一种硅基SERS基底材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硅基SERS基底材料及其制备方法，主要包括硅表面刻蚀、Ag化学还原和Au/Ag电置换反应等三个步骤。得到的硅基SERS基底材料在785nm激发光下具有强的SERS活性(增强因子EF>10<supgt;7</supgt;)、表面均匀性(RSD<15％)、批次一致性(RSD<15％)、化学稳定性和水稳定性。本发明专利技术方法快速简便、成本低廉，有望用于商业化的SERS基底材料生产，用于潜在的商业化SERS应用中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米功能新材料制备领域，具体涉及一种新的硅基sers基底材料及其制备方法。

技术介绍

1、表面增强拉曼光谱(surface enhanced raman spectroscopy，sers)可通过电磁增强或者化学增强作用，大大提高吸附在粗糙金属表面或者纳米材料表面的分析拉曼光谱信号。近年来，因sers的超高检测灵敏度以及能实现快速、低成本以及可获得分子的指纹信息等特点，其在分析化学领域受到广泛关注。

2、sers基底材料的制备是获得sers信号的基础，也是影响sers分析性能的关键。一个良好的sers基底材料应满足以下几点：(1)具有良好的sers增强活性；(2)基底表面保持均匀性，不同点与点之间信号相对标准偏差rsd小于20％；(3)可重复性，同时不同批次间制备得到的sers基底的信号增强偏差应小于20％；(4)基底材料表面洁净，无背景干扰信号；(5)良好的化学稳定性，便于储存；(6)良好的水稳定性，便于在水溶液中反应；(7)制备简单，成本低廉，从而有助于材料制备的产业化和规模化。因此，制备出满足上述条件的sers基底材料对于推本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅基SERS基底材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的SERS基底材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中使用的硅材料是晶型为<100>的单晶硅片。

3.根据权利要求1所述的SERS基底材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中CuCl2浓度为5～20mM，H2O2浓度为0.2～0.6M，HF浓度为2.5％～10％(体积比)，反应温度为45～65℃，反应时间为15～30min。

4.根据权利要求1所述的SERS基底材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中稀硝酸通过65％的浓硝酸与纯化水混合得到，浸泡时间为...

【技术特征摘要】

1.一种硅基sers基底材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的sers基底材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中使用的硅材料是晶型为<100>的单晶硅片。

3.根据权利要求1所述的sers基底材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中cucl2浓度为5～20mm，h2o2浓度为0.2～0.6m，hf浓度为2.5％～10％(体积比)，反应温度为45～65℃，反应时间为15～30min。

4.根据权利要求1所述的sers基底材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中稀硝酸通过65％的浓硝酸与纯化水混合得到，浸泡时间为5～10min。

5.根据权利要求1所述的sers基底材料的制备方法，其特征在于，步骤(4)中hf浓度为5～10％，浸泡时间为30～40min。

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【专利技术属性】
技术研发人员：靳磊，王晓杰，惠琦，
申请(专利权)人：温州医科大学，
类型：发明
国别省市：