适用于高边MOS管驱动电源的欠压保护电路制造技术

一种适用于高边MOS管驱动电源的欠压保护电路，包括高边开关、高边开关驱动电路、保护开关和保护开关控制电路；高边开关的第一端、高边开关驱动电路的第一端和保护开关控制电路的第一端分别连接高边MOS管驱动电源的输出端，高边开关的第二端用于连接高边MOS管驱动电路；高边开关驱动电路的输出端与高边开关的受控端连接，高边开关驱动电路的第二端与保护开关的第一端连接；保护开关控制电路的输出端与保护开关的受控端连接，保护开关控制电路的第二端和保护开关的第二端分别连接高边MOS管驱动电源的输入端。本发明专利技术具有欠压保护功能，并能避免高边MOS管驱动电源软起动造成的高边MOS管损毁。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及保护电路技术。

技术介绍

1、开关电源ic为了避免涌浪(inrush)电流和涌浪电压，一般都设有软起功能。应用于高边mos管(mos管作为高边开关)驱动的驱动电源采用浮地boost电路，软起动时间达到几个毫秒。在高边mos管开通时，驱动电压会经过米勒平台，从到达高边mos管的阈值电压到完全开启，会跨越线性区。如果经过线性区的时间过长，高边mos管会因为损耗过大，发热量过多而损毁。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种适用于高边mos管驱动电源的欠压保护电路，其在高边mos管驱动电源的输出电压欠压时，能够阻止高边mos管驱动电源的输出电压接入到后级的高边mos管驱动电路，并能避免高边mos管驱动电源软起动造成的高边mos管损毁。

2、本专利技术实施例提供了一种适用于高边mos管驱动电源的欠压保护电路，包括高边开关、高边开关驱动电路、保护开关和保护开关控制电路；高边开关的第一端、高边开关驱动电路的第一端和保护开关控制电路的第一端分别连接高边mos管驱动电源的输出端，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种适用于高边MOS管驱动电源的欠压保护电路，包括高边开关、高边开关驱动电路、保护开关和保护开关控制电路；

2.根据权利要求1所述的适用于高边MOS管驱动电源的欠压保护电路，其特征在于，所述保护开关控制电路包括过压保护元件、电阻R1和电阻R2；

3.根据权利要求2所述的适用于高边MOS管驱动电源的欠压保护电路，其特征在于，所述过压保护元件为稳压二极管，所述稳压二极管的阴极和阳极分别构成该过压保护元件的第一端和第二端。

4.根据权利要求1所述的适用于高边MOS管驱动电源的欠压保护电路，所述高边开关为PMOS管或者PNP三极管，所述保护开关为NPN三极...

【技术特征摘要】

1.一种适用于高边mos管驱动电源的欠压保护电路，包括高边开关、高边开关驱动电路、保护开关和保护开关控制电路；

2.根据权利要求1所述的适用于高边mos管驱动电源的欠压保护电路，其特征在于，所述保护开关控制电路包括过压保护元件、电阻r1和电阻r2；

3.根据权利要求2所述的适用于高边mos管驱动电源的欠压保护电路，其特征在于，所述过压保护元件为稳压二极管，所述稳压二极管的阴极和阳极分别构成该过压保护元件的第一端和第二端。

4.根据权利要求1所述的适用于高边mos管驱动电源的欠压保护电路，所述高边开关为pmos管或者pnp三极管，所述保护开关为npn三极管或者nmos管。

5.根据权利要求1所述的适用于高边mos管驱动电源的欠压保护电路，所述保护开关为npn三极管，所述npn三极管的基极、集电极和发射极分别构成所述保护开关的受控端、第一端和第二端；或者，所述保护开关为nmos管，所述nmos管的栅极、漏极和源极分别构成所述保护开关的受控端、第一端和第二端。

6.根据权利要求1至5任意一项所述的适用于高边mos管驱动电源的欠压保护电路，其特征在于，所述高边开关为pmos管，所述pmos管的栅极、源极和漏极分别构成所述高边开关的受...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳彩，阚予平，
申请(专利权)人：科博达技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：