【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种切割组织的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或更多个互补特征包括在所述组织切口轮廓的第一侧上的突起和在所述切口轮廓的第二侧上的凹陷，以在所述组织切口轮廓的所述第一侧和所述第二侧之间的界面处稳定处于所述自立构型的所述组织。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述组织切口轮廓限定组织在所述切口轮廓的第一侧上的第一部分和在所述切口轮廓的第二侧上的第二部分，并且其中，在所述松弛的构型中，所述第一部分包括一个或更多个突起，并且所述第二部分包括一个或更多个对应的凹陷，所述一个或更多个对应的凹陷被设定尺寸并且成形为接收所述一个或更多个突起。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述松弛的构型中，所述一个或更多个突起包括在所述切口轮廓的所述第一侧上的多于一个突起，并且所述一个或更多个对应的凹陷包括在所述切口轮廓的所述第二侧上的多于一个对应的凹陷。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述多于一个突起和所述多于一个凹陷包括多于一个互锁特征。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一部分包括所
7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二部分包括所述组织表面，并且所述第一部分包括组织床。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接触元件的所述通道或所述突起中的一个或更多个包括通道，并且其中，所述通道被设定尺寸为接收所述组织表面，以在所述自立构型中沿着所述组织切口轮廓形成对应的突起。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述组织切口轮廓限定组织在所述切口轮廓的第一侧上的第一部分和在所述切口轮廓的第二侧上的第二部分，并且其中，所述第一部分包括所述突起，并且所述第二部分包括被设定尺寸并且成形为接收所述突起的对应的凹陷。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一部分上的所述突起和所述第二部分上的所述凹陷包括互锁构型。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接触元件的所述通道或所述突起中的一个或更多个包括突起，并且其中，所述突起被设定尺寸为使所述组织表面凹进，以在所述自立构型中沿着所述组织切口轮廓形成对应的凹陷。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述组织切口轮廓限定组织在所述切口轮廓的第一侧上的第一部分和在所述切口轮廓的第二侧上的第二部分，并且其中，所述第一部分包括所述凹陷，并且所述第二部分包括被设定尺寸并且成形为适合所述凹陷的对应的突起。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一部分上的所述凹陷和所述第二部分上的所述突起包括互锁构型。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，当所述组织用电极切割时，所述切口轮廓包括线性切口轮廓。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，当所述组织与所述接触元件接合时，所述切口轮廓包括二维线性切口轮廓，并且其中，当所述组织松弛至所述自立构型时，所述一个或更多个互补特征包括三维互补表面轮廓。
16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或更多个互补特征包括互锁特征或匹配特征中的一个或更多个。
17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或更多个互补特征沿着所述组织切口轮廓的外部区域延伸，并且至少部分地围绕所述组织切口轮廓的内部区域延伸。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述一个或更多个互补特征围绕所述切口轮廓的所述内部区域半周向地延伸。
19.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或更多个互补特征沿着所述组织切口轮廓的外部区域延伸，以限定眼睛角膜的中心光学区。
20.根据权利要求1所述的方法，组织通过电极的推进和缩回来切割，并且其中，所述组织表面包括在所述电极推进时对应于第一组织切除轮廓的第一表面轮廓和在所述电极缩回时的第二表面轮廓，以限定对应于所述第一表面轮廓和所述第二表面轮廓之间的差异的切除的组织的体积。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述组织接触元件包括可调节的接触元件，并且所述组织表面用所述可调节的接触元件成形为所述第一表面轮廓和所述第二表面轮廓。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述可调节的接触元件包括限定所述第一表面轮廓和所述第二表面轮廓的内部元件和限定所述一个或更多个互补特征的外部元件。
23.根据权利要求20所述的方法，其中，所述组织表面的对应于所述一个或更多个互补特征的第一部分在所述组织随着所述电极的推进和所述电极的缩回而被切割时保持大体上固定，并且所述组织表面的第二部分包括在所述电极推进时的第一表面...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种切割组织的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或更多个互补特征包括在所述组织切口轮廓的第一侧上的突起和在所述切口轮廓的第二侧上的凹陷，以在所述组织切口轮廓的所述第一侧和所述第二侧之间的界面处稳定处于所述自立构型的所述组织。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述组织切口轮廓限定组织在所述切口轮廓的第一侧上的第一部分和在所述切口轮廓的第二侧上的第二部分，并且其中，在所述松弛的构型中，所述第一部分包括一个或更多个突起，并且所述第二部分包括一个或更多个对应的凹陷，所述一个或更多个对应的凹陷被设定尺寸并且成形为接收所述一个或更多个突起。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述松弛的构型中，所述一个或更多个突起包括在所述切口轮廓的所述第一侧上的多于一个突起，并且所述一个或更多个对应的凹陷包括在所述切口轮廓的所述第二侧上的多于一个对应的凹陷。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述多于一个突起和所述多于一个凹陷包括多于一个互锁特征。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一部分包括所述组织表面，并且所述第二部分包括组织床。
