【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及抗蚀剂下层膜形成用组合物，特别是提供可以形成具有良好的光刻特性和高药液除去性的含硅抗蚀剂下层膜的、含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物。
技术介绍
1、一直以来在半导体装置的制造中，通过使用了光致抗蚀剂的光刻进行微细加工。上述微细加工是通过在硅晶片等半导体基板上形成光致抗蚀剂的薄膜，在其上经由描绘了半导体器件的图案的掩模图案而照射紫外线等活性光线，进行显影，将所得的光致抗蚀剂图案作为保护膜对基板进行蚀刻处理，从而在基板表面形成与上述图案对应的微细凹凸的加工法。
2、在半导体器件的高集成度化发展中，所使用的活性光线也有从krf准分子激光(248nm)向arf准分子激光(193nm)短波长化的倾向，进一步研究了使用了euv(extremeultra violet：超紫外线)、电子射线的曝光技术。随着活性光线的短波长化，活性光线从半导体基板的反射的影响成为大问题的情况下，广泛应用了在光致抗蚀剂与被加工基板之间设置被称为防反射膜(bottomanti-reflectivecoating，barc)的抗蚀剂下层膜的方法。
...【技术保护点】
1.一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：
2.根据权利要求1所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述[A]包含具有至少2个羟基的硅氧烷单元结构的聚硅氧烷为包含至少2个羟基与相邻的碳原子分别结合而成的具有二羟基的硅氧烷单元结构的聚硅氧烷。
3.根据权利要求1或2所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述[A]包含具有至少2个羟基的硅氧烷单元结构的聚硅氧烷包含硅烷醇基的至少一部分被醇改性或被缩醛保护而得的聚硅氧烷改性物。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述[A]包含具有至少2个羟基的硅氧烷单元结构...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：
2.根据权利要求1所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述[a]包含具有至少2个羟基的硅氧烷单元结构的聚硅氧烷为包含至少2个羟基与相邻的碳原子分别结合而成的具有二羟基的硅氧烷单元结构的聚硅氧烷。
3.根据权利要求1或2所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述[a]包含具有至少2个羟基的硅氧烷单元结构的聚硅氧烷包含硅烷醇基的至少一部分被醇改性或被缩醛保护而得的聚硅氧烷改性物。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述[a]包含具有至少2个羟基的硅氧烷单元结构的聚硅氧烷为进一步包含具有包含季铵-硝酸盐结构的有机基的硅氧烷单元结构的聚硅氧烷。
5.根据权利要求2所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述[a]聚硅氧烷包含选自下述物质中的至少一种：包含至少2个羟基与相邻的碳原子分别结合而成的具有二羟基的硅氧烷单元结构的水解缩合物[i]、该缩合物[i]所具有的硅烷醇基的至少一部分被醇改性而得的水解缩合物的改性物、该缩合物[i]所具有的硅烷醇基的至少一部分被缩醛保护而得的水解缩合物的改性物、以及该缩合物[i]与醇的脱水反应物；
6.根据权利要求5所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述[a]聚硅氧烷包含所述缩合物[i]与醇的脱水反应物。
7.根据权利要求5或6所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述[a]聚硅氧烷包含选自下述物质中的至少一种：包含至少2个羟基与相邻的碳原子分别结合而成的具有二羟基的硅氧烷单元结构和具有包含季铵-硝酸盐结构的有机基的硅氧烷单元结构的水解缩合物[i-1]、该缩合物[i-1]所具有的硅烷醇基的至少一部分被醇改性而得的水解缩合物的改性物、该缩合物[i-1]所具有的硅烷醇基的至少一部分被缩醛保护而得的水解缩合物的改性物、以及该缩合物[i-1]与醇的脱水反应物；
8.根据权利要求7所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述[a]聚硅氧烷包含所述缩合物[i-1]与醇的脱水反应物。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述[c]溶剂包含醇系溶剂。
10.根据权利要求9所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述[c]溶剂包含丙二醇单烷基醚。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：柴山亘，武田谕，志垣修平，加藤宏大，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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