【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种可对任一电压节点进行快速放电的电子电路，特别是有关于一种在电源系统关机时主动对输出电压进行放电的电子电路。
技术介绍
1、由于电源系统在产生输出电压时，往往都会利用电容来提升输出电压的稳定性，尤其当输出电压是为直流电压时，较大的电容有助于降低输出电压的涟波。然而，当电源系统关机后，由于大电容需要较长的放电时间的关系，往往使得输出电压放电至零的速度较为缓慢。
2、此外，现实中偶尔发生使用者因输出电压的放电速度不够快而误认为电源系统并未正常关机或电源系统发生异常，而造成使用者体验不佳，甚至引发抱怨与客诉。此外，以往放电电路的设计需要经由较多的信号来做判断，因此需要较多元件来实现。为了提升使用者体验且减少后续客户服务的负担，有必要针对电源系统关机后的输出电压的放电速度进行优化，同时减少放电电路所需元件以降低成本。
技术实现思路
1、本专利技术在此提出主动对输出电压进行放电的电子电路，当电源系统关机后，本专利技术所提出的电子电路能够快速的将输出电压放电至接地位准，使得使用者不再因为输出电压的放电速度不够快而误以为电源系统并未正常关机或电源系统发生异常，进而提升使用者的使用体验。此外，本专利技术提出的电子电路只须经由单一信号来分压判断即可实现，只需较少元件即可实现，进而降低成本。
2、有鉴于此，本专利技术提出一种电子电路，包括一分压电路、一比较电路以及一开关。上述分压电路将一输出电压分压，而产生一第一电压。当上述第一电压不大于一参考电压时，上述比
3、根据本专利技术的一实施例，上述电子电路更包括一第一二极管、一第一电阻以及一第二电阻。上述第一二极管包括一第一阳极端以及一第一阴极端，其中上述第一阳极端耦接至上述输出电压，上述第一阴极端耦接至一第一节点，其中上述输出电压经上述第一二极管而于上述第一节点产生一内部电压。上述第一二极管更包括一顺向导通电压，上述内部电压等于上述输出电压减去上述顺向导通电压。上述第一电阻耦接于上述第一节点以及上述执行电压之间。上述第二电阻耦接于上述第一开关的控制端以及一接地端之间。
4、根据本专利技术的一实施例，上述比较电路包括一电压产生电路、一第二开关以及一比较器。上述电压产生电路用以产生上述参考电压。上述第二开关根据一比较电压而产生上述执行电压。上述比较器比较上述第一电压以及上述参考电压而产生上述比较电压。
5、根据本专利技术的一实施例，上述第二开关包括一npn晶体管。上述npn晶体管包括一基极端、一集极端以及一射极端，其中上述基极端接收上述比较电压，上述集极端耦接至上述执行电压，上述射极端耦接至上述接地端。
6、根据本专利技术的一实施例，当上述第一电压大于上述参考电压时，上述比较电压导通上述npn晶体管而使上述执行电压是为一低电压位准，上述第一电阻用以限制流经上述npn晶体管的电流，其中上述第一开关根据上述执行电压而不导通。
7、根据本专利技术的一实施例，当上述第一电压不大于上述参考电压时，上述比较电压不导通上述npn晶体管而使上述执行电压是为一高电压位准，上述第一电阻以及上述第二电阻将上述内部电压分压而产生上述执行电压，其中上述第一开关根据上述执行电压而导通。
8、根据本专利技术的一实施例，上述电子电路更包括一齐纳二极管。上述齐纳二极管包括一第二阳极端以及一第二阴极端，其中上述第二阳极端耦接至上述第一开关的控制端，上述第二阴极端耦接至上述执行电压。上述齐纳二极管更包括一逆向导通电压。
9、根据本专利技术的一实施例，当上述执行电压是为上述低电压位准时，上述执行电压是大于上述接地端的电压位准且小于上述逆向导通电压而不导通上述齐纳二极管，并且上述第二电阻将上述第一开关的控制端耦接至上述接地端而不导通上述第一开关。
10、根据本专利技术的一实施例，当上述执行电压是为上述高电压位准时，上述执行电压是由上述内部电压、上述第一电阻、上述第二电阻以及上述逆向导通电压所决定。
11、根据本专利技术的一实施例，上述电子电路更包括一第一电容以及一第二电容。上述第一电容耦接于上述第一节点以及上述接地端之间。上述第二电容耦接于上述执行电压以及上述接地端之间。
12、根据本专利技术的一实施例，当上述输出电压进行放电时，上述第一电容用以维持上述内部电压，上述第二电容用以维持上述执行电压，以延长上述输出电压的放电时间。
13、根据本专利技术的另一实施例，上述比较电路包括一电压产生电路、一n型晶体管以及一比较器。上述电压产生电路用以产生上述参考电压。上述n型晶体管根据一比较电压而将上述执行电压耦接至上述接地端，上述执行电压直接提供至上述第一开关的控制端。上述比较器比较上述第一电压以及上述参考电压而产生上述比较电压。
