硅基电容麦克风及硅基电容麦克风的制作方法技术

技术编号:4014687 阅读:169 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种硅基电容麦克风的制作方法,该方法包括如下步骤:步骤A:提供一个硅基底,硅基底上沉积刻蚀阻挡层;步骤B:在刻蚀阻挡层上沉积应力平衡层;步骤C:在应力平衡层上沉积振膜;步骤D:在硅基底上沉积牺牲层,并刻出潜影;步骤E:沉积背板;步骤F:对背板掺杂,使之变成导体;步骤G:刻蚀背板;步骤H:沉积电极,做欧姆接触。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅基电容麦克风的制作方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:步骤A:提供一个硅基底,硅基底上沉积刻蚀阻挡层;步骤B:在刻蚀阻挡层上沉积应力平衡层;步骤C:在应力平衡层上沉积振膜;步骤D:在硅基底上沉积牺牲层,并刻出潜影;步骤E:沉积背板;步骤F:对背板掺杂,使之变成导体;步骤G:刻蚀背板;步骤H:沉积电极,做欧姆接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:孟珍奎葛舟李海锋
申请(专利权)人:瑞声声学科技深圳有限公司瑞声微电子科技常州有限公司
类型:发明
国别省市:94[中国|深圳]

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