用于β伏打电池的负极及其制造方法技术

本发明专利技术描述了一种用于β伏打电池的负极和制造该负极的方法。在负极中，包括放射性同位素的量子点被提供给辐射吸收体，以便作为β源引入。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于β伏打电池的负极及其制造方法。

技术介绍

1、β伏打电池是一种通过p-n结半导体表面吸收放射性同位素发射的β射线，并将β射线转化为电能的电池。β射线可以在p-n结半导空间电荷区域中产生电子-空穴对(electron-hole pairs)，由此产生的载流子(carriers)具有β伏打电池的电流-电压特性。

2、放射性同位素的能谱为数ev至数百kev，其固有最大能量和平均能量取决于核素。随着核素半衰期的增加，使用该核素的β伏电池的寿命增加，但由于核素衰变率的降低，β伏打电池输出功率降低。因此，正确选择放射性同位素以满足要求非常重要。

3、在β伏打电池中，β粒子(beta particles)的动能效率可根据β伏打电池的结构而变化。作为一个实例，在包括具有平面结构的p-n结半导体的β伏打电池中，β源位于p-n结半导体上，因此，从β源向上和侧向发射的β粒子可能不会被转换成电能，并且β粒子可能消失。作为另一实例，在β源位于p型半导体和n型半导体之间的β伏打电池中，当包括β源的材料的厚度增加时，彼此重新结合的电子和空穴的数本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种负极，其包括：

2.根据权利要求1所述的负极，其中所述导电基底包括以下中的至少一种：氟掺杂锡氧化物(FTO)玻璃、铟锡氧化物(ITO)玻璃、铟锌氧化物(IZO)玻璃、铝掺杂锌氧化物(AZO)玻璃和镓掺杂锌氧化物(GZO)玻璃或它们的任意组合。

3.根据权利要求1所述的负极，其中所述至少一种无机颗粒包括二氧化钛(TiO2)。

4.根据权利要求1所述的负极，其中所述至少一种无机颗粒用四氯化钛(TiCl4)处理过。

5.根据权利要求1所述的负极，其中所述染料包括以下中的至少一种：N719、N3、N749或它们的任意组合。

6....

【技术特征摘要】

1.一种负极，其包括：

2.根据权利要求1所述的负极，其中所述导电基底包括以下中的至少一种：氟掺杂锡氧化物(fto)玻璃、铟锡氧化物(ito)玻璃、铟锌氧化物(izo)玻璃、铝掺杂锌氧化物(azo)玻璃和镓掺杂锌氧化物(gzo)玻璃或它们的任意组合。

3.根据权利要求1所述的负极，其中所述至少一种无机颗粒包括二氧化钛(tio2)。

4.根据权利要求1所述的负极，其中所述至少一种无机颗粒用四氯化钛(ticl4)处理过。

5.根据权利要求1所述的负极，其中所述染料包括以下中的至少一种：n719、n3、n749或它们的任意组合。

6.根据权利要求1所述的负极，其中所述辐射吸收层包括：

7.根据权利要求6所述的负极，其中所述第一层与所述第二层的厚度比为约1:0.5至约1:2。

8.根据权利要求1所述的负极，其中所述量子点包括由以下化学式1表示的化合物和季铵离子的聚合物产生的加热产物，

9.根据权利要求1所述的负极，其中所述量子点的平均粒径为约4nm至约20nm。

10.一种β伏打电池，其包括：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙参翼，印秀一，金弘洙，李准镐，黄允柱，
申请(专利权)人：现代自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：