【技术实现步骤摘要】
本技术涉及陶瓷过滤膜，具体而言涉及碳化硅过滤体。
技术介绍
1、碳化硅陶瓷膜是一种无机膜，碳化硅陶瓷膜经2000℃以上高温烧制而成，包括支撑层、中间层和分离层的烧结，其中支撑层的厚度一般约为几个毫米，孔径范围大约在1～10μm，中间过渡层的厚度一般为10～100μm，孔径范围通常在50～100nm，过滤层非常薄，其厚度约为1～10μm，孔径常在100nm以下。
2、相较于管状陶瓷膜，板状的碳化硅陶瓷膜具有跨膜压力小的优点，但是机械强度较低，不能承受较大的水压，若增加支撑层的厚度，则会导致板状碳化硅陶瓷膜的跨膜压力增大，使其优势下降，因此，如何提高板状碳化硅陶瓷膜的机械强度并保持其较小的跨膜压力是人们所希望的。
技术实现思路
1、鉴于现有技术的缺陷，本技术的第一方面，提出一种碳化硅过滤体，包括：
2、过滤层，所述过滤层具有第一均值孔径的微孔结构，所述过滤层的厚度为1-10μm；
3、中间层，连接到所述过滤层的第二侧；所述中间层具有第二均值孔径的微孔结构，所述中间层的厚度为10-100μm；
4、支撑层，连接到所述中间层的第二侧；所述支撑层具有第三均值孔径的微孔结构，所述支撑层的厚度为1-3mm；
5、加强层，连接到所述支撑层的第二侧；所述加强层具有第四均值孔径的微孔结构，所述加强层的厚度为5-10mm；
6、其中，所述第一均值孔径小于第二均值孔径小于第三均值孔径小于第四均值孔径，所述加强层设有多个均匀分布的自加强
7、优选的，所述孔结构被构造成由加强层的第二侧向第一侧孔径逐渐减小。
8、优选的，所述孔结构包括由加强层的第二侧向第一侧分布的第一深度段和第二深度段，所述第一深度段的孔径差小于10％，所述孔结构第二深度段被构造成圆锥形或圆形的孔底结构。
9、优选的，所述第一深度段和第二深度段的比值大于3：1。
10、优选的，所述孔结构呈矩阵式分布。
11、优选的，所述肋条被构造成纵横交错的结构。
12、优选的，所述肋条被构造成蜂窝状结构。
13、优选的，所述孔结构的内壁为多孔结构。
14、与现有技术相比，本技术的碳化硅过滤体在支撑层的一侧设置加强层，加强层远离支撑层的一侧形成多孔结构，孔与孔之间形成肋条，孔结构可有效降低液体穿过加强层的跨膜压力，同时肋条可对支撑层进行补强，尤其是增加了膜结构的单方向抗压能力，以满足用户的使用需求。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种碳化硅过滤体，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅过滤体，其特征在于，所述孔结构(41)被构造成由加强层(40)的第二侧向第一侧孔径逐渐减小。
3.根据权利要求2所述的碳化硅过滤体，其特征在于，所述孔结构(41)包括由加强层(40)的第二侧向第一侧分布的第一深度段和第二深度段，所述第一深度段的孔径差小于10％，所述孔结构(41)第二深度段被构造成圆锥形或圆形的孔底结构。
4.根据权利要求3所述的碳化硅过滤体，其特征在于，所述第一深度段和第二深度段的比值大于3：1。
5.根据权利要求1所述的碳化硅过滤体，其特征在于，所述孔结构(41)呈矩阵式分布。
6.根据权利要求5所述的碳化硅过滤体，其特征在于，所述肋条(42)被构造成纵横交错的结构。
7.根据权利要求5所述的碳化硅过滤体，其特征在于，所述肋条(42)被构造成蜂窝状结构。
8.根据权利要求1-7中的任意一项所述的碳化硅过滤体，其特征在于，所述孔结构(41)的内壁为多孔结构。
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅过滤体，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅过滤体，其特征在于，所述孔结构(41)被构造成由加强层(40)的第二侧向第一侧孔径逐渐减小。
3.根据权利要求2所述的碳化硅过滤体，其特征在于，所述孔结构(41)包括由加强层(40)的第二侧向第一侧分布的第一深度段和第二深度段，所述第一深度段的孔径差小于10％，所述孔结构(41)第二深度段被构造成圆锥形或圆形的孔底结构。
4.根据权利要求3所述的碳化硅过滤体，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁林峰，陈烃，周存高，
申请(专利权)人：南京瀚深材料科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。