量测测量方法和设备技术

披露了一种使用量测工具测量衬底上的目标的方法，所述量测工具包括：照射源，所述照射源能够操作以发射用于照射所述目标的照射束；以及量测传感器，所述量测传感器用于收集已经由所述目标散射的散射辐射。所述方法包括：基于以下各项计算目标角：所述目标的单位单元在第一方向和正交于所述第一方向的第二方向上的单元尺寸；以及所选择的成对的互补衍射阶在所述第一方向和所述第二方向上的阶数。在相对于所述照射束的第一目标定向和第二目标定向上执行至少一对测量结果获取，其中，用于所述至少一对测量结果获取中的至少一个的所述目标角是倾斜角。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及用于测量在衬底中或衬底上制造的结构的参数的方法和设备。特定的布置可以涉及(但无需限于)重叠或侧壁角的测量。

技术介绍

1、光刻设备是被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(ic)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投影到提供于衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

2、为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定可以形成于衬底上的特征的最小尺寸。当前在使用中的典型波长为365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备相比，使用具有在4nm至20nm的范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的波长的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。

3、低k1光刻可以用于处理尺寸小于光刻设备的经典分辨率极限的特征。在此过程中，可以将分辨率公式表示为cd＝k1×λ/na，其中，λ是所使用的辐射的波长、na是光刻设备中的投影光学器件的数值本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种使用量测工具测量衬底上的目标的方法，所述量测工具包括：照射源，所述照射源能够操作以发射用于照射所述目标的照射束；以及量测传感器，所述量测传感器用于收集已经由所述目标散射的散射辐射，所述衬底的表面限定在第一工具方向和正交于所述第一工具方向的第二工具方向上延伸的衬底平面，其中，所述第一工具方向、所述第二工具方向以及正交于所述第一工具方向和所述第二工具方向的第三工具方向一起限定工具坐标系，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述目标包括在所述目标坐标系的第一目标方向上具有第一周期性并且在所述目标坐标系的第二目标方向上具有第二周期性的二维目标。

3...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种使用量测工具测量衬底上的目标的方法，所述量测工具包括：照射源，所述照射源能够操作以发射用于照射所述目标的照射束；以及量测传感器，所述量测传感器用于收集已经由所述目标散射的散射辐射，所述衬底的表面限定在第一工具方向和正交于所述第一工具方向的第二工具方向上延伸的衬底平面，其中，所述第一工具方向、所述第二工具方向以及正交于所述第一工具方向和所述第二工具方向的第三工具方向一起限定工具坐标系，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述目标包括在所述目标坐标系的第一目标方向上具有第一周期性并且在所述目标坐标系的第二目标方向上具有第二周期性的二维目标。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一目标定向和所述第二目标定向使得所选择的成对的互补衍射阶产生衍射图案，所述衍射图案相对于所述量测传感器的沿着所述第二工具方向的轴线具有反射对称性。

4.根据权利要求3所述的方法，包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述单元尺寸在所述第一目标方向和所述第二目标方向上分别为(lx，ly)，所述成对的互补衍射阶的所述阶数为(mx，my)、(-mx，-my)并且所述目标角α是由下式限定的：

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第二目标定向是由所述目标角加180度限定的。...

【专利技术属性】
技术研发人员：HK·尼恩惠斯，P·P·赫芬斯坦，S·B·罗博尔，L·F·范赖斯韦克，S·C·斯科尔茨，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：