一种碳空位高熵碳化物(TiVNbMoW)Cx的制备方法技术

技术编号:40156340 阅读:27 留言:0更新日期:2024-01-26 23:32
本发明专利技术涉及一种碳空位高熵碳化物(TiVNbMoW)Cx的制备方法,是以Ti粉、V粉、Nb粉、Mo粉、W粉和碳粉作为原料,混合后加入少量乙醇,在氩气保护气氛中研磨得到混合粉末;再将所得混合粉末干燥后压制成型得到生坯,然后将生坯进行放电等离子烧结,自然冷却至室温,得到高熵碳化物陶瓷(Ti0.2V0.2Nb0.2Mo0.2W0.2)Cx(0.7≤x<1)。本发明专利技术通过控制碳的用量和制备工艺巧妙的在高熵碳化物中引入碳空位,而含有大量的碳空位会优先吸附氧气生成碳质氧化物,碳质氧化物可以阻止氧气向内部扩散进而改善抗氧化性能,进而有效改善了高熵碳化物抗氧化性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于高熵化合物制备,涉及一种高熵碳化物的制备方法,尤其涉及一种碳空位高熵碳化物(tivnbmow)cx的制备方法,以提高高熵碳化物的抗氧化性能,从而拓展高熵碳化物的应用。


技术介绍

1、高熵合金具有不少于五种主要金属元素组成,每种金属成分为等摩尔比或近等摩尔比。受高熵合金的启示,激发了对高熵陶瓷的研究。高熵陶瓷是一种新型的单相陶瓷。目前主要包括碳化物,氧化物,氮化物,二硼化物等。高熵碳化物(hecs)主要是由 ivb-vib 族过渡金属碳化物组成的固溶体,因其超高的熔点、良好的热稳定性、耐高温蠕变性和抗辐照性而备受关注。高熵碳化物一般具有等金属摩尔比和非碳化学计量偏差。最近,研究人员报道了存在碳空位的非等金属摩尔比的高熵碳化物。同时,由于典型的面心立方结构,含有碳空位的高熵碳化物仍能以稳定的形式存在。以往的许多研究都表明,碳空位的存在有利于降低高熵碳化物的烧结温度和热导率。同时,碳空位也有利于提高硬度,杨氏模量和抗弯强度。然而高熵碳化物由于具有超高的熔点(>3000℃)往往使用在高温环境下。高熵碳化物的抗氧化性能限制了其使用。因此提高高熵碳本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳空位高熵碳化物(TiVNbMoW)Cx的制备方法,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述一种碳空位高熵碳化物(TiVNbMoW)Cx的制备方法,其特征在于:原料Ti粉、V粉、Nb粉、Mo粉、W粉和C粉的纯度均≥99%,粒径均<10μm。

3.如权利要求1所述一种碳空位高熵碳化物(TiVNbMoW)Cx的制备方法,其特征在于:研磨中,研磨球与原料的质量比为3:1~10:1,球磨机的转速为200~800 r/min;球磨时间为3~20 h。

【技术特征摘要】

1.一种碳空位高熵碳化物(tivnbmow)cx的制备方法,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述一种碳空位高熵碳化物(tivnbmow)cx的制备方法,其特征在于:原料ti粉、v粉、nb粉、mo粉、w粉和c粉的纯度均≥99%,粒...

【专利技术属性】
技术研发人员:樊恒中张永胜李继承郑先德苏云峰宋俊杰胡丽天
申请(专利权)人:中国科学院兰州化学物理研究所
类型:发明
国别省市:

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