移相器及其制备方法、电子设备技术

技术编号:40114901 阅读:23 留言:0更新日期:2024-01-23 19:45
本公开提供一种移相器及其制备方法、电子设备,属于通信技术领域。本公开移相器,其包括相对设置的第一基板和第二基板,以及设置在第一基板和第二基板之间的可调电介质层和多个第一隔离组件;第一基板包括第一介质基板,设置在第一介质基板靠近可调电介质层一侧的第一电极;第二基板包括第二介质基板,设置在第二介质基板靠近可调电介质层一侧的第二电极;移相器具有移相区和周边区;移相区包括多个交叠区域;第一电极和第二电极均位于移相区,且第一电极和第二电极在第一介质基板上的正投影在各交叠区域至少部分重叠,以形成多个交叠电容;至少一个交叠电容在第一介质基板上的正投影位于一个第一隔离组件在第一介质基板上的正投影内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍


技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请,权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请,权...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔钊张锋董立文侯东飞李禹桥刘文渠吕志军孟德天姚琪李柳青马勇宋梦亚
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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