本发明专利技术提供一种保存稳定性优异的清洗组合物、半导体基板的清洗方法及半导体元件的制造方法。本发明专利技术的清洗组合物包含多元羧酸、螯合剂、具有碳原子数9～18的烷基的磺酸及水，多元羧酸相对于螯合剂的质量比为10～200，多元羧酸相对于磺酸的质量比为70～1000，该清洗组合物的pH为0.10～4.00，导电率为0.08～11.00mS/cm。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种清洗组合物、半导体基板的清洗方法及半导体元件的制造方法。
技术介绍
1、以去除异物等目的，清洗组合物使用于各领域中。例如，在半导体领域中，使用于以下用途中。
2、ccd(charge-coupled device：电荷耦合器件)及存储器等半导体元件是使用光刻法技术，在基板上形成精细的电子电路图案来制造。具体而言，在基板上，在具有成为配线材料的金属膜、蚀刻停止层及层间绝缘层的层叠体上形成抗蚀剂膜，实施光刻法工序及干式蚀刻工序(例如，等离子蚀刻处理等)，由此制造半导体元件。
3、在半导体元件的制造中，有时进行使用包含研磨微粒(例如，二氧化硅及氧化铝等)的研磨浆料，使具有金属配线膜、阻挡金属及绝缘膜等的半导体基板表面平坦化的化学机械研磨(cmp：chemical mechanical polishing(化学机械抛光))处理。在cmp处理中，源自cmp处理中使用的研磨微粒、经研磨的配线金属膜和/或阻挡金属等的金属成分容易残留在研磨后的半导体基板表面。这些残留物可以使配线之间短路，并且影响到半导体的电特性，因此通常进行从半导体基板的表面去除这些残留物的清洗工序。
4、作为清洗工序中所使用的清洗组合物，例如，在专利文献1中，公开有“用于在化学机械研磨后使用的清洗用组合物，其特征在于，含有具有交联结构的有机聚合物粒子(a)及表面活性剂(b)。”。
5、以往技术文献
6、专利文献
7、专利文献1：日本特开2005-255983号公报
>技术实现思路1、专利技术要解决的技术课题
2、本专利技术人对专利文献1等中所记载的清洗组合物进行研究的结果，发现保存稳定性劣化。
3、例如，本专利技术人将专利文献1中所述的清洗组合物经保存一定期间之后，使用所得到的清洗组合物，对包括施加了cmp处理的金属膜的半导体基板的清洗性能及防腐性能进行了研究。其结果，发现随时间保存时间越长，清洗组合物的清洗性能及防腐性能的至少一种劣化。
4、以下，保存稳定性优异是指，使清洗组合物经一定期间保存之后的清洗性能及防腐性能均优异。
5、本专利技术的课题在于，提供一种保存稳定性优异的清洗组合物。
6、并且，本专利技术的课题在于，还提供一种半导体基板的清洗方法及半导体元件的制造方法。
7、用于解决技术课题的手段
8、本专利技术人发现了通过以下结构能够解决上述课题。
9、〔1〕
10、一种清洗组合物，其包含多元羧酸、螯合剂、具有碳原子数9～18的烷基的磺酸及水，
11、上述多元羧酸相对于上述螯合剂的质量比为10～200，
12、上述多元羧酸相对于上述磺酸的质量比为70～1000，
13、所述清洗组合物的ph为0.10～4.00，
14、所述清洗组合物的导电率为0.08～11.00ms/cm。
15、〔2〕
16、根据〔1〕所述的清洗组合物，其中，
17、上述多元羧酸包含具有2～3个羧基的多元羧酸。
18、〔3〕
19、根据〔1〕或〔2〕所述的清洗组合物，其中，
20、上述多元羧酸进一步包含具有羟基的多元羧酸。
21、〔4〕
22、根据〔1〕至〔3〕中任一项所述的清洗组合物，其中，
23、上述多元羧酸包含柠檬酸。
24、〔5〕
25、根据〔1〕至〔4〕中任一项所述的清洗组合物，其中，
26、上述多元羧酸的含量相对于清洗组合物的总质量为0.1～35质量％。
27、〔6〕
28、根据〔1〕至〔5〕中任一项所述的清洗组合物，其中，
29、上述磺酸为烷基苯磺酸。
30、〔7〕
31、根据〔1〕至〔6〕中任一项所述的清洗组合物，其中，
32、上述磺酸具有碳原子数10～13的烷基中的任意种。
33、〔8〕
34、根据〔1〕至〔7〕中任一项所述的清洗组合物，其中，
35、上述磺酸包含具有碳原子数10的烷基的烷基苯磺酸a，具有碳原子数11的烷基的烷基苯磺酸b，具有碳原子数12的烷基的烷基苯磺酸c及具有碳原子数13的烷基的烷基苯磺酸d。
36、〔9〕
37、根据〔8〕所述的清洗组合物，其中，
38、上述烷基苯磺酸b的含量相对于上述烷基苯磺酸a～d的总质量为20～50质量％。
39、〔10〕
40、根据〔1〕至〔9〕中任一项所述的清洗组合物，其中，
41、上述螯合剂具有膦酸基。
42、〔11〕
43、根据〔1〕至〔10〕中任一项所述的清洗组合物，其中，
44、上述多元羧酸相对于上述螯合剂的质量比为30～100。
45、〔12〕
46、根据〔1〕至〔11〕中任一项所述的清洗组合物，其中，
47、上述多元羧酸相对于上述磺酸的质量比为70～600。
48、〔13〕
49、根据〔1〕至〔12〕中任一项所述的清洗组合物，其中，
50、其进一步包含磷酸离子，
51、上述磷酸离子的含量相对于清洗组合物的总质量为0.001～1.0质量％。
52、〔14〕
53、一种半导体基板的清洗方法，其中，
54、使用〔1〕至〔13〕中任一项所述的清洗组合物清洗半导体基板。
55、〔15〕
56、一种半导体元件的制造方法，其包括〔14〕所述的半导体基板的清洗方法。
57、专利技术效果
58、根据本专利技术，能够提供一种保存稳定性优异的清洗组合物。
59、并且，根据本专利技术，还能够提供一种半导体基板的清洗方法及半导体元件的制造方法。
本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种清洗组合物，其包含多元羧酸、螯合剂、具有碳原子数9～18的烷基的磺酸及水，
2.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，
3.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，
4.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，
5.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，
6.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，
7.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，
8.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，
9.根据权利要求8所述的清洗组合物，其中，
10.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，
11.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，
12.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，
13.根据权利要求1所述的清洗组合物，其进一步包含磷酸离子，
14.一种半导体基板的清洗方法，其中，
15.一种半导体元件的制造方法，其包括权利要求14所述的半导体基板的清洗方法。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种清洗组合物，其包含多元羧酸、螯合剂、具有碳原子数9～18的烷基的磺酸及水，
2.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，
3.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，
4.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，
5.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，
6.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，
7.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，
8.根据权利要求1所述的清洗组...
【专利技术属性】
技术研发人员：室祐继，稻叶正，上村哲也，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。