【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及电路领域，尤其涉及一种电压检测电路和芯片。
技术介绍
1、在模拟射频系统中，经常使用不同的电源域的电源电压信号，并且根据不同的电源电压信号的电压值，控制电路工作在不同的状态和速度下。
2、具体地，采用电压检测电路获取具有不同电源域的电源电压信号之间的比较关系，并根据所获取的不同电源域的电源电压信号之间的比较关系生成对应的控制信号，以控制电路工作在对应的状态下。
3、目前，电压检测电路通常采用将不同电源域的电源电压信号进行分压，再将分压信号进行比较的方式，获取不同电源域的电源电压信号之间的比较关系，存在着功耗较高的问题，降低了电压检测电路的性能。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种电压检测电路和芯片，能够降低电压检测电路的功耗，提升电压检测电路的性能。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种电压检测电路，包括：
3、比较电压产生单元，耦接于第二电源电压信号与地电压信号之间，适于接收第一电源电压信号和所述第二电源电压信号，并基于所述第二电源电压信号与所述第一电源电压信号之间的关系，生成对应的比较电压信号；还适于在所述第二电源电压信号的电压小于所述第一电源电压信号的电压时，切断位于所述第二电源电压信号与所述地电压信号之间的直流通路；在所述第二电源电压信号的电压大于所述第一电源电压信号的电压时，使得位于所述第二电源电压信号与所述地电压信号之间的直流通路中的直流电流小于预设值；
4、数
5、可选地，所述比较电压产生单元包括第一晶体管、第二晶体管和第一电阻；
6、所述第一晶体管的栅端用于接收所述第一电源电压信号，所述第一晶体管的源端用于接收所述第二电源电压信号，所述第一晶体管的漏端与所述第一电阻的第一端耦接，且作为所述比较电压产生单元的输出节点或与所述比较电压产生单元的输出节点耦接；
7、所述第二晶体管的栅端用于接收预设的使能信号，所述第二晶体管的源端用于接收所述地电压信号，所述第二晶体管的漏端与所述第一电阻的第二端耦接。
8、可选地，在所述第二电源电压信号的电压大于所述第一电源电压信号的电压时，位于所述第二电源电压信号与所述地电压信号之间的直流通路中的直流电流与所述第二电源电压信号的电压、所述第一晶体管的导通电阻值、所述第二晶体管的导通电阻值和所述第一电阻的电阻值相关。
9、可选地，所述第一晶体管为pmos晶体管。
10、可选地，所述第二晶体管为nmos晶体管。
11、可选地，所述数字信号转换单元包括：
12、第一数字逻辑模块，与所述比较电压产生单元耦接，适于在所述第二电源电压信号的电压小于所述第一电源电压信号的电压时，对所述比较电压信号进行下拉和反相处理，生成第一输出数字信号；在所述第二电源电压信号的电压大于所述第一电源电压信号的电压时，对所述比较电压信号进行上拉和反相处理，生成第二输出数字信号；
13、第二数字逻辑模块，与所述第一数字逻辑模块耦接，适于将所述第一输出数字信号或第二输出数字信号进行反相处理，生成对应的数字信号。
14、可选地，所述第一数字逻辑模块包括第二电阻、第三晶体管、第四晶体管和第一反相器；
15、所述第二电阻的第一端与所述第一反相器的输入节点耦接，用于作为所述第一数字逻辑模块的输入节点或与所述第一数字逻辑模块的输入节点耦接，所述第二电阻的第二端与所述第三晶体管的漏端耦接；
16、所述第三晶体管的栅端与所述第一反相器的输出节点耦接，用于作为所述第一数字逻辑模块的输出节点或与所述第一数字逻辑模块的输出节点耦接，所述第三晶体管的源端与所述第四晶体管的漏端耦接；
17、所述第四晶体管的栅端用于接收预设的使能信号，所述第四晶体管的源端用于接收所述地电压信号。
18、可选地，所述第三晶体管为nmos晶体管。
19、可选地，所述第四晶体管为nmos晶体管。
20、可选地，所述第一反相器为施密特反相器。
21、可选地，所述第二数字逻辑模块包括第二反相器；
22、所述第二反相器的输入节点用于接收所述第一输出数字信号，所述第二反相器的输出节点作为所述第二数字逻辑模块的输出节点或与所述第二数字逻辑模块的输出节点耦接。
23、可选地，所述第二反相器为施密特反相器。
