【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、本公开一般涉及数据存储，并且更具体地涉及非易失性存储器系统。更具体地，本公开涉及包括镜像的写入高速缓存的非易失性存储器系统，镜像的写入高速缓存在易失性和非易失性存储器两者中缓冲主机写入数据。
2、nand闪存是电可编程且可擦除的非易失性存储器技术，该技术将每存储器单元的一个或多个数据位存储为晶体管或类似电荷陷阱结构的浮置栅极上的电荷。在典型的实现方式中，nand闪存阵列被组织在存储器的物理块(也称为“擦除块”)中，每个物理块包括多个物理页，每个物理页依次包含多个存储单元。借助于用于访问存储器单元的字线和位线的布置，通常可以以页为基础对闪存阵列进行编程，但是以块为基础对闪存阵列进行擦除。
3、如本领域中已知的，nand闪存的块必须在被编程有新的数据之前被擦除。通过向选中的块的p阱体区施加高正擦除电压脉冲并且通过将要被擦除的存储单元的所有字线偏压至接地来擦除nand闪存单元的块。擦除脉冲的施加促进电子隧穿离开被偏置到接地的存储单元的浮置栅极以给予它们净正电荷，并且因此将存储单元的电压阈值朝向擦除状态转...
【技术保护点】
1.一种在提供大容量非易失性存储器中的存储的数据存储系统中的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中：
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述条目中记录包括在所述条目中记录所述第二写入高速缓存中的主机写入数据的第三位置。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述大容量非易失性存储器包括所述第一写入高速缓存。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：<...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种在提供大容量非易失性存储器中的存储的数据存储系统中的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中：
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述条目中记录包括在所述条目中记录所述第二写入高速缓存中的主机写入数据的第三位置。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述大容量非易失性存储器包括所述第一写入高速缓存。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：
9.一种数据存储系统，包括：
10.根据权利要求9所述的数据存储系统，其中，所述控制器还被配置为执行：
11.根据权利要求9所述的数据存储系统，其中：
12.根据权利要求9所述的数据存储系统，其中，所述控制器还被配置为执行：
13.根据权利要求9所述的数据存储系统，其中，所述控制器还被配置为执行：
14.根据权利要求13所述的数据存储系统，其中，在所述条目...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·普莱特卡，T·费舍尔，A·扬尼斯，N·帕潘德里欧，R·斯托伊卡，C·波兹迪斯，N·约安努，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
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