【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及陶瓷雾化芯热处理，尤其是涉及一种陶瓷雾化芯热处理方法及其应用。
技术介绍
1、雾化芯是储存雾化液和产生雾化反应的主要部件，作为雾化芯的陶瓷多选为多孔陶瓷，使得其具有孔隙率高、储油性好、雾化液雾化口感好等优良特性。
2、但是，陶瓷经过多道工序制作成雾化芯的过程中，各个工序给多孔陶瓷的孔中引入了不少杂质，使得雾化芯在工作过程中容易发生堵孔、积碳、糊芯等问题，从而影响口感体验，加速口感衰减。
3、因此，需要研究一种陶瓷雾化芯热处理方法，使得陶瓷制备成雾化芯的过程中各膜层的致密性提升，各部位发热均匀，去除杂质，进而增大有效孔隙率、提升口感。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服上述技术不足，解决现有技术中，将陶瓷制备成雾化芯的过程中，引入过多杂质，致使雾化芯容易发生堵孔、积碳、糊芯等现象，导致雾化芯的使用口感降低的技术问题。
2、本专利技术提出一种陶瓷雾化芯热处理方法，该方法使得陶瓷中各膜层的缺陷得到修复、重新结晶，原子间的排列更加均匀，膜层致密性提升；同时杂质也在高温下被处理干净，被杂质堵塞的孔重新打开，增大了陶瓷雾化芯的有效孔隙率，进而达到提升使用口感的效果。并且上述方法操作简单高效，工业化程度高，可适用于大规模应用。
3、本专利技术还提供上述的陶瓷雾化芯热处理方法在制备陶瓷雾化芯方面的应用，得到的陶瓷雾化芯各膜层致密性好，杂质少，有效孔隙率高，在使用时能够给与消费者更好的使用口感。
4、具体的，本专利技术
5、所述热处理为多段热处理，所述多段热处理的工艺参数为：800-700℃保温3-5h；700-600℃保温1-3h；600-500℃保温1-3h；500-400℃保温1-3h；
6、所述陶瓷材料依次包含：陶瓷、第一过渡层、发热膜、电极部位、抗氧化层。
7、优选的，所述陶瓷材料的制备过程，包含以下步骤:
8、用过渡层靶在陶瓷上溅射第一过渡层，然后用发热膜靶在第一过渡层上溅射发热膜，得到含发热膜的陶瓷；
9、在发热膜上印刷电极浆料，进行烧结，得到含电极部位的陶瓷；
10、将含电极部位的陶瓷上的电极部位遮蔽，用抗氧化层靶在热膜上溅射抗氧化层，得到陶瓷材料。
11、优选的，所述发热膜靶的材料选自金、铂、钛、镍铬、钽、铬硅中的至少一种；所述溅射发热膜时的工艺参数为：电源输入功率150-300w；所述发热膜的厚度为0.5-10μm；所述电极浆料的厚度为50-120μm；所述烧结温度为600-850℃。
12、优选的，所述陶瓷材料还包括，第二过渡层；所述第二过渡层设置于电极部位和抗氧化层之间。
13、优选的，所述陶瓷材料的制备过程，还包括：在将含电极部位的陶瓷材料上的电极部位遮蔽后、发热膜上溅射抗氧化层之前，用过渡层靶在发热膜上溅射第二过渡层。
14、优选的，所述过渡层靶的材料选自钛、氧化钛、氧化铝、氮化铝、氧化硅、氮化硅中的至少一种。
15、优选的，所述溅射第一过渡层时的工艺参数为：电源输入功率为150-300w；所述第一过渡层厚度为200-600nm；所述溅射第二过渡层时的工艺参数为：电源输入功率为150-300w；所述第二过渡层厚度为10-80nm。
16、优选的，所述溅射抗氧化层时的工艺参数为：电源输入功率150-300w；所述抗氧化层靶的材料选自氧化铝、氧化硅、氧化钛、氮化铝、氮化硅、氮化钽中的至少一种；所述抗氧化层的厚度为30-100nm。
17、优选的，所述降温为多段降温，所述多段降温的工艺参数为：400-300℃保温0.5-1.5h；300-200℃保温1-4h；200-100℃保温0.5-1.5h；然后静置冷却。
18、本专利技术还公开上述的陶瓷雾化芯热处理方法在制备陶瓷雾化芯方面的应用。
19、与现有技术相比，本专利技术的有益效果包括：
20、(1)本专利技术的陶瓷雾化芯热处理方法，该方法使得陶瓷中各膜层的缺陷得到修复、重新结晶，原子间的排列更加均匀，膜层致密性提升；同时杂质也在高温下被处理干净，被杂质堵塞的孔重新打开，增大了陶瓷雾化芯的有效孔隙率，进而达到提升使用口感的效果。并且上述方法操作简单高效，工业化程度高，可适用于大规模应用。
