复合材料、复合材料的制备方法、光电器件与电子设备技术

本申请公开一种复合材料、复合材料的制备方法、光电器件与电子设备，薄膜的材料包括经卤化铋修饰的金属氧化物，卤化铋的铋离子连接于金属氧化物的表面，在通电的条件下，复合材料存在Bi<supgt;3+</supgt;‑Bi<supgt;+</supgt;的动态循环反应现象，从而可调节金属氧化物的电子迁移率，复合材料可采用溶液法制得，复合材料能够用于制备光电器件的电子传输层以促进光电器件的载流子传输平衡，将包含复合材料的光电器件应用于电子设备中，有利于提高电子设备的光电性能和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光电，具体涉及一种复合材料、复合材料的制备方法、光电器件与电子设备。

技术介绍

1、金属氧化物是指金属元素和氧元素结合形成的化合物，将金属氧化物纳米化后，金属氧化物因尺寸小、比表面积大、表面活性中心多的特性而具有小尺寸效应、表面与界面效应、量子点尺寸效应和宏观量子隧道效应，从而广泛应用于高效催化剂、电池、发光器件、超级电容器、储能器件、磁性器件以及光学器件中。

2、以发光器件为例，发光器件包括但不限于有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)和量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes,qled)，金属氧化物可用于制备发光器件的电子传输层，基于金属氧化物的高导电性和宽带隙特性，能够有效提升发光器件的的电子注入水平，从而有利于提高发光器件的光电性能和使用寿命。

3、但是目前，对于特定金属氧化物制得的电子传输层存在电子迁移速率不可调节或调节范围极窄的缺点，导致部分发光器件存在载流子传输失衡的问题，例如qled存在电子传输速率远高于空穴传输速率的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括经卤化铋修饰的金属氧化物，所述卤化铋的铋离子连接于所述金属氧化物的表面。

2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料为经卤化铋修饰的金属氧化物，所述卤化铋的铋离子连接于所述金属氧化物的表面。

3.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物选自纳米金属氧化物；

4.根据权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物选自ZnO、TiO2、SnO2、BaO、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO、AlZnO、...

【技术特征摘要】

1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括经卤化铋修饰的金属氧化物，所述卤化铋的铋离子连接于所述金属氧化物的表面。

2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料为经卤化铋修饰的金属氧化物，所述卤化铋的铋离子连接于所述金属氧化物的表面。

3.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物选自纳米金属氧化物；

4.根据权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物选自zno、tio2、sno2、bao、ta2o3、zro2、tilio、zngao、znalo、znmgo、znsno、znlio、insno、alzno、znocl、znof或znmglio中的至少一种；

5.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述卤化铋选自三氯化铋、三溴化铋、三碘化铋或三氟化铋中的至少一种。

6.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物：所述卤化铋的质...

【专利技术属性】
技术研发人员：李龙基，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：