一种高效转移生长在衬底上的二维材料的方法技术

本发明专利技术公开了一种高效转移生长在衬底上的二维材料的方法，其步骤为：首先在生长于衬底上的二维材料表面旋涂PMMA并烘干，然后将衬底进行超声处理，取出后再次旋涂一层PMMA，然后再旋涂PS溶液或PC溶液，形成二维材料‑PMMA层‑PS或PC层的复合膜；然后将衬底放入超纯水中，复合膜从衬底上剥离；通过目标衬底将复合膜承载起来，再用甲苯溶解PS或用氯仿溶解PC、用丙酮溶解PMMA，即完成转移。本发明专利技术的方法技术成熟、成本低、转移效率高，且转移后材料稳定、无损毁，该方法适用于生长在云母、蓝宝石和SiO<subgt;2</subgt;/Si等衬底上的多种二维材料的转移。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高效转移基于cvd等方法生长在云母等衬底上二维材料的方法，属于纳米材料。

技术介绍

1、高质量的二维材料通常基于cvd法生长在云母、蓝宝石和硅基等衬底上，在进行器件的制备与性能的测试时，需要将二维材料转移到sio2/si等目标衬底上。目前转移二维材料的办法以pmma辅助湿法转移和pmma辅助溶液刻蚀转移为主。这两种方法能够转移的材料种类受限严重，可扩展性不强，效率低。特别的是针对云母上生长的二维薄层氧化物半导体材料，已有的转移方式不能成功转移。二维氧化物等材料与衬底之间通常生长有缓冲层，与衬底的吸附较紧密，紧涂pmma无法将氧化物转移下来；溶液刻蚀法会将氧化物刻蚀掉；而且pmma层厚度较薄，通常湿法转移条件下，pmma膜不能脱离衬底，成功率较低。即pmma辅助湿法转移的转移效率低、成功率不高，pmma辅助溶液刻蚀转移对样品的结晶性有严重的影响，会导致光、电等性质下降。

技术实现思路

1、基于上述现有技术所存在的问题，本专利技术提供一种转移效率高、无损毁、稳定的高效转移生长在衬底上的二维材料的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高效转移生长在衬底上的二维材料的方法，其特征在于：首先在生长于衬底上的二维材料表面旋涂PMMA溶液并烘干，然后将衬底放入超纯水中进行超声处理，取出并吹干衬底后再次旋涂一层PMMA溶液并烘干，然后再旋涂PS溶液或PC溶液并烘干，形成二维材料-PMMA层-PS或PC层的复合膜；去除衬底边沿的有机膜，然后将衬底放入超纯水中，复合膜从衬底上剥离；通过目标衬底将复合膜承载起来，再用甲苯溶解PS或用氯仿溶解PC、用丙酮溶解PMMA，即完成转移，得到转移到目标衬底上的二维材料。

2.根据权利要求1所述的一种高效转移生长在衬底上的二维材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：

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【技术特征摘要】

1.一种高效转移生长在衬底上的二维材料的方法，其特征在于：首先在生长于衬底上的二维材料表面旋涂pmma溶液并烘干，然后将衬底放入超纯水中进行超声处理，取出并吹干衬底后再次旋涂一层pmma溶液并烘干，然后再旋涂ps溶液或pc溶液并烘干，形成二维材料-pmma层-ps或pc层的复合膜；去除衬底边沿的有机膜，然后将衬底放入超纯水中，复合膜从衬底上剥离；通过目标衬底将复合膜承载起来，再用甲苯溶解ps或用氯仿溶解pc、用丙酮溶解pmma，即完成转移，得到转移到目标衬底上的二维材料。...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨秋云，王娜，夏显明，国海，樊晓宇，郭明磊，刘念，左绪忠，
申请(专利权)人：安徽科技学院，
类型：发明
国别省市：

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