24、相应地，本专利技术实施例还提供了一种芯片，包括如上述任一项所述的电压检测电路。
25、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
26、本专利技术实施例提供了一种电压检测电路，包括：比较电压产生单元，耦接于第二电源电压信号与地电压信号之间，适于接收第一电源电压信号和所述第二电源电压信号，并基于所述第二电源电压信号与所述第一电源电压信号之间的关系，生成对应的比较电压信号；还适于在所述第二电源电压信号的电压小于所述第一电源电压信号的电压时，切断位于所述第二电源电压信号与所述地电压信号之间的直流通路；在所述第二电源电压信号的电压大于所述第一电源电压信号的电压时，使得位于所述第二电源电压信号与所述地电压信号之间的直流通路中的直流电流小于预设值；数字信号转换单元，与所述比较电压产生单元耦接，适于接收所述比较电压信号，将所述比较电压信号转换为对应的数字信号并输出。
27、本专利技术实施例提供的电压检测电路采用所述比较电压产生单元接收第一电源电压信号和所述第二电源电压信号，并基于所述第二电源电压信号与所述第一电源电压信号之间的关系，生成对应的比较电压信号，并在所述第二电源电压信号的电压小于所述第一电源电压信号的电压时，切断位于所述第二电源电压信号与所述地电压信号之间的直流通路；在所述第二电源电压信号的电压大于所述第一电源电压信号的电压时，使得位于所述第二电源电压信号与所述地电压信号之间的直流通路中的直流电流小于预设值，能够降低电压检测电路的功耗，提升电压检测电路的性能。
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1.一种电压检测电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电压检测电路，其特征在于，所述比较电压产生单元包括第一晶体管、第二晶体管和第一电阻；
3.如权利要求2所述的电压检测电路，其特征在于，在所述第二电源电压信号的电压大于所述第一电源电压信号的电压时，位于所述第二电源电压信号与所述地电压信号之间的直流通路中的直流电流与所述第二电源电压信号的电压、所述第一晶体管的导通电阻值、所述第二晶体管的导通电阻值和所述第一电阻的电阻值相关。
4.如权利要求2所述的电压检测电路，其特征在于，所述第一晶体管为PMOS晶体管。
5.如权利要求2所述的电压检测电路，其特征在于，所述第二晶体管为NMOS晶体管。
6.如权利要求1-5任一项所述的电压检测电路，其特征在于，所述数字信号转换单元包括：
7.如权利要求6所述的电压检测电路，其特征在于，所述第一数字逻辑模块包括第二电阻、第三晶体管、第四晶体管和第一反相器；
8.如权利要求7所述的电压检测电路，其特征在于，所述第三晶体管为NMOS晶体管。
9.如
10.如权利要求7所述的电压检测电路，其特征在于，所述第一反相器为施密特反相器。
11.如权利要求6所述的电压检测电路，其特征在于，所述第二数字逻辑模块包括第二反相器；
12.如权利要求11所述的电压检测电路，其特征在于，所述第二反相器为施密特反相器。
13.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1-12任一项所述的电压检测电路。
...【技术特征摘要】
1.一种电压检测电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电压检测电路，其特征在于，所述比较电压产生单元包括第一晶体管、第二晶体管和第一电阻；
3.如权利要求2所述的电压检测电路，其特征在于，在所述第二电源电压信号的电压大于所述第一电源电压信号的电压时，位于所述第二电源电压信号与所述地电压信号之间的直流通路中的直流电流与所述第二电源电压信号的电压、所述第一晶体管的导通电阻值、所述第二晶体管的导通电阻值和所述第一电阻的电阻值相关。
4.如权利要求2所述的电压检测电路，其特征在于，所述第一晶体管为pmos晶体管。
5.如权利要求2所述的电压检测电路，其特征在于，所述第二晶体管为nmos晶体管。
6.如权利要求1-5任一项所述的电压检测电路，其特征在于，所...
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