14、根据本专利技术的一实施例，当上述第一电压大于上述参考电压时，上述比较电压导通上述n型晶体管，且上述n型晶体管将上述执行电压耦接至上述接地端。上述第一电阻用以限制流经上述n型晶体管的电流，且上述第一开关基于上述执行电压而不导通。
15、根据本专利技术的一实施例，当上述第一电压不大于上述参考电压时，上述比较电压不导通上述n型晶体管，上述第一电阻以及上述第二电阻将上述内部电压分压而产生上述执行电压，上述第一开关基于上述执行电压而导通。
16、根据本专利技术的一实施例，上述电子电路更包括一第三电阻。上述第三电阻耦接于上述输出电压以及上述第一开关之间，其中上述第三电阻用以对输出上述电压进行放电且限制上述输出电压经上述第一开关放电至一接地端的电流。
17、根据本专利技术的一实施例，上述分压电路包括一第四电阻以及一第五电阻。上述第四电阻耦接于上述输出电压以及上述第一电压之间。上述第五电阻耦接于上述第一电压以及一接地端之间。
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1.一种电子电路，包括：
2.如权利要求1所述的电子电路，更包括：
3.如权利要求2所述的电子电路，其中上述比较电路包括：
4.如权利要求3所述的电子电路，其中上述第二开关包括：
5.如权利要求4所述的电子电路，其中当上述第一电压大于上述参考电压时，上述比较电压导通上述NPN晶体管而使上述执行电压是为一低电压位准，上述第一电阻用以限制流经上述NPN晶体管的电流，其中上述第一开关根据上述执行电压而不导通。
6.如权利要求5所述的电子电路，其中当上述第一电压不大于上述参考电压时，上述比较电压不导通上述NPN晶体管而使上述执行电压是为一高电压位准，上述第一电阻以及上述第二电阻将上述内部电压分压而产生上述执行电压，其中上述第一开关根据上述执行电压而导通。
7.如权利要求6所述的电子电路，更包括：
8.如权利要求7所述的电子电路，其中当上述执行电压是为上述低电压位准时，上述执行电压是大于上述接地端的电压位准且小于上述逆向导通电压而不导通上述齐纳二极管，并且上述第二电阻将上述第一开关的控制端耦接至上述接地端而
9.如权利要求7所述的电子电路，其中当上述执行电压是为上述高电压位准时，上述执行电压是由上述内部电压、上述第一电阻、上述第二电阻以及上述逆向导通电压所决定。
10.如权利要求2所述的电子电路，更包括：
11.如权利要求10所述的电子电路，其中当上述输出电压进行放电时，上述第一电容用以维持上述内部电压，上述第二电容用以维持上述执行电压，以延长上述输出电压的放电时间。
12.如权利要求2所述的电子电路，其中上述比较电路包括：
13.如权利要求12所述的电子电路，其中当上述第一电压大于上述参考电压时，上述比较电压导通上述N型晶体管，且上述N型晶体管将上述执行电压耦接至上述接地端，其中上述第一电阻用以限制流经上述N型晶体管的电流，且上述第一开关基于上述执行电压而不导通。
14.如权利要求12所述的电子电路，其中当上述第一电压不大于上述参考电压时，上述比较电压不导通上述N型晶体管，上述第一电阻以及上述第二电阻将上述内部电压分压而产生上述执行电压，上述第一开关基于上述执行电压而导通。
15.如权利要求1所述的电子电路，更包括：
16.如权利要求1所述的电子电路，其中上述分压电路包括：
...【技术特征摘要】
1.一种电子电路，包括：
2.如权利要求1所述的电子电路，更包括：
3.如权利要求2所述的电子电路，其中上述比较电路包括：
4.如权利要求3所述的电子电路，其中上述第二开关包括：
5.如权利要求4所述的电子电路，其中当上述第一电压大于上述参考电压时，上述比较电压导通上述npn晶体管而使上述执行电压是为一低电压位准，上述第一电阻用以限制流经上述npn晶体管的电流，其中上述第一开关根据上述执行电压而不导通。
6.如权利要求5所述的电子电路，其中当上述第一电压不大于上述参考电压时，上述比较电压不导通上述npn晶体管而使上述执行电压是为一高电压位准，上述第一电阻以及上述第二电阻将上述内部电压分压而产生上述执行电压，其中上述第一开关根据上述执行电压而导通。
7.如权利要求6所述的电子电路，更包括：
8.如权利要求7所述的电子电路，其中当上述执行电压是为上述低电压位准时，上述执行电压是大于上述接地端的电压位准且小于上述逆向导通电压而不导通上述齐纳二极管，并且上述第二电阻将上述第一开关的控制端耦接至上述接地端而不导通上述第一开关。
9.如权利要求7所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡名阳，丘建荣，
申请(专利权)人：光宝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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