【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路
，尤其是一种高抗干扰能力的预充电型鉴频鉴相器.
技术介绍
鉴频鉴相器被广泛应用于锁相环电路设计中，完成输入参考信号和分频器输出信 号之间频率和相位的比较，检测出二者的频率或相位差，为后级电路提供输入信号。在要求 快速锁定的锁相环电路中，锁相环参考信号频率通常比较高，预充电型鉴频鉴相器因为具 有较快的速度而得到了广泛的应用。图1是常用的预充电型鉴频鉴相器晶体管级电路图。该电路的两个输出端会在两 个输入信号的低电平阶段处于高阻状态，因而在此期间失去了抗干扰能力。在存在高干扰 的环境下，如航空航天、卫星导航以及存在强电磁干扰的军事场合等，干扰会使预充电型鉴 频鉴相器输出信号发生错误反转，从而让整个锁相环电路工作不正常。此外，在两个输入信 号从高到低的跳变过程中，输出端支路会在一段时间中完全导通，存在输出节点充电电流 和放电电流的竞争，同时，在下降沿的后期，存在输入信号的时钟馈通，这两点导致了输出 端电平偏离标准电平，偏离程度取决于输出端支路的器件尺寸。图1的电路产生上述缺陷的解释如下参见图1，当upl和downl端不全为“0”时， res...
【技术保护点】
一种预充电型鉴频鉴相器，包括预充电型鉴频鉴相电路（３），其特征在于：所述鉴频鉴相电路（３）还连接有一高阻消除电路（４），所述高阻消除电路（４）包括第一至三反相器（ｉｎｖ１－ｉｎｖ３）、第一、二Ｐ型ＭＯＳ管（Ｍ↓［ｐｃ１］、Ｍ↓［ｐｃ２］）以及第一至三Ｎ型ＭＯＳ管（Ｍ↓［ｎｃ１］－Ｍ↓［ｎｃ３］）；第一反相器（ｉｎｖ１）的输入端连接有第一Ｐ型ＭＯＳ管（Ｍ↓［ｐｃ１］）的漏端和第一Ｎ型ＭＯＳ管（Ｍ↓［ｎｃ１］）的漏极，第一反相器（ｉｎｖ１）的输出端与第一Ｐ型ＭＯＳ管（Ｍ↓［ｐｃ１］）的栅端和第一Ｎ型ＭＯＳ管（Ｍ↓［ｎｃ１］）的栅极连接；第一Ｎ型ＭＯＳ管（Ｍ↓［ｎｃ１］）的源极与...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：唐生东，张鸿，牛杨杨，程军，张瑞智，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]
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