【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及量测应用，并且特别地，涉及集成电路制造中的量测应用。
技术介绍
1、光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(ic)制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案(常常也称为“设计布局”或“设计”)投影至设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
2、为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以在衬底上形成的特征的最小大小。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有介于4nm至20nm的范围内(例如6.7nm或13.5nm)的波长的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小特征。
3、低k1光刻可以用于处理尺寸小于光刻设备的经典分辨率限制的特征。在这样的过程中，可以将分辨率公式表达为cd＝k1×λ/na，其中，λ为所采用的辐射的波长，na是光刻设备中的投影光学器件的数值孔径，cd是“临界尺寸”(通常是所印制的最小特征大小，但在这种情况下是半节距)且k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，则越难以在衬底上再现类似于由电路设计者规划的形状和尺寸以便实现特定电功能性和性能的图案。为了克服这些困难，可以将复杂的微调步骤应用于光刻投影设备和/或设计布局。这些步骤包括例如但不限于na的优化、定制照射方案、相移图案形成装置的使用、诸如设计布局中的光学邻近效应校正(opc，有时也称为“光学和过程校正”)的设计布
4、在制造过程期间，需要检查所制造的结构和/或测量所制造的结构的特性。适合的检查和量测设备是众所周知的，其包括例如光谱散射仪和角分辨散射仪。光谱散射仪可以将宽带辐射束引导至衬底上且测量散射至特定窄角度范围中的辐射的光谱(作为波长的函数的强度)。角分辨散射仪可以使用单色辐射束且测量作为角度的函数的散射辐射的强度。
5、在一些量测应用中，诸如使用散射仪的量测应用，量测目标中的瑕疵可能引起来自所述目标的测量值的依赖于波长/偏振的即与波长/偏振相关的变化。如此，有时通过使用多个不同波长和/或偏振(或更通常地，多个不同的照射条件)执行相同测量来实现对这种变化的校正和/或减轻。这些多波长测量典型地连续执行且因此引发相关的吞吐量损失。将会期望使用多个照射条件来改善测量的一个或更多个方面。
技术实现思路
1、在本专利技术的第一方面中，提供一种从目标测量重叠或聚焦参数的方法，所述方法包括：通过以下操作来配置测量辐射以获得所述测量辐射的经配置的测量光谱：
2、对所述测量辐射的多个单独的波长带施加强度加权，使得所述多个单独的波长带具有与所述强度加权一致的强度，所述强度加权使得针对目标瑕疵(例如，包括不对称和对称瑕疵)的影响至少部分地校正所述重叠或聚焦参数的测量值；和/或
3、对所述测量辐射的测量光谱施加调制；
4、利用所述经配置的测量辐射来测量所述目标且捕获来自所述目标的所得的散射辐射；以及
5、从所述散射辐射确定所述重叠或聚焦参数的值。
6、在本专利技术的第二方面中，提供一种从目标测量重叠或聚焦参数的量测设备，所述量测设备可操作以执行所述第一方面的方法。
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1.一种从目标测量重叠或聚焦参数的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述配置步骤至少包括所述施加强度加权，并且所述散射辐射至少包括一对互补的较高衍射阶，并且其中所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述确定所述重叠或聚焦参数的步骤包括从每个强度不对称性指标与其所对应的来自所述强度加权的权重的乘积的总和来确定所述重叠或聚焦参数。
4.根据权利要求1或2中任一项所述的方法，其中，所述测量步骤至少包括：对所述多个波长带中的所述强度加权包括正权重的一个或更多个波长带的第一测量，和对所述多个波长带中的所述强度加权包括负权重的一个或更多个波长带的第二测量。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，利用根据所述一个或更多个负权重的量值施加的所述强度加权来执行所述第二测量；并且
6.根据任一前述权利要求所述的方法，包括用于确定所述强度加权的初始校准阶段，所述初始校准阶段包括：
7.一种确定强度加权的方法，所述方法包括：
8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述强度加权被确定
9.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述重叠或聚焦参数包括重叠，并且所述目标包括每个测量方向的单个周期性结构。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述目标不具有被施加的偏置。
11.根据方面1至6和8至10中任一项所述的方法，其中，通过以下操作，使用用于对所述测量辐射进行光谱成形的照射装置来执行所述配置测量辐射的步骤：
12.一种量测设备，包括：
13.根据权利要求12所述的量测设备，其中，所述照射装置包括：
14.根据权利要求13所述的量测设备，其中，所述照射装置包括所述束扩展元件中的所述至少一个束扩展元件，并且对所述空间光调制器的控制对于哪些波长带被包括在所述经配置的测量光谱内、和所述经配置的测量光谱的每个波长带的透射率加以控制。
15.一种目标阵列，包括多个校准目标，所述多个校准目标包括用于在根据权利要求1至11中任一项所述的方法中使用的所述校准目标中的至少一些校准目标之间的重叠或聚焦参数的被施加的重叠或焦距值的变化。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种从目标测量重叠或聚焦参数的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述配置步骤至少包括所述施加强度加权，并且所述散射辐射至少包括一对互补的较高衍射阶，并且其中所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述确定所述重叠或聚焦参数的步骤包括从每个强度不对称性指标与其所对应的来自所述强度加权的权重的乘积的总和来确定所述重叠或聚焦参数。
4.根据权利要求1或2中任一项所述的方法，其中，所述测量步骤至少包括：对所述多个波长带中的所述强度加权包括正权重的一个或更多个波长带的第一测量，和对所述多个波长带中的所述强度加权包括负权重的一个或更多个波长带的第二测量。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，利用根据所述一个或更多个负权重的量值施加的所述强度加权来执行所述第二测量；并且
6.根据任一前述权利要求所述的方法，包括用于确定所述强度加权的初始校准阶段，所述初始校准阶段包括：
7.一种确定强度加权的方法，所述方法包括：
8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述强度加权被确定为使得将所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：周子理，D·斯温克尔斯，廉晋，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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