【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电磁仿真，尤其涉及应用fdtd中非均匀网格的二阶精确插值方法。
技术介绍
1、在电磁仿真中，时域有限差分方法中的非均匀网格通常用于精细结构的解析，它可以减少计算域，从而降低计算成本。然而，对于部分填充的平行板波导和谐振器等高精度问题，使用不同的网格尺寸会增加不同网格尺寸域边界处的截断误差。为了解决这一问题，本专利技术提出了互补导数方法(cdm)。理论讨论和数值结果表明，cdm可以在整个计算域内保持二阶精度；
2、在以往的算法中，有许多减少网格边界截断误差的不同方法。s.xiao等人引入了两种方法来保持二阶精度：一种方法是在两个区域之间使用适当的网格比例来获得中心有限差分；另一种方法采用连续可变晶格尺寸的通用分级方案，但该方法的有效性尚未得到证实。h.jiang通过在细网格和粗网格之间插入磁场分量来提高计算精度，但不能保证二阶精度。t.namiki在边界处采用高阶隐式格式来减小截断误差。m.okoniewski引入了一种数值推导的三维子网格方案，但对其潜力没有理论限制。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺陷，而提出的应用fdtd中非均匀网格的二阶精确插值方法。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
3、一种应用fdtd中非均匀网格的二阶精确插值方法，包括以下步骤：
4、步骤1：构建一个由两个区域组成的计算域，单元格的大小在界面处从δ变为δr＝δ'，边界作为区域之间的接口；
...【技术保护点】
1.一种应用FDTD中非均匀网格的二阶精确插值方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的应用FDTD中非均匀网格的二阶精确插值方法，其特征在于，步骤1中，具体的：电场和磁场沿轴线的排列，单元格的大小在界面处从Δ变为ΔR＝Δ'；
3.根据权利要求1所述的应用FDTD中非均匀网格的二阶精确插值方法，其特征在于，在步骤2中，采用步骤1中同样的方法求磁场的导数H'(x0)，其中：
4.根据权利要求3所述的应用FDTD中非均匀网格的二阶精确插值方法，其特征在于，在步骤3中，利用互补导数算法具体为：
5.根据权利要求4所述的应用FDTD中非均匀网格的二阶精确插值方法，其特征在于，确定缩减因子的步骤流程具体为：
【技术特征摘要】
1.一种应用fdtd中非均匀网格的二阶精确插值方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的应用fdtd中非均匀网格的二阶精确插值方法，其特征在于，步骤1中，具体的：电场和磁场沿轴线的排列，单元格的大小在界面处从δ变为δr＝δ'；
3.根据权利要求1所述的应用fdtd中非均匀网格的二阶精确插值方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁从敏，闻轶凡，
申请(专利权)人：上海慕灿信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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