入氧离子。
35、本专利技术实施例提供的半导体器件通过设置半导体掺杂层远离衬底的一侧包括至少一个台阶，并设置沿垂直于半导体器件的厚度方向，台阶在衬底的正投影与栅极在衬底的正投影不交叠，使得栅极与半导体掺杂层之间的接触面积较大，保证半导体掺杂层与栅极之间的电信号的传输。此外，通过在半导体掺杂层远离衬底的一侧设置台阶，增长了界面漏电的路径，进而减弱了半导体掺杂层在台阶表面的界面漏电，提高了半导体掺杂层的电流密度，进而提高了半导体器件的栅极的稳定性，改善了半导体器件的性能稳定度。
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1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述半导体掺杂层至少包括第一台阶；
3.根据权利要求2所述半导体器件，其特征在于，所述半导体掺杂层，至少还包括第二台阶；
4.根据权利要求3所述半导体器件，其特征在于，所述半导体掺杂层至少还包括第三台阶；
5.根据权利要求4所述半导体器件，其特征在于，
6.根据权利要求5所述半导体器件，其特征在于，
7.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
8.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
9.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述刻蚀所述半导体掺杂层远离所述衬底的一侧，形成至少一个台阶之后，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述半导体掺杂层至少包括第一台阶；
3.根据权利要求2所述半导体器件，其特征在于，所述半导体掺杂层，至少还包括第二台阶；
4.根据权利要求3所述半导体器件，其特征在于，所述半导体掺杂层至少还包括第三台阶；
5.根据权利要求4所述半导体器件，其特征在于，<...
【专利技术属性】
技术研发人员：马勇，梁耀，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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