一种高变比升压DC-DC变换器制造技术

本发明专利技术提供了一种高变比升压DC‑DC变换器，涉及电力电子技术领域，包括主电路、耦合变压器和倍压整流模块，被输入直流低电压的主电路通过耦合变压器输入至倍压整流模块，进而实现高压输出；耦合变压器包括输入端和输出端，输入端与主电路相连，输出端与倍压整流模块相连，耦合变压器将电压进行升压，进而再传输到倍压整流模块；主电路由多个初级模块多路并联，每路初级模块内均包含一个DC/AC变换器。本发明专利技术的有益效果为采用多路耦合变压器和新型倍压电路构成的倍压整流模块实现了极高的升压比；当初级一路模块损坏时，通过控制开关通断，使输出电压不降低，系统可以正常工作，本发明专利技术可以整体降低初级电源的设计难度，提升电源可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力电子，具体而言，涉及一种高变比升压dc-dc变换器。

技术介绍

1、针对空间应用的脉冲功率系统的初级充电源，输入采用平台供电，输入电压为28vdc左右，而输出需要达到几十到上百kv，功率为10kw量级，重复频率为50hz左右。采用单路谐振dc-dc方案，初级电流达到500a量级，谐振参数无法设计，其次变压器变比极高，参数设计非常困难。

2、若采用多路变压器初级并联，次级全桥整流串联的方案；当初级其中一路损坏，全桥整流被旁路，将导致电源输出电压整体降低，系统无法正常运行。其次单路变压器的变比仍旧比较高，设计难度也较大，高压端变压器悬浮在高压下运行，变换器的绝缘设计也相对较困难。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种高变比升压dc-dc变换器，以改善上述问题。为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案如下：

2、本申请提供了一种高变比升压dc-dc变换器，包括主电路、耦合变压器和倍压整流模块，被输入直流低电压的主电路通过耦合变压器输入至倍压整流模块，进而实现升压本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高变比升压DC-DC变换器，其特征在于：包括主电路、耦合变压器和倍压整流模块，被输入直流低电压的主电路通过耦合变压器输入至倍压整流模块，进而实现高压输出；

2.根据权利要求1所述的高变比升压DC-DC变换器，其特征在于，所述初级模块包括N路初级子模块，其中：

3.根据权利要求1所述的高变比升压DC-DC变换器，其特征在于，所述耦合变压器为环形矩阵变压器和矩形矩阵变压器。

4.根据权利要求3所述的高变比升压DC-DC变换器，其特征在于，所述矩形矩阵变压器为包含N路m*n阵列结构的耦合变压器；所述环形矩阵变压器包括等间距分布结构的N路耦合变压器。<...

【技术特征摘要】

1.一种高变比升压dc-dc变换器，其特征在于：包括主电路、耦合变压器和倍压整流模块，被输入直流低电压的主电路通过耦合变压器输入至倍压整流模块，进而实现高压输出；

2.根据权利要求1所述的高变比升压dc-dc变换器，其特征在于，所述初级模块包括n路初级子模块，其中：

3.根据权利要求1所述的高变比升压dc-dc变换器，其特征在于，所述耦合变压器为环形矩阵变压器和矩形矩阵变压器。

4.根据权利要求3所述的高变比升压dc-dc变换器，其特征在于，所述矩形矩阵变压器为包含n路m*n阵列结构的耦合变压器；所述环形矩阵变压器包括等间距分布结构的n路耦合变压器。

5.根据权利要求1所述的高变比升压dc-dc变换器，其特征在于，所述耦合变压器包括绕组结构和磁芯结构，绕组结构包括初级绕组和次级绕组，矩形矩阵变压器磁芯结构包括平面磁芯第一磁体部和平面磁芯第二磁体部，矩形矩阵变压器绕组设置在平面磁芯第一磁体部和平面磁芯第二磁体部之间，环形矩阵变压器包括绕组结构和磁芯结构，绕组结构包括初级绕组和次级绕组，环形矩阵变压器磁芯结构为环形结构，由单个环形磁芯构成，环形矩阵变压器...

【专利技术属性】
技术研发人员：张政权，刘祺宸，王睿祺，常相辉，
申请(专利权)人：西南交通大学，
类型：发明
国别省市：