21、(2)本专利技术的陶瓷雾化芯热处理方法能够用于制备陶瓷雾化芯，得到的陶瓷雾化芯各膜层致密性好，杂质少，有效孔隙率高，在使用时能够给与消费者更好的使用口感。
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1.一种陶瓷雾化芯热处理方法，其特征在于，对陶瓷材料进行热处理、降温，得到陶瓷雾化芯；
2.如权利要求1所述的陶瓷雾化芯热处理方法，其特征在于，所述陶瓷材料的制备过程，包含以下步骤:
3.如权利要求2所述的陶瓷雾化芯热处理方法，其特征在于，所述发热膜靶的材料选自金、铂、钛、镍铬、钽、铬硅中的至少一种；所述溅射发热膜时的工艺参数为：电源输入功率150-300W；所述发热膜的厚度为0.5-10μm；所述电极浆料的厚度为50-120μm；所述烧结温度为600-850℃。
4.如权利要求2所述的陶瓷雾化芯热处理方法，其特征在于，所述陶瓷材料还包括，第二过渡层；所述第二过渡层设置于电极部位和抗氧化层之间。
5.如权利要求4所述的陶瓷雾化芯热处理方法，其特征在于，所述陶瓷材料的制备过程，还包括：在将含电极部位的陶瓷材料上的电极部位遮蔽后、发热膜上溅射抗氧化层之前，用过渡层靶在发热膜上溅射第二过渡层。
6.如权利要求2所述的陶瓷雾化芯热处理方法，其特征在于，所述过渡层靶的材料选自钛、氧化钛、氧化铝、氮化铝、氧化硅、氮化硅中的至少一种。
7.如权利要求4所述的陶瓷雾化芯热处理方法，其特征在于，所述溅射第一过渡层时的工艺参数为：电源输入功率为150-300W；所述第一过渡层厚度为200-600nm；所述溅射第二过渡层时的工艺参数为：电源输入功率为150-300W；所述第二过渡层厚度为10-80nm。
8.如权利要求3所述的陶瓷雾化芯热处理方法，其特征在于，所述溅射抗氧化层时的工艺参数为：电源输入功率150-300W；所述抗氧化层靶的材料选自氧化铝、氧化硅、氧化钛、氮化铝、氮化硅、氮化钽中的至少一种；所述抗氧化层的厚度为30-100nm。
9.如权利要求1所述的陶瓷雾化芯热处理方法，其特征在于，所述降温为多段降温，所述多段降温的工艺参数为：400-300℃保温0.5-1.5h；300-200℃保温1-4h；200-100℃保温0.5-1.5h；然后静置冷却。
10.如权利要求1-9任意一项所述的陶瓷雾化芯热处理方法在制备陶瓷雾化芯方面的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种陶瓷雾化芯热处理方法，其特征在于，对陶瓷材料进行热处理、降温，得到陶瓷雾化芯；
2.如权利要求1所述的陶瓷雾化芯热处理方法，其特征在于，所述陶瓷材料的制备过程，包含以下步骤:
3.如权利要求2所述的陶瓷雾化芯热处理方法，其特征在于，所述发热膜靶的材料选自金、铂、钛、镍铬、钽、铬硅中的至少一种；所述溅射发热膜时的工艺参数为：电源输入功率150-300w；所述发热膜的厚度为0.5-10μm；所述电极浆料的厚度为50-120μm；所述烧结温度为600-850℃。
4.如权利要求2所述的陶瓷雾化芯热处理方法，其特征在于，所述陶瓷材料还包括，第二过渡层；所述第二过渡层设置于电极部位和抗氧化层之间。
5.如权利要求4所述的陶瓷雾化芯热处理方法，其特征在于，所述陶瓷材料的制备过程，还包括：在将含电极部位的陶瓷材料上的电极部位遮蔽后、发热膜上溅射抗氧化层之前，用过渡层靶在发热膜上溅射第二过渡层。
6.如权利要求2所述的陶瓷雾化芯热处理方法，其特征在于，所述过渡层靶的...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶正全，肖小朋，李俊辉，聂革，
申请(专利权)人：深圳市吉迩科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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