一种沟槽型超结硅MOSFET及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种沟槽型超结硅MOSFET及制备方法，该MOSFET包括：沟槽栅极、P柱和N柱；沟槽栅极包括第一延伸部和第二延伸部；第一延伸部位于Pwell层之间并与Pwell层邻接；第二延伸部位于Pwell层、第一延伸部、P柱和N柱之间并与Pwell层、P柱和N柱邻接；第一延伸部的第一端与第二延伸部连接；第一延伸部和第二延伸部构成倒T字型；P柱位于Pwell层、第二延伸部、N柱和衬底之间；P柱与Pwell层、N柱和衬底邻接；N柱位于第二延伸部、P柱和衬底之间；N柱与衬底邻接。本发明专利技术通过在传统垂直沟槽的基础上对沟槽进行延伸，使得位于沟槽中的栅极的长度增加，栅极长度的增加会增加超结硅MOSFET的沟道长度，提高了超结硅MOSFET器件的热稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种沟槽型超结硅mosfet及制备方法。

技术介绍

1、沟槽型mosfet器件是一种新型垂直结构的mosfet器件，是从传统平面型mosfet结构的基础上优化发展而来。和平面型mosfet器件相比，沟槽型mosfet器件通过构建穿过体区的最下端沟槽结构，形成的沟道位于源极区和漂移区之间，消除了jfet区域，也消除了jfet电阻；同时，沟槽型mosfet器件的沟槽栅极结构使得元胞的间距比平面型mosfet器件更小，在设计上可以并联更多的元胞，进一步减小了总的电阻，因此，沟槽型mosfet器件能够获得更小的导通电阻。

2、在转移特性曲线里，在一定的栅源电压下阈值电压不随温度变化而变化时，此时这个点称作a点。当实际的栅源电压小于a点时的栅源电压时，沟槽型超结硅mosfet阈值电压与温度呈负相关，即温度越高，超结硅mosfet的阈值电压越低。而超结硅mosfet的导电沟道开启越宽越浅，生成的沟道电流越大；沟道电流的增大会导致mosfet器件发热温度升高，温度升高导致阈值电压降低，超结硅mosfet输出电流增大，从而形成一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种沟槽型超结硅MOSFET，其特征在于，包括：沟槽栅极、P柱和N柱；

2.根据权利要求1所述的一种沟槽型超结硅MOSFET，其特征在于，所述沟槽栅极还包括第三延伸部；

3.根据权利要求1所述的一种沟槽型超结硅MOSFET，其特征在于，所述第二延伸部的长度为300-600nm。

4.根据权利要求1所述的一种沟槽型超结硅MOSFET，其特征在于，所述第二延伸部的厚度为300nm。

5.根据权利要求2所述的一种沟槽型超结硅MOSFET，其特征在于，所述第三延伸部的长度为300-600nm。

6.根据权利要求2所述的一种沟槽型超结...

【技术特征摘要】

1.一种沟槽型超结硅mosfet，其特征在于，包括：沟槽栅极、p柱和n柱；

2.根据权利要求1所述的一种沟槽型超结硅mosfet，其特征在于，所述沟槽栅极还包括第三延伸部；

3.根据权利要求1所述的一种沟槽型超结硅mosfet，其特征在于，所述第二延伸部的长度为300-600nm。

4.根据权利要求1所述的一种沟槽型超结硅mosfet，其特征在于，所述第二延伸部的厚度为300nm。

5.根据权利要求2所述的一种沟槽型超结硅mosfet，其特征在于，所述第三延伸部的长度为300-600nm。

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【专利技术属性】
技术研发人员：刘涛，
申请(专利权)人：深圳天狼芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：