【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子信息领域，具体为一种单板式氮化镓功放电路板、功放电路系统。
技术介绍
1、本申请人在先提出了一项专利技术专利申请：cn115276627a公开了一种氮化镓mosfet导通损耗功率限制电路，包括信号输入端、第一mosfet管和第二mosfet管，还包括与第一mosfet管连接用于对第一mosfet管进行工作电压实时取样的第一取样电路、与第二mosfet管连接用于对第二mosfet管进行工作电压实时取样的第二取样电路、分别与第一取样电路及第二取样电路连接用于将取样信号根据设定进行处理生产限制反馈信号的反馈处理模块和用于根据信号分别驱动第一mosfet管及第二mosfet管通断的驱动模块，所述反馈处理模块和信号输入端分别与一用于生成控制信号输入到驱动模块控制第一mosfet管及第二mosfet管通断的控制信号处理模块连接从而形成自动损耗功率限制结构。通过该方案能够有效进行保护，提高工作稳定性和效率。
2、本申请人经过进一步研发后发现该技术需要进行如下问题的解决和优化：
3、1.在功放中，信号放大中虽然通过了反馈处理模块、驱动模块进行了信号处理，以使氮化镓mosfet管导通电阻因结温升高而变大的同时，最大电流限制阀值降低，从而能够实现自适应实时限制氮化镓功率晶体管最大导通损耗限制；但是如果能够对氮化镓mosfet管的突然的功率增大导致的温度突然升高能够进行有效控制，那么可以使上述系统应对突发大功率放大情况能够更好的应对；
4、2.在功放中，绝大部分的方案中是将氮化镓mosfet管置于主板
5、本案解决的技术问题是：如何优化现有的基于氮化镓mosfet管的功放电路板以使其能够更好的应对温度突升的状况。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种单板式氮化镓功放电路板，本方案将氮化镓mosfet管置于一个单独的电路板上，辅以第一散热器件和第二散热器件，通过第一散热器件和第二散热器件快速吸收氮化镓mosfet管突然因大功率产生的热量，使氮化镓mosfet管能够稳定的工作；同时，单板设计可利于设备维修和单板更换，无需动主板。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种单板式氮化镓功放电路板，包括第一电路板，所述第一电路板上设有功放电路，所述功放电路包括设置在第一电路板上的信号输入端、信号输出端、mosfet管驱动芯片、设置在第一电路板的一面的第一mosfet管、第二mosfet管以及设置在第一电路板的另外一面的第一散热器件和第二散热器件；所述mosfet管驱动芯片从信号输入端获取信号并将信号处理后输出给第一mosfet管、第二mosfet管；所述第一mosfet管、第二mosfet管用于将放大后的信号输出给信号输出端；
3、所述第一mosfet管和第一散热器件相对布置；所述第二mosfet管和第二散热器件相对布置；所述第一mosfet管和第一散热器件之间、所述第二mosfet管和第二散热器件之间设有若干贯穿第一电路板的焊孔；所述第一mosfet管和第一散热器件之间、所述第二mosfet管和第二散热器件之间均通过导热焊剂连接；
4、所述第一散热器件和第二散热器件用于吸收、存储和散发热量。
5、在上述的单板式氮化镓功放电路板中，所述第一散热器件和第二散热器件各自独立为铜片、铝片、铁片、散热管中的一种或多种。
6、在上述的单板式氮化镓功放电路板中，所述第一散热器件和第二散热器件均为铜片；所述铜片的厚度不低于1mm；优选地，所述铜片的厚度不低于2mm，优选地，所述铜片的厚度不低于3mm。
7、在上述的单板式氮化镓功放电路板中，所述功放电路为2组或以上，并排设置在第一电路板上。
8、在上述的单板式氮化镓功放电路板中，所述第一电路板上还设有若干固定孔；所述固定孔用于和外设的固定柱固定连接。
9、同时，本技术还公开了一种功放电路系统，包括主板和如上任一所述的单板式氮化镓功放电路板，所述主板上设有依次电连接的模拟信号输入端、模拟信号放大电路、pwm调制电路、数字信号输出端；所述数字信号输出端与信号输入端电连接；所述主板上还设有用于将信号输出端输出的数字信号进行da转换的电感、与电感电连接的模拟信号输出端；
10、所述第一电路板悬空布置在主板上。
11、在上述的功放电路系统中，所述功放电路、模拟信号输入端、模拟信号放大电路、pwm调制电路、数字信号输出端、电感、模拟信号输出端构成了一组模拟信号处理电路；所述主板、第一电路板上设有两组或多组模拟信号处理电路。
12、在上述的功放电路系统中，所述功放电路、模拟信号输入端、模拟信号放大电路、pwm调制电路、数字信号输出端位于第一电路板的一侧，所述电感位于第一电路板的另外一侧。
