【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于引信抗冲击结构，尤其涉及一种引信抗冲击防护结构与方法。
技术介绍
1、引信电子安全与解除保险装置缓冲结构是用于在大过载环境下保护引信核心电路模块，以提高引信核心电路模块存能力和工作可靠性的一种结构。
2、公开号为cn114992264a的专利文件公开了冲击吸收结构。此专利技术公开一种冲击吸收结构，该结构包括基体和收缩吸收单元；其中，收缩空隙单元包括多个空隙部，多个空隙部共同围绕第一个虚拟中心轴线圆形阵列排布设置在基体内，且多个间隙部应力集中点均设置在靠近第一个虚拟中心轴线上的位置。使得本冲击吸收结构具有抗破坏性能。此冲击吸收结构在吸收部分冲击能量的同时，其体积不断收缩，即其整体密度是在逐渐增大的，使得冲击力越来越不容易穿透该结构，减缓了冲击撑垫在冲击结构后面的被防护区，使得该结构具有抗侵彻能力。该结构具有吸能性能的防冲击材料被广泛运用在爆破拆除现场、重要机构设施安保、高速公路护栏甚至是国防军事防护设施中，该结构较为复杂、加工难度大、成本高，应用于引信电子安全与解除保险装置缓冲难度大。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种引信抗冲击防护结构与方法，可以解决提高引信电子安全与解除保险装置在过载环境下工作可靠度的问题。
2、本专利技术通过以下技术方案得以实现。
3、本专利技术提供的本专利技术提供的一种引信抗冲击防护结构，包括腔体a、缓冲垫a、缓冲垫b、腔体b和压盖，所述腔体a内由外至里依次设置缓冲垫a、缓冲垫b和腔体
4、优选地，所述腔体b开口设置在靠压盖的一侧，所述腔体b开口处设置盖板，所述盖板与压盖之间设置缓冲垫c。
5、优选地，所述腔体a内远离压盖的一侧设置缓冲垫d，所述缓冲垫d设置在腔体a与腔体b之间。
6、优选地，所述缓冲垫d呈锥型状，角度45-65°。
7、优选地，所述缓冲垫d与腔体a的接触面积小于缓冲垫d与腔体b的接触面积。
8、优选地，所述缓冲垫b、缓冲垫d和缓冲垫c材质为聚四氟乙烯。
9、优选地，所述腔体a上设置通孔a。
10、一种引信抗冲击防护结构的制备方法，包括以下步骤：通过机加工分别将缓冲垫b、缓冲垫d和缓冲垫c加工成对应形状，依次在腔体a内设置缓冲垫d、缓冲垫b、缓冲垫a和腔体b，在引信核心电路模块和腔体b上分别涂抹防护层，将引信核心电路模块放入腔体b后通过通孔a连接导线，并在腔体b开口处依次设置盖板、缓冲垫c与压盖后完成制备。
11、优选地，所述缓冲垫a的制备方法包括以下步骤：使用聚氨酯泡沫与发泡催化剂以体积比3-6:1-3在5000转/分钟的条件下搅拌混合，搅拌时间为20-30s，然后倒入缓冲垫b3与腔体a1间的空隙中进行发泡，发泡温度为50-60℃，发泡时间为5-10min。所述发泡催化剂可使用二甲氨基乙氧基乙醇或双二甲氨基乙基醚。
12、优选地，在所述引信核心电路模块和腔体b上分别涂抹硅橡胶防护层。
13、本专利技术的有益效果在于：
14、为防止引信核心电路模块在大过载环境条件下失效，本专利技术采用多层结构对引信核心电路模块形成缓冲结构。本专利技术基于应力波的传播原理，在引信径向方向设计密度不同的缓冲垫，在不同密度介质界面对应力波形成折射和反射，从而对来自外界的应力波形成有效衰减，对引信核心电路模块形成更好的保护。其中，缓冲垫d设计为锥形结构，以提高对引信核心电路模块的缓冲性能，有效衰减了侵彻过载冲击。
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1.一种引信抗冲击防护结构，其特征在于：包括腔体A(1)、缓冲垫A(2)、缓冲垫B(3)、腔体B(4)和压盖(7)，所述腔体A(1)内由外至里依次设置缓冲垫A(2)、缓冲垫B(3)和腔体B(4)，所述腔体B(4)内设置引信核心电路模块(5)，所述压盖(7)设置在腔体A(1)内的一侧。
