一种用于光电催化产氢的ZnO-CuInS2-NiOOH复合薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开一种用于光电催化产氢的ZnO‑CuInS<subgt;2</subgt;‑NiOOH复合薄膜的制备方法。本发明专利技术包括以下步骤：首先配制ZnO溶胶，采用浸渍提拉法和水浴法制备ZnO种子层和ZnO薄膜；然后采用连续离子层吸附反应法制备ZnO‑CuInS<subgt;2</subgt;薄膜；最后采用光电沉积法制备ZnO‑CuInS<subgt;2</subgt;‑NiOOH薄膜。本发明专利技术所获得的ZnO‑CuInS<subgt;2</subgt;‑NiOOH复合薄膜，经测试后发现ZnO‑CuInS<subgt;2</subgt;‑NiOOH对可见光的吸收有所改善，光电催化产氢性能有所提高。本发明专利技术提供的制备方法简单易操作，具有实际的可行性，且制备的ZnO‑CuInS<subgt;2</subgt;‑NiOOH复合薄膜成本低，无污染，光电催化产氢性能良好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电催化，具体涉及一种用于光电催化产氢的zno-cuins2-niooh复合薄膜的制备方法。

技术介绍

1、传统的石油和化石能源的消费引起了地球温暖化、环境污染和能源短缺等问题，是当前人类所面临的重大挑战。在此背景下，以低能耗、低污染为基础的“低碳经济”正成为全球关心和研究的热点。氢气作为一种高效清洁的二次能源载体，被誉为“未来的石油”。因此，开发无污染、低成本的制氢技术日益受到各国的高度关注。自从1972年fujishima和honda发现tio2在光照下分解水产生氢气的现象以来，半导体光电催化技术凭借其廉价、无二次污染、稳定性好等优点在人类利用太阳能解决当前能源危机和治理环境污染方面有着很大的应用前景。然而，要实现高效的光电催化产氢，半导体材料必须同时满足三个条件：(1)广泛的光响应；(2)快速的光生电子-空穴对分离；(3)良好的稳定性。在其他半导体材料中，zno由于与tio2性质相似而被广泛研究。zno的禁带宽度约为3.2ev，对太阳光的吸收利用仅限于紫外光，电子跃迁所需能量较大，光生电子-空穴对易复合。因此有必要对其进行针对性的改性来本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于光电催化产氢的ZnO-CuInS2-NiOOH复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的一种用于光电催化产氢的ZnO-CuInS2-NiOOH复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中的(1)的工艺参数为：

3.如权利要求1所述的一种用于光电催化产氢的ZnO-CuInS2-NiOOH复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中的(2)的工艺参数为：将所述步骤一的(1)中制得的ZnO溶胶采用浸渍提拉法制备ZnO种子层，以2℃/min升温至200℃保温30min，然后继续升温至450℃保温30-120min得到ZnO种子层。<...

【技术特征摘要】

1.一种用于光电催化产氢的zno-cuins2-niooh复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的一种用于光电催化产氢的zno-cuins2-niooh复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中的(1)的工艺参数为：

3.如权利要求1所述的一种用于光电催化产氢的zno-cuins2-niooh复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中的(2)的工艺参数为：将所述步骤一的(1)中制得的zno溶胶采用浸渍提拉法制备zno种子层，以2℃/min升温至200℃保温30min，然后继续升温至450℃保温30-120min得到zno种子层。

4.如权利要求1所述的一种用于光电催化产氢的zno-cuins2-niooh复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中的(3)的工艺参数为：

5.如权利要求1所述的一种用于光电催化产氢的zno-cuins2-niooh复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二中的(1)的工艺参数为：将0.02-0.04g氯化铜，0.04-0.06g氯化铟溶于20-30ml去离子水中，室温下磁力搅拌10-15min，滴加hci调节溶液ph值为1-3，配制得到溶液甲。

6.如权利要求1所述的一种用于光电催化产氢的zno-cuin...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨萃娜，张宇华，武军，赵磊，史纪村，刘志锋，
申请(专利权)人：新乡学院，
类型：发明
国别省市：