【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于高熵化合物制备,涉及一种高熵碳化物的制备方法,尤其涉及一种碳空位高熵碳化物(tivnbmow)cx的制备方法,以提高高熵碳化物的抗氧化性能,从而拓展高熵碳化物的应用。
技术介绍
1、高熵合金具有不少于五种主要金属元素组成,每种金属成分为等摩尔比或近等摩尔比。受高熵合金的启示,激发了对高熵陶瓷的研究。高熵陶瓷是一种新型的单相陶瓷。目前主要包括碳化物,氧化物,氮化物,二硼化物等。高熵碳化物(hecs)主要是由 ivb-vib 族过渡金属碳化物组成的固溶体,因其超高的熔点、良好的热稳定性、耐高温蠕变性和抗辐照性而备受关注。高熵碳化物一般具有等金属摩尔比和非碳化学计量偏差。最近,研究人员报道了存在碳空位的非等金属摩尔比的高熵碳化物。同时,由于典型的面心立方结构,含有碳空位的高熵碳化物仍能以稳定的形式存在。以往的许多研究都表明,碳空位的存在有利于降低高熵碳化物的烧结温度和热导率。同时,碳空位也有利于提高硬度,杨氏模量和抗弯强度。然而高熵碳化物由于具有超高的熔点(>3000℃)往往使用在高温环境下。高熵碳化物的抗氧化性能限制了其
...【技术保护点】
1.一种碳空位高熵碳化物(TiVNbMoW)Cx的制备方法,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述一种碳空位高熵碳化物(TiVNbMoW)Cx的制备方法,其特征在于:原料Ti粉、V粉、Nb粉、Mo粉、W粉和C粉的纯度均≥99%,粒径均<10μm。
3.如权利要求1所述一种碳空位高熵碳化物(TiVNbMoW)Cx的制备方法,其特征在于:研磨中,研磨球与原料的质量比为3:1~10:1,球磨机的转速为200~800 r/min;球磨时间为3~20 h。
【技术特征摘要】
1.一种碳空位高熵碳化物(tivnbmow)cx的制备方法,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述一种碳空位高熵碳化物(tivnbmow)cx的制备方法,其特征在于:原料ti粉、v粉、nb粉、mo粉、w粉和c粉的纯度均≥99%,粒...
【专利技术属性】
技术研发人员:樊恒中,张永胜,李继承,郑先德,苏云峰,宋俊杰,胡丽天,
申请(专利权)人:中国科学院兰州化学物理研究所,
类型:发明
国别省市:
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