【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电磁波屏蔽构件和它们的制造方法。进一步详细地涉及：由能以高密合力在将聚芳硫醚树脂组合物成型而成的成型品(以下，有时称为聚芳硫醚树脂成型品)的表面简便地形成镀层的层叠体形成的电磁波屏蔽构件和其制造方法。
技术介绍
1、近年来，在汽车领域中，为了实现由车辆的轻量化带来的低燃油消耗化等，一直以来推进了将为金属制的各种构件替换为更轻量、且具有耐热性、耐化学药品性的工程塑料的多种尝试。其中，以聚苯硫醚(以下，有时简记作pps)树脂为代表的聚芳硫醚(以下，有时简记作pas)树脂的耐热性优异，且机械强度、耐化学药品性、成型加工性、尺寸稳定性也优异，因而被广泛利用。
2、另一方面，随着汽车的电气化，车辆中会搭载大量的电子控制系统，开始担心自高电压部位产生的电磁波对人体的影响。例如，已知作为电动马达所必须的构成的逆变器产生频率100khz左右的低频电磁波。鉴于这种背景，对于各种汽车部件的树脂壳体，除了以往要求的遮蔽高频的电磁波的能力之外，还要求遮蔽低频的电磁波的能力。
3、作为有机物的pas树脂的电磁波屏蔽性能低，因此，通常采用在树脂成型品表面形成包含金属、陶瓷的薄膜层的方法。然而，由于pas树脂的高耐化学药品性，pas树脂组合物、pas树脂成型品与其他材料为难粘接(难密合)性，因此，存在即使在其表面形成金属膜，该金属膜也容易剥离的问题。
4、作为解决上述问题的方法，提出了如下方法：对pas树脂成型品的表面以蚀刻液进行蚀刻处理，赋予钯催化剂后进行化学镀铜，形成镀铜层(例如参照专利文献1)。然而，该
5、另外，提出了如下方法：通过喷砂、喷丸等使pas树脂成型品表面粗糙化后涂布底漆树脂而改善与金属蒸镀、金属镀覆等覆膜的粘接力(参照专利文献2)。然而，为了确保充分的粘接力，将聚苯硫醚的表面粗糙化直至1～10μm的深度，因此，不适于需要表面平滑性的构件。
6、另外，提出了如下方法：通过借助浸渍法在pas树脂成型品表面分别形成底漆树脂层和含有金属颗粒的金属层，之后，通过电解镀法、化学镀法等形成金属镀层的方法，其中，在聚苯硫醚的表面形成金属膜(参照专利文献3、4)。然而，该方法为在pas树脂成型品表面依次形成底漆树脂层、含有金属颗粒的金属层、金属镀层的方法，因此，工序数多，进一步从生产率的观点出发，期望提出工序更少的方法。
7、现有技术文献
8、专利文献
9、专利文献1：日本特开昭63-14880号公报
10、专利文献2：日本特开2002-97292号公报
11、专利文献3：国际公开2017/154879号小册子
12、专利文献4：日本专利第6355008号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本专利技术要解决的课题在于，提供：由能以高的粘接力在pas树脂成型品表面以简便的工序形成镀层的层叠体形成的、具有优异的电场屏蔽性和磁场屏蔽性的电磁波屏蔽构件和其制造方法。
3、用于解决问题的方案
4、本专利技术人等为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现：对于将配混pas树脂(a)、选自由热塑性弹性体(b1)和具有水解性的热塑性树脂(b2)组成的组中的除pas树脂以外的热塑性树脂(b)、碳酸盐(c)和聚烯烃系蜡(d)而成的pas树脂组合物进行熔融成型而成的成型品，通过化学蚀刻处理进行粗糙化时，在该粗糙化后的表面以镀覆处理法形成的镀膜呈现高的粘接力，进而，对至少成对的2个面实施镀覆处理的情况下，电场屏蔽性和磁场屏蔽性更优异，完成了本专利技术。
5、即，本公开涉及一种电磁波屏蔽构件的制造方法，其特征在于，其为由层叠体形成的电磁波屏蔽构件的制造方法，所述制造方法具备如下工序：通过化学蚀刻处理对将pas树脂组合物成型而成的成型品的表面进行粗糙化处理的工序、对经粗糙化处理的前述成型品表面进行镀覆处理的工序，
6、前述层叠体在至少成对的2个面具备镀层，
7、前述pas树脂组合物是配混pas树脂(a)、选自由热塑性弹性体(b1)和具有水解性的热塑性树脂(b2)组成的组中的除pas树脂以外的热塑性树脂(b)、碳酸盐(c)和聚烯烃系蜡(d)而成的。
8、另外，本公开涉及一种电磁波屏蔽构件，其特征在于，其是由在将pas树脂组合物成型而成的成型品的经粗糙化的表面层叠有镀层的层叠体形成的，
9、在至少成对的2个面具备前述层叠体的镀层，
10、前述pas树脂组合物是配混pas树脂(a)、选自由热塑性弹性体(b1)和具有水解性的热塑性树脂(b2)组成的组中的除pas树脂以外的热塑性树脂(b)、碳酸盐(c)和聚烯烃系蜡(d)而成的。
11、需要说明的是，本公开中，将pas树脂成型品表面与镀层彼此接合表示为粘接或密合。
12、专利技术的效果
13、根据本专利技术，可以提供：由能以高的粘接力通过更简便的工序在pas树脂成型品表面形成镀层的层叠体形成的、电磁波屏蔽性优异的电磁波屏蔽构件和其制造方法。
