半导体晶圆的制造装置制造方法及图纸

半导体晶圆的制造装置具备将由筒部(41)及盖部(C)包围的空间设为中空室(41a)而设置于中空室(41a)中的加热装置(60)、将惰性气体导入中空室(41a)的惰性气体用供给管(90)和排出惰性气体的惰性气体用排气管(100)。而且，当将盖部(C)的质量除以盖部(C)的暴露于中空室(41a)的部分的面积(S2、S3、S5)而得的值设为盖部(C)的压力，且将盖部(C)的压力中的最小的部分设为最小封闭部压力时，中空室(41a)调整从惰性气体用排气管(100)排出的惰性气体的量，以使压力高于反应室(20a)的压力且处于最小封闭部压力以下。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体晶圆的制造装置。

技术介绍

1、以往，提出过这样一种半导体晶圆的制造装置：其在被导入含有原料气体的反应气体的反应室中，将基础晶圆在载置于基座的状态下一边使其旋转一边对其进行加热，使作为半导体层的外延层在该基础晶圆的表面上生长(例如，参照专利文献1)。

2、具体而言，在该半导体晶圆的制造装置中，配置基础晶圆的旋转装置被配置于反应室中。旋转装置被设为具有一端部侧为开口端的筒部的结构，通过将包含基座的盖部配置于开口端而使内部大致封闭。而且，当将由筒部及盖部包围的空间设为中空室时，在中空室中配置有从背面侧加热基础晶圆的加热装置。此外，这种加热装置例如使用碳制的电阻加热器。

3、另外，在该半导体晶圆的制造装置中，为了抑制反应气体从反应室流入中空室内而与加热装置反应，向中空室中导入惰性气体。详细而言，在该半导体晶圆的制造装置中，向中空室中导入惰性气体而使中空室内的压力高于反应室的压力，由此，反应气体难以从反应室流入中空室。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2012-69本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体晶圆的制造装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的制造装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆的制造装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆的制造装置，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体晶圆的制造装置，其特征在于，

6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体晶圆的制造装置，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种半导体晶圆的制造装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的制造装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆的制造装置，其特征在于，

4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤林裕明，森博隆，里村隆幸，高木茂行，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：