【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及精密测量，特别涉及一种基于光刻机晶圆卡盘定位系统的二维平面光栅制造方法。
技术介绍
1、随着半导体芯片最小线宽不断下探，性能不断提升，基本符合摩尔定律的趋势，这是半导体光刻工艺、材料科学等多种因素的共同作用，但其中最为关键的一点应归功于光刻机极高的定位精度。目前主流的光刻机晶圆台精密器件主要依托光栅干涉仪，而计量光栅作为光栅位移编码器中的核心元件，其制作精度将直接影响到系统的定位精度，进而影响光刻机的工作状态，如果想要发展高精度的光栅机，就需要设计一种既能满足现在工作需求，又能够减少光栅制作难度的高精度新型光栅。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种基于光刻机晶圆卡盘定位系统的二维平面光栅制造方法，解决了相关技术中，无法满足高精度的定位精度的问题。
2、本专利技术的技术方案为：提供一种基于光刻机晶圆卡盘定位系统的二维平面光栅制造方法，将所述二维平面光栅的栅线方向调整至与晶圆卡盘的工作方向一致，通过改变二维平面光栅的栅线分布，使得反射光变为携带位移信号的(-1，-1)级次的反射光。
3、进一步，所述二维平面光栅的入射方位角为斜45°入射，且入射角为自准直角度。
4、进一步，所述二维平面光栅的反射光为(-1，-1)级次的衍射光。
5、进一步，所述二维平面光栅的(-1，-1)级反射光满足te、tm偏振均具有高衍射效率。
6、本专利技术相对于现有技术，具有以下有益效果：
7、
8、本专利技术的基于光刻机晶圆卡盘定位系统的二维平面光栅制造方法，与现有技术相比，现有技术中光栅的栅线方向与晶圆卡盘的工作方向呈45°夹角，而本申请的二维平面光栅的栅线方向平行于晶圆卡盘的工作方向，缩短了扫描-步进的时间，降低了环境波动带来的光栅周期一致性误差，因此非常有利于提高二维平面光栅的定位精度。同时，dx＝√2d0，意味着步进的次数会更进一步减少，直写时间也更短。同时光栅周期越大，对于直写激光点阵的聚焦要求越低，利用同样的焦面跟踪系统将得到更高的栅线控制精度。这样既不改变光刻机高精度定位系统的使用状态，同时降低了二维平面光栅的制造难度，提高了光栅周期一致性，因此是对asml光刻机系统中二维平面光栅制造方法的重要改进。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.基于光刻机晶圆卡盘定位系统的二维平面光栅制造方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的基于光刻机晶圆卡盘定位系统的二维平面光栅制造方法，其特征在于，所述二维平面光栅的入射方位角为斜45°入射，且入射角为自准直角度。
3.根据权利要求1所述的基于光刻机晶圆卡盘定位系统的二维平面光栅制造方法，其特征在于，所述二维平面光栅的反射光为(-1，-1)级次的衍射光。
4.根据权利要求1所述的基于光刻机晶圆卡盘定位系统的二维平面光栅制造方法，其特征在于，所述二维平面光栅的(-1，-1)级反射光满足TE、TM偏振均具有高衍射效率。
【技术特征摘要】
1.基于光刻机晶圆卡盘定位系统的二维平面光栅制造方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的基于光刻机晶圆卡盘定位系统的二维平面光栅制造方法，其特征在于，所述二维平面光栅的入射方位角为斜45°入射，且入射角为自准直角度。
3.根据权利要求1所述的基于光刻机晶...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。