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1.一种电磁波屏蔽构件的制造方法，其特征在于，其为由层叠体形成的电磁波屏蔽构件的制造方法，所述制造方法具备如下工序：通过化学蚀刻处理对将聚芳硫醚树脂组合物成型而成的成型品的表面进行粗糙化处理的工序、对经粗糙化处理的所述成型品表面进行镀覆处理的工序，
2.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽构件的制造方法，其中，通过化学蚀刻处理对将聚芳硫醚树脂组合物成型而成的成型品的表面进行粗糙化处理的工序是使包含强酸或其盐的蚀刻液与所述成型品的表面接触的工序。
3.根据权利要求1或2所述的电磁波屏蔽构件的制造方法，其中，碳酸盐(C)是平均粒径0.3μm以上至6μm以下的范围的粒状物。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电磁波屏蔽构件的制造方法，其中，碳酸盐(C)为选自由碳酸钙、碳酸镁、碳酸钾、碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸铵、碳酸钡、碳酸锂、碳酸铜(II)、碳酸亚铁(II)、碳酸银(I)、碳酸锰、碳酸锌、白云石和水菱镁矿组成的组中的至少1者。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的电磁波屏蔽构件的制造方法，其中，还包含纤维状填充剂。
6.根据权利要求
7.根据权利要求1～6中任一项所述的电磁波屏蔽构件的制造方法，其中，构成镀层的成分包含由镍、铜、铬、锌、铁、金、银、铝、锡、钴、钯、铅、铂、镉、锰、锂、锶、镧、钛、钡、锆、铅和铑组成的组中的至少1种金属。
8.根据权利要求1～6中任一项所述的电磁波屏蔽构件的制造方法，其中，构成镀层的成分包含由坡莫合金、铁硅铝合金和铁氧体组成的组中的至少1种。
9.一种电磁波屏蔽构件，其特征在于，其是由在将聚芳硫醚树脂组合物成型而成的成型品的经粗糙化的表面层叠有镀层的层叠体形成的，
10.根据权利要求9所述的电磁波屏蔽构件，其中，碳酸盐(C)是平均粒径0.3μm以上至6μm以下的范围的粒状物。
11.根据权利要求9或10所述的电磁波屏蔽构件，其中，碳酸盐为选自由碳酸钙、碳酸镁、碳酸钾、碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸铵、碳酸钡、碳酸锂、碳酸铜(II)、碳酸亚铁(II)、碳酸银(I)、碳酸锰、碳酸锌、白云石和水菱镁矿组成的组中的至少1者。
12.根据权利要求9～11中任一项所述的电磁波屏蔽构件，其中，还包含纤维状填充剂。
13.根据权利要求9～12中任一项所述的电磁波屏蔽构件，其中，构成镀层的成分包含由镍、铜、铬、锌、铁、金、银、铝、锡、钴、钯、铅、铂、镉和铑组成的组中的至少1种金属。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电磁波屏蔽构件的制造方法，其特征在于，其为由层叠体形成的电磁波屏蔽构件的制造方法，所述制造方法具备如下工序：通过化学蚀刻处理对将聚芳硫醚树脂组合物成型而成的成型品的表面进行粗糙化处理的工序、对经粗糙化处理的所述成型品表面进行镀覆处理的工序，
2.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽构件的制造方法，其中，通过化学蚀刻处理对将聚芳硫醚树脂组合物成型而成的成型品的表面进行粗糙化处理的工序是使包含强酸或其盐的蚀刻液与所述成型品的表面接触的工序。
3.根据权利要求1或2所述的电磁波屏蔽构件的制造方法，其中，碳酸盐(c)是平均粒径0.3μm以上至6μm以下的范围的粒状物。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电磁波屏蔽构件的制造方法，其中，碳酸盐(c)为选自由碳酸钙、碳酸镁、碳酸钾、碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸铵、碳酸钡、碳酸锂、碳酸铜(ii)、碳酸亚铁(ii)、碳酸银(i)、碳酸锰、碳酸锌、白云石和水菱镁矿组成的组中的至少1者。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的电磁波屏蔽构件的制造方法，其中，还包含纤维状填充剂。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的电磁波屏蔽构件的制造方法，其中，镀覆处理为化学镀法、电解镀法、溅射法和它们的组合。
7.根据权利要求1...
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