浪涌吸收元件制造技术

本公开所解决的问题是实现良好且稳定的ESD抑制效果以及对异常电压和直流电压的耐受性。浪涌吸收元件(1)包括：具有彼此相对的一对端面和与端面邻接的多个侧面的元件体(11)；设置在元件体内的至少一对内部电极(13)；以及设置在端面上并且与内部电极(13)电连接的至少一对外部电极。元件体(11)具有：具有多晶结构且具有空隙的功能部(12)，所述多晶结构由表现出电压非线性的多个晶体粒子构成；和覆盖功能部的外壳部。内部电极(13)被设置为经由介于其间的功能部(12)而彼此面对。外部电极包括：设置在端面上的至少一对一次外部电极(14)，和设置在一次外部电极(14)上并且与其电连接的至少一对二次外部电极(15)。二次外部电极(15)的弹性模量低于一次外部电极(14)的弹性模量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及浪涌吸收元件，并且具体地涉及包括表现出电压非线性特性的功能部的浪涌吸收元件。

技术介绍

1、诸如ic和lsi之类的半导体装置由于静电放电(在下文中被称为esd)而毁坏或使其性能降低。近期的半导体装置已经使ic布线图案小型化，伴随其运行速度越来越高，因此更易受esd影响。此外，通信速度当然会进一步提高，因此，对高速传输线上的异常电压(一般为esd)的对策的需求日益增长。针对esd的常见对策是在半导体装置的输入/输出端子线与接地之间连接浪涌吸收元件。浪涌吸收元件使由于静电放电引起的高压(在下文中被称为esd电压)浪涌绕过半导体装置，由此保护该半导体装置。作为浪涌吸收元件，广泛使用多层压敏电阻器。通常，多层压敏电阻器包括陶瓷层、一对内部电极、陶瓷绝缘体和外部电极。对于陶瓷绝缘体，可以使用与陶瓷层的组成相同的组成。具有压敏电阻器特性的陶瓷层包含zno作为其主要组分。内部电极经由设置在内部电极之间的陶瓷层而彼此面对，由此构成压敏电阻器功能部。外部电极从陶瓷绝缘体的两端引出，并且与相应的内部电极电连接。专利文献1中公开了这样的浪涌吸收元件。

2、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种浪涌吸收元件，所述浪涌吸收元件包括：

2.根据权利要求1所述的浪涌吸收元件，其中

3.根据权利要求1或2所述的浪涌吸收元件，其中

4.根据权利要求1至3中任一项所述的浪涌吸收元件，其中

5.根据权利要求4所述的浪涌吸收元件，其中

6.根据权利要求1至5中任一项所述的浪涌吸收元件，其中

7.根据权利要求1至6中任一项所述的浪涌吸收元件，其中

8.根据权利要求1至7中任一项所述的浪涌吸收元件，其中

9.根据权利要求1至8中任一项所述的浪涌吸收元件，其中

10.根据权利要求9所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种浪涌吸收元件，所述浪涌吸收元件包括：

2.根据权利要求1所述的浪涌吸收元件，其中

3.根据权利要求1或2所述的浪涌吸收元件，其中

4.根据权利要求1至3中任一项所述的浪涌吸收元件，其中

5.根据权利要求4所述的浪涌吸收元件，其中

6.根据权利要求1至5中任一项所述的浪涌吸收元件，其中

7.根据权利要求1至6中任一项所述的浪涌吸收元件，其中

8.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：东佳子，古贺英一，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：