纳米薄膜电阻应变式单膜片压力变送器制造技术

技术编号:40094929 阅读:21 留言:0更新日期:2024-01-23 16:47
本发明专利技术公开了一种纳米薄膜电阻应变式单膜片压力变送器,包括高压腔体、弹性膜片、低压腔体、条形桥臂以及连接环,条形桥臂上镀有纳米薄膜层且在纳米薄膜层上光刻有敏感电阻和光刻电路,敏感电阻和光刻电路组成惠斯通全桥式电路,采用纳米镀膜及光刻敏感电阻技术,以及单弹性膜片加桥臂测量差压的这种结构可以使精度达到0.05%FS,最高使用温度可达400℃,量程从5kPa‑250MPa均可实现,具有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及压力测量,具体涉及纳米薄膜电阻应变式单膜片压力变送器


技术介绍

1、压力变送器主要由测压元件传感器、测量电路和过程连接件三部分组成。由测压元件传感器感受到的气体、液体等物理压力参数转变成标准的电信号,以供给指示报警仪、记录仪、调节器等二次仪表进行测量、指示和过程调节。

2、压力变送器型号种类各式各样,但其采用的压力芯体原理主要有如下三种:第一种为金属电容式压力变送器,其工作原理为:外界压差传递到内部的金属电容极板,当极板发生位移后即产生电容量的变化,将这种电容量的变化通过电子电路收集、放大软件补偿处理后,就得到压力信号的线性输出。第二种为单晶硅压力变送器,其工作原理为:外界压差传递到内部的单晶硅谐振梁,谐振梁在压力的作用下产生一对跟随压力变化的差动的频率信号,将这对差动的频率信号通过电子电路收集、放大和软件补偿处理后,就得到压力信号的线性输出。第三种为单晶硅电阻式压力变送器,其工作原理为:外界压差传递到内部的单晶硅全动态的压阻效应惠斯通电桥,惠斯通电桥在压力的作用下产生一个跟随压力变化的电压信号输出,将这个电压信号通过电子电路收本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.纳米薄膜电阻应变式单膜片压力变送器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的纳米薄膜电阻应变式单膜片压力变送器,其特征在于,所述弹性膜片(2)厚度为0.03mm-4mm,所述弹性膜片(2)位于所述高压腔体(1)内的一侧中心设置有凸台(21),所述凸台(21)用于与所述桥墩(41)焊接。

3.根据权利要求2所述的纳米薄膜电阻应变式单膜片压力变送器,其特征在于,所述条形桥臂(4)还包括环体(6),所述条形桥臂(4)一体设置于所述环体(6)内,所述条形桥臂(4)位于所述环体(6)内的经线上。

4.根据权利要求1或3所述的纳米薄膜电阻应变式单膜片压力变...

【技术特征摘要】

1.纳米薄膜电阻应变式单膜片压力变送器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的纳米薄膜电阻应变式单膜片压力变送器,其特征在于,所述弹性膜片(2)厚度为0.03mm-4mm,所述弹性膜片(2)位于所述高压腔体(1)内的一侧中心设置有凸台(21),所述凸台(21)用于与所述桥墩(41)焊接。

3.根据权利要求2所述的纳米薄膜电阻应变式单膜片压力变送器,其特征在于,所述条形桥臂(4)还包括环体(6),所述条形桥臂(4)一体设置于所述环体(6)内,所述条形桥臂(4)位于所述环体(6)内的经线上。

4.根据权利要求1或3所述的纳米薄膜电阻应变式单膜片压力变送器,其特征在于,所述光刻电路(46)输出端连接有一号金丝焊盘(47),所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:王玉贵唐运军昌正科雷卫武范敏刘永年徐冬苓柳金亮童志汪绩宁
申请(专利权)人:核电运行研究上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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