【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光电，具体涉及一种复合材料、复合材料的制备方法、光电器件与电子设备。
技术介绍
1、金属氧化物是指金属元素和氧元素结合形成的化合物，将金属氧化物纳米化后，金属氧化物因尺寸小、比表面积大、表面活性中心多的特性而具有小尺寸效应、表面与界面效应、量子点尺寸效应和宏观量子隧道效应，从而广泛应用于高效催化剂、电池、发光器件、超级电容器、储能器件、磁性器件以及光学器件中。
2、以发光器件为例，发光器件包括但不限于有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)和量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes,qled)，金属氧化物可用于制备发光器件的电子传输层，基于金属氧化物的高导电性和宽带隙特性，能够有效提升发光器件的的电子注入水平，从而有利于提高发光器件的光电性能和使用寿命。
3、但是目前，对于特定金属氧化物制得的电子传输层存在电子迁移速率不可调节或调节范围极窄的缺点，导致部分发光器件存在载流子传输失衡的问题，例如qled存在电子传输速率远高于空穴传输速率的问题，从而对发光器件的光电性能和使用寿命造成不利影响。因此，如何实现金属氧化物的电子迁移速率可调对发光器件的应用与发展具有重要意义。
技术实现思路
1、本申请提供了一种复合材料、复合材料的制备方法、光电器件与电子设备，以实现金属氧化物的电子迁移速率可调节。
2、本申请的技术方案如下：
3、第一方面，本申请提
4、可选地，所述复合材料为经卤化铋修饰的金属氧化物，所述卤化铋的铋离子连接于所述金属氧化物的表面。
5、可选地，所述金属氧化物选自纳米金属氧化物；
6、和/或，所述卤化铋的卤素离子配位结合于所述金属氧化物的表面。
7、可选地，所述金属氧化物选自zno、tio2、sno2、bao、ta2o3、zro2、tilio、zngao、znalo、znmgo、znsno、znlio、insno、alzno、znocl、znof或znmglio中的至少一种；
8、和/或，所述金属氧化物的平均粒径为2nm至15nm。
9、可选地，所述卤化铋选自三氯化铋、三溴化铋、三碘化铋或三氟化铋中的至少一种。
10、可选地，所述金属氧化物：所述卤化铋的质量比为1：(0.01～0.2)。
11、第二方面，本申请提供了一种复合材料的制备方法，包括如下步骤：
12、沉积包含卤化铋和金属氧化物的溶液；以及
13、对沉积的所述溶液进行干燥处理，获得所述复合材料。
14、可选地，在所述溶液中，所述金属氧化物：所述卤化铋的质量比为1：(0.01～0.2)；
15、和/或，所述溶液的溶剂选自有机醇；
16、和/或，所述溶剂中卤化铋和金属氧化物的总浓度为30mg/ml～40mg/ml；
17、和/或，所述干燥处理包括热处理工序。
18、可选地，所述溶液的溶剂选自乙醇、乙二醇、丙三醇、异丙醇、丁醇、戊醇、辛醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇或2-甲氧基丁醇中的至少一种；
19、和/或，所述热处理的温度为80℃至180℃，所述热处理的时间为5min至60min。
20、第三方面，本申请提供了一种光电器件，包括：
21、阳极；
22、阴极，与所述阳极相对设置；
23、发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
24、电子传输层，设置于所述阴极与所述发光层之间；
25、其中，电子传输层包括如第一方面中任意一种所述的复合材料，或者包括如第二方面中任意一种所述的制备方法制得的复合材料。
26、可选地，所述发光层的材料有机发光材料或量子点；
27、所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpa荧光材料、tbrb荧光材料或dbp荧光材料中的至少一种；
28、所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料以及所述核壳结构量子点的壳的材料彼此独立地选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物或i-iii-vi族化合物中的至少一种，其中，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete或snpbste中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2或agins2中的至少一种；
29、和/或，所述阳极和所述阴极的材料彼此独立地选自金属、碳材料或金属氧化物中的至少一种，所述金属选自al、ag、cu、mo、au、ba、ca或mg中的至少一种，所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯或碳纤维中的至少一种，所述金属氧化物选自氧化铟锡、氟掺杂氧化锡、氧化锡锑、铝掺杂的氧化锌、镓掺杂的氧化锌、铟掺杂的氧化锌或镁掺杂的氧化锌中的至少一种；
30、和/或，所述电子传输层的厚度为10nm至100nm。
31、可选地，所述光电器件还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述发光层与所述阳极之间，所述空本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括经卤化铋修饰的金属氧化物，所述卤化铋的铋离子连接于所述金属氧化物的表面。
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料为经卤化铋修饰的金属氧化物，所述卤化铋的铋离子连接于所述金属氧化物的表面。
3.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物选自纳米金属氧化物；
4.根据权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物选自ZnO、TiO2、SnO2、BaO、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO、AlZnO、ZnOCl、ZnOF或ZnMgLiO中的至少一种；
5.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述卤化铋选自三氯化铋、三溴化铋、三碘化铋或三氟化铋中的至少一种。
6.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物：所述卤化铋的质量比为1：(0.01～0.2)。
7.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
8.根据权利
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述溶液的溶剂选自乙醇、乙二醇、丙三醇、异丙醇、丁醇、戊醇、辛醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇或2-甲氧基丁醇中的至少一种；
10.一种光电器件，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的光电器件，其特征在于，所述发光层的材料有机发光材料或量子点；
12.根据权利要求10所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述发光层与所述阳极之间，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层；
13.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求10至12任一项中所述的光电器件。
...【技术特征摘要】
1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括经卤化铋修饰的金属氧化物，所述卤化铋的铋离子连接于所述金属氧化物的表面。
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料为经卤化铋修饰的金属氧化物，所述卤化铋的铋离子连接于所述金属氧化物的表面。
3.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物选自纳米金属氧化物；
4.根据权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物选自zno、tio2、sno2、bao、ta2o3、zro2、tilio、zngao、znalo、znmgo、znsno、znlio、insno、alzno、znocl、znof或znmglio中的至少一种；
5.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述卤化铋选自三氯化铋、三溴化铋、三碘化铋或三氟化铋中的至少一种。
6.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物：所述卤化铋的质...
【专利技术属性】
技术研发人员：李龙基，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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