7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二部分包括所述组织表面，并且所述第一部分包括组织床。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接触元件的所述通道或所述突起中的一个或更多个包括通道，并且其中，所述通道被设定尺寸为接收所述组织表面，以在所述自立构型中沿着所述组织切口轮廓形成对应的突起。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述组织切口轮廓限定组织在所述切口轮廓的第一侧上的第一部分和在所述切口轮廓的第二侧上的第二部分，并且其中，所述第一部分包括所述突起，并且所述第二部分包括被设定尺寸并且成形为接收所述突起的对应的凹陷。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一部分上的所述突起和所述第二部分上的所述凹陷包括互锁构型。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接触元件的所述通道或所述突起中的一个或更多个包括突起，并且其中，所述突起被设定尺寸为使所述组织表面凹进，以在所述自立构型中沿着所述组织切口轮廓形成对应的凹陷。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述组织切口轮廓限定组织在所述切口轮廓的第一侧上的第一部分和在所述切口轮廓的第二侧上的第二部分，并且其中，所述第一部分包括所述凹陷，并且所述第二部分包括被设定尺寸并且成形为适合所述凹陷的对应的突起。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一部分上的所述凹陷和所述第二部分上的所述突起包括互锁构型。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，当所述组织用电极切割时，所述切口轮廓包括线性切口轮廓。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，当所述组织与所述接触元件接合时，所述切口轮廓包括二维线性切口轮廓，并且其中，当所述组织松弛至所述自立构型时，所述一个或更多个互补特征包括三维互补表面轮廓。
16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或更多个互补特征包括互锁特征或匹配特征中的一个或更多个。
17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或更多个互补特征沿着所述组织切口轮廓的外部区域延伸，并且至少部分地围绕所述组织切口轮廓的内部区域延伸。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述一个或更多个互补特征围绕所述切口轮廓的所述内部区域半周向地延伸。
19.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或更多个互补特征沿着所述组织切口轮廓的外部区域延伸，以限定眼睛角膜的中心光学区。
20.根据权利要求1所述的方法，组织通过电极的推进和缩回来切割，并且其中，所述组织表面包括在所述电极推进时对应于第一组织切除轮廓的第一表面轮廓和在所述电极缩回时的第二表面轮廓，以限定对应于所述第一表面轮廓和所述第二表面轮廓之间的差异的切除的组织的体积。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述组织接触元件包括可调节的接触元件，并且所述组织表面用所述可调节的接触元件成形为所述第一表面轮廓和所述第二表面轮廓。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述可调节的接触元件包括限定所述第一表面轮廓和所述第二表面轮廓的内部元件和限定所述一个或更多个互补特征的外部元件。
23.根据权利要求20所述的方法，其中，所述组织表面的对应于所述一个或更多个互补特征的第一部分在所述组织随着所述电极的推进和所述电极的缩回而被切割时保持大体上固定，并且所述组织表面的第二部分包括在所述电极推进时的第一表面轮廓和在所述电极缩回时的第二表面轮廓。
24.根据权利要求23所述的方法，其中，所述组织表面的所述第二部分对应于校正眼睛屈光不正的光学区。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，所述第一表面轮廓和所述第二表面轮廓之间的差异对应于光学区的光功率的变化。
26.根据权利要求23所述的方法，其中，将切除的组织从所述切除的组织的体积中去除。
27.根据权利要求26所述的方法，其中，所述切除的组织包括角膜组织，并且从所述体积中去除的组织包括透镜体。
28.根据权利要求26所述的方法，其中，所述体积对应于待放置在所述组织中的植入物的体积。
29.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或更多个互补特征包括在约30μm至约500μm的范围内的宽度和在约30μm至约450μm的范围内的深度。
30.根据权利要求29所述的方法，其中，所述一个或更多个互补特征包括在约50μm至约3000μm的范围内的长度。
31.根据权利要求29所述的方法，其中，所述一个或更多个互补特征包括多于一个互补特征，所述多于一个互补特征相隔的距离在约200μm至约1000μm的范围内。
32.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或更多个互补特征包括在所述切口轮廓的第一侧上的突起和在所述切口轮廓的第二侧上成形为接收所述突起的凹陷。
33.根据权利要求32所述的方法，其中，所述接触元件的所述通道或所述突起中的所述一个或更多个包括在约50μm至约500μm的范围内的宽度，并且所述切口轮廓的所述第一侧上的所述突起和所述切口轮廓的所述第二侧上的所述凹陷各自包括在约30μm至约500μm的范围内的宽度。
34.根据权利要求32所述的方法，其中，所述接触元件的所述通道或所述突起中的所述一个或更多个包括在约50μm至约500μm的范围内的深度，并且所述切口轮廓的所述第一侧上的所述突起和所述切口轮廓的所述第二侧上的所述凹陷各自包括在约30μm至约450μm的范围内的深度。
35.根据权利要求32所述的方法，其中，所述接触元件的所述突起或所述通道中的所述一个或更多个包括多于一个通道或突起，所述多于一个通道或突起相隔的距离在约200μm至约1000μm的范围内，并且其中，所述切口的所述第一侧上的所述突起包括多于一个突起，所述多于一个突起相隔的距离在约200μm至约500μm的范围内，并且所述切口的所述第二侧上的所述凹陷包括多于一个凹陷，所述多于一个凹陷相隔的对应的距离在约200μm至约1000μm的范围内。
36.根据权利要求1所述的方法，其中，所述突起或所述通道中的...
【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·威尔特伯格，菲利普·古丁，丹·安德森，
申请(专利权)人：因赛特福仪器公司，
类型：发明
国别省市：
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