2.如权利要求1所述的一种引信抗冲击防护结构，其特征在于：所述腔体B(4)开口设置在靠压盖(7)的一侧，所述腔体B(4)开口处设置盖板(9)，所述盖板(9)与压盖(7)之间设置缓冲垫C(8)。
3.如权利要求1所述的一种引信抗冲击防护结构，其特征在于：所述腔体A(1)内远离压盖(7)的一侧设置缓冲垫D(6)，所述缓冲垫D(6)设置在腔体A(1)与腔体B(4)之间。
4.如权利要求3所述的一种引信抗冲击防护结构，其特征在于：所述缓冲垫D(6)呈锥型状，角度45-65°。
5.如权利要求4所述的一种引信抗冲击防护结构，其特征在于：所述缓冲垫D(6)与腔体A(1)的接触面积小于缓冲垫D(6)与腔体B(4)的接触面积。
6.如权利要求1所述的一种引
7.如权利要求1所述的一种引信抗冲击防护结构，其特征在于：所述腔体A(1)上设置通孔A(10)。
8.一种如权利要求1-7任一项所述的引信抗冲击防护结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：通过机加工分别将缓冲垫B(3)、缓冲垫D(6)和缓冲垫C(8)加工成对应形状，依次在腔体A(1)内设置缓冲垫D(6)、缓冲垫B(3)、缓冲垫A(2)和腔体B(4)，在引信核心电路模块(5)和腔体B(4)上分别涂抹防护层，将引信核心电路模块(5)放入腔体B(4)后通过通孔A(10)连接导线，并在腔体B(4)开口处依次设置盖板(9)、缓冲垫C(8)与压盖(7)后完成制备。
9.如权利要求8所述的一种引信抗冲击防护结构的制备方法，其特征在于，所述缓冲垫A(2)的制备方法包括以下步骤：使用聚氨酯泡沫与发泡催化剂以体积比3-6:1-3在5000转/分钟的条件下搅拌混合，搅拌时间为20-30s，然后倒入缓冲垫B3与腔体A1间的空隙中进行发泡，发泡温度为50-60℃，发泡时间为5-10min。所述发泡催化剂可使用二甲氨基乙氧基乙醇或双二甲氨基乙基醚。
10.如权利要求8所述的一种引信抗冲击防护结构的制备方法，其特征在于，在所述引信核心电路模块(5)和腔体B(4)上分别涂抹硅橡胶防护层。
...【技术特征摘要】
1.一种引信抗冲击防护结构，其特征在于：包括腔体a(1)、缓冲垫a(2)、缓冲垫b(3)、腔体b(4)和压盖(7)，所述腔体a(1)内由外至里依次设置缓冲垫a(2)、缓冲垫b(3)和腔体b(4)，所述腔体b(4)内设置引信核心电路模块(5)，所述压盖(7)设置在腔体a(1)内的一侧。
2.如权利要求1所述的一种引信抗冲击防护结构，其特征在于：所述腔体b(4)开口设置在靠压盖(7)的一侧，所述腔体b(4)开口处设置盖板(9)，所述盖板(9)与压盖(7)之间设置缓冲垫c(8)。
3.如权利要求1所述的一种引信抗冲击防护结构，其特征在于：所述腔体a(1)内远离压盖(7)的一侧设置缓冲垫d(6)，所述缓冲垫d(6)设置在腔体a(1)与腔体b(4)之间。
4.如权利要求3所述的一种引信抗冲击防护结构，其特征在于：所述缓冲垫d(6)呈锥型状，角度45-65°。
5.如权利要求4所述的一种引信抗冲击防护结构，其特征在于：所述缓冲垫d(6)与腔体a(1)的接触面积小于缓冲垫d(6)与腔体b(4)的接触面积。
6.如权利要求1所述的一种引信抗冲击防护结构，其特征在于：所述缓冲垫b(3)、缓冲垫d(6)和缓冲垫c(8)材质为聚四氟乙烯。
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【专利技术属性】
技术研发人员：尤达，秦术，郑维海，
申请(专利权)人：贵州航天电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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