13、在上述的功放电路系统中，所述第一散热器件和第二散热器件位于第一电路板远离主板的一侧。
14、在上述的功放电路系统中，所述第一电路板的上方设有贴合在第一散热器件和第二散热器件的散热器。
15、与现有技术相比，本技术的有益效果是：
16、1.单板式氮化镓功放电路板利于维修和更换；
17、2.采用第一散热器件和第二散热器可以吸收突发热浪涌，提高氮化镓mosfet管的稳定性；
18、3.第一散热器件和第二散热器、第一mosfet管和第二mosfet管分设在电路板上下两侧并通过焊剂贯穿导热，其布局合理，利于散热。
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1.一种单板式氮化镓功放电路板，包括第一电路板，所述第一电路板上设有功放电路，其特征在于，所述功放电路包括设置在第一电路板上的信号输入端、信号输出端、MOSFET管驱动芯片、设置在第一电路板的一面的第一MOSFET管、第二MOSFET管以及设置在第一电路板的另外一面的第一散热器件和第二散热器件；所述MOSFET管驱动芯片从信号输入端获取信号并将信号处理后输出给第一MOSFET管、第二MOSFET管；所述第一MOSFET管、第二MOSFET管用于将放大后的信号输出给信号输出端；
2.根据权利要求1所述的单板式氮化镓功放电路板，其特征在于，所述第一散热器件和第二散热器件各自独立为铜片、铝片、铁片、散热管中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的单板式氮化镓功放电路板，其特征在于，所述第一散热器件和第二散热器件均为铜片；所述铜片的厚度不低于1mm。
4.根据权利要求1所述的单板式氮化镓功放电路板，其特征在于，所述功放电路为2组或以上，并排设置在第一电路板上。
5.根据权利要求1所述的单板式氮化镓功放电路板，其特征在于，所述第一电路板上还设
6.一种功放电路系统，包括主板和如权利要求1-5任一所述的单板式氮化镓功放电路板，其特征在于，所述主板上设有依次电连接的模拟信号输入端、模拟信号放大电路、PWM调制电路、数字信号输出端；所述数字信号输出端与信号输入端电连接；所述主板上还设有用于将信号输出端输出的数字信号进行DA转换的电感、与电感电连接的模拟信号输出端；
7.根据权利要求6所述的功放电路系统，其特征在于，所述功放电路、模拟信号输入端、模拟信号放大电路、PWM调制电路、数字信号输出端、电感、模拟信号输出端构成了一组模拟信号处理电路；所述主板、第一电路板上设有两组或多组模拟信号处理电路。
8.根据权利要求6所述的功放电路系统，其特征在于，所述功放电路、模拟信号输入端、模拟信号放大电路、PWM调制电路、数字信号输出端位于第一电路板的一侧，所述电感位于第一电路板的另外一侧。
9.根据权利要求6所述的功放电路系统，其特征在于，所述第一散热器件和第二散热器件位于第一电路板远离主板的一侧。
10.根据权利要求6所述的功放电路系统，其特征在于，所述第一电路板的上方设有贴合在第一散热器件和第二散热器件的散热器。
...【技术特征摘要】
1.一种单板式氮化镓功放电路板，包括第一电路板，所述第一电路板上设有功放电路，其特征在于，所述功放电路包括设置在第一电路板上的信号输入端、信号输出端、mosfet管驱动芯片、设置在第一电路板的一面的第一mosfet管、第二mosfet管以及设置在第一电路板的另外一面的第一散热器件和第二散热器件；所述mosfet管驱动芯片从信号输入端获取信号并将信号处理后输出给第一mosfet管、第二mosfet管；所述第一mosfet管、第二mosfet管用于将放大后的信号输出给信号输出端；
2.根据权利要求1所述的单板式氮化镓功放电路板，其特征在于，所述第一散热器件和第二散热器件各自独立为铜片、铝片、铁片、散热管中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的单板式氮化镓功放电路板，其特征在于，所述第一散热器件和第二散热器件均为铜片；所述铜片的厚度不低于1mm。
4.根据权利要求1所述的单板式氮化镓功放电路板，其特征在于，所述功放电路为2组或以上，并排设置在第一电路板上。
5.根据权利要求1所述的单板式氮化镓功放电路板，其特征在于，所述第一电路板上还设有若干固定孔；所述固定孔用于和外设的固定柱固定...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙磊，羊林，
申请(专利权)人：佛山市南海区赛德声电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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