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用于扩展的等离子体约束的设备和方法技术

技术编号:40168210 阅读:7 留言:0更新日期:2024-01-26 23:39
提供了用于利用各种电极和阀配置的等离子体约束的方法和系统。在一个实例中,一种装置包含:第一电极,所述第一电极定位成限定加速体积的外边界;第二电极,所述第二电极相对于所述第一电极同轴地布置且定位成限定所述加速体积的内边界;至少一个电源,所述至少一个电源用以沿着所述第一电极与所述第二电极之间的Z箍缩等离子体柱驱动电流;以及一组阀,所述一组阀向所述加速体积提供气体以为所述Z箍缩等离子体柱提供燃料,其中所述电流的电子流在从所述第二电极到所述第一电极的第一方向上。在附加或替代实例中,塑形部分导电地连接到所述第二电极,以在所述气体存在的情况下引起所述气体的气体击穿以产生剪切流速剖面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍

1、除非本文中另外指出,否则本章节中公开的叙述不被视为本申请中的权利要求的现有技术,并且不通过包含在本章节中而被承认为现有技术。

2、核聚变是两个原子核结合的过程。如果原子序数小于26[即,原子序数低于铁(fe)]的元素的两个原子核融合,那么释放能量。能量的释放是由于反应物与聚变反应的产物(例如,在高温聚变等离子体反应器中)之间的轻微质量差,如由表达式e=mc2所控制。

3、核聚变有望提供比一些现有能量来源更有效的无限能量和更易于管理的废产物。

4、在等离子体反应持续很长时间的情况下,聚变等离子体中的受控核聚变可能因快速增长的等离子体不稳定性而受到阻碍。通过研究不同的等离子体约束方法,继续寻求这种受控核聚变的可行方法(下文也称为“受控聚变”或简称“聚变”,作为指示核聚变相关特征和/或性质的名词或形容词)。这些方法在不同的科学成熟度水平上都具有明显的优势。


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种装置,包括:

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述电流的电子流是从所述第二电极到所述第一电极。

3.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述塑形部分并入有至少一个导电环,所述至少一个导电环包括电连接到所述第二电极的外表面的至少一个接触表面。

4.根据权利要求3所述的装置,其中所述至少一个导电环并入有与所述第二电极的导体化学地且热机械地相容的导电材料,且所述至少一个塑形部分的面向等离子体的部分并入有至少一种耐火金属。

5.根据权利要求4所述的装置,其中所述至少一种耐火金属包括W、Ta、Nb、Mo、Re、Ti、V、Cr、Mn、Zr、Tc、Ru、Rh、Hf、Os、Ir中的一种或多种或任何一种或多种前述金属的合金。

6.根据权利要求4和5中任一项所述的装置,其中所述面向等离子体的部分并入有至少一种导电形式的碳,所述至少一种导电形式的碳包括石墨、烧结碳粉末、压制碳粉末、碳纤维或碳纳米管结合结构中的一种或多种。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的装置,其中所述面向等离子体的部分含有至少一个纹理化表面,所述至少一个纹理化表面形成为并入有多个局部凹形元件,所述多个局部凹形元件形成结构化阵列以增强局部电场且促进电子场发射。

8.根据权利要求7所述的装置,其中所述至少一个纹理化表面已通过机械处理而形成,所述机械处理包括切割、刮擦、砂磨、喷砂、开槽、刻花、平茬、压花或滚花中的一种或多种。

9.根据权利要求7和8中任一项所述的装置,其中所述至少一个纹理化表面已通过化学处理而形成,所述化学处理包括蚀刻、化学沉积、喷涂、溅射、离子和中性注入或外延生长中的一种或多种。

10.根据权利要求1所述的装置,其中所述一组阀还包括至少一个等离子体注入器,以向所述加速体积提供电离气体以进一步为所述Z箍缩等离子体柱提供燃料。

11.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述第二电极并入有圆锥形电极表面,所述圆锥形电极表面布置成增强在所述第一电极和所述第二电极的轴向方向上向离子和中性粒子的动量传递。

12.根据前述权利要求中任一项所述的装置,还包括第三电极,所述第三电极布置在所述第一电极与所述第二电极之间且相对于所述第一电极和所述第二电极同轴地布置,其中所述第三电极表现出锥形电极配置且并入有圆锥形电极表面,所述圆锥形电极表面布置成增强在所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极的轴向方向上向离子和中性粒子的动量传递。

13.一种方法,包括:

14.根据权利要求13所述的方法,启用一个或多个等离子体注入器以将轴对称体积的电离气体引入到所述加速体积中。

15.根据权利要求14所述的方法,其中在形成所述Z箍缩等离子体柱之后引入所述轴对称体积的所述电离气体以补充所述轴对称体积的所述中性气体。

16.根据权利要求13至15中任一项所述的方法,其中所述内电极是阳极,且所述外电极是阴极。

17.一种等离子体约束系统,包括:

18.根据权利要求17所述的等离子体约束系统,其中所述内电极和所述外电极定界所述中性气体由所述一个或多个第一阀所引导到的加速体积。

19.根据权利要求17所述的等离子体约束系统,还包括中间电极,

20.根据权利要求17至19中任一项所述的等离子体约束系统,还包括一个或多个第二阀,所述一个或多个第二阀流体地联接到所述燃料气体供应源且配置成引导来源于所述燃料气体供应源的足够电离气体以在所述Z箍缩放电的所述持续时间期间维持所述剪切速度等离子体流。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种装置,包括:

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述电流的电子流是从所述第二电极到所述第一电极。

3.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述塑形部分并入有至少一个导电环,所述至少一个导电环包括电连接到所述第二电极的外表面的至少一个接触表面。

4.根据权利要求3所述的装置,其中所述至少一个导电环并入有与所述第二电极的导体化学地且热机械地相容的导电材料,且所述至少一个塑形部分的面向等离子体的部分并入有至少一种耐火金属。

5.根据权利要求4所述的装置,其中所述至少一种耐火金属包括w、ta、nb、mo、re、ti、v、cr、mn、zr、tc、ru、rh、hf、os、ir中的一种或多种或任何一种或多种前述金属的合金。

6.根据权利要求4和5中任一项所述的装置,其中所述面向等离子体的部分并入有至少一种导电形式的碳,所述至少一种导电形式的碳包括石墨、烧结碳粉末、压制碳粉末、碳纤维或碳纳米管结合结构中的一种或多种。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的装置,其中所述面向等离子体的部分含有至少一个纹理化表面,所述至少一个纹理化表面形成为并入有多个局部凹形元件,所述多个局部凹形元件形成结构化阵列以增强局部电场且促进电子场发射。

8.根据权利要求7所述的装置,其中所述至少一个纹理化表面已通过机械处理而形成,所述机械处理包括切割、刮擦、砂磨、喷砂、开槽、刻花、平茬、压花或滚花中的一种或多种。

9.根据权利要求7和8中任一项所述的装置,其中所述至少一个纹理化表面已通过化学处理而形成,所述化学处理包括蚀刻、化学沉积、喷涂、溅射、离子和中性注入或外延生长中的一种或多种。

10.根据权利要求1所述的装置,其中所述一组阀还包括至少一个等...

【专利技术属性】
技术研发人员:U·舒姆拉克B·A·纳尔逊E·T·迈耶
申请(专利权)人:Zap能源公司
类型:发明
国别省市:

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