【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及使用混床式离子交换装置从含有二氧化硅的被处理水制造纯水的纯水制造方法以及纯水制造装置。
技术介绍
1、一般而言，在半导体制造工厂等中所使用的纯水(超纯水)是使用具备预处理装置、一次纯水制造装置以及对一次纯水进行处理的子系统的纯水制造装置而制造的。
2、预处理装置将上下水、地下水等原水中所含的悬浮物质通过凝聚、沉淀、过滤来进行去除，并由具有反渗透膜以及离子交换装置的一次纯水制造装置去除原水成分的99～99.99％来生成一次纯水。上述子系统通过去除残留在一次纯水中的极微量的离子、胶体成分来生成超纯水。
3、在这样的超纯水的制造工序中，要从原水去除离子来生成一次纯水，主要采用离子交换装置。作为离子交换装置，已知有将阳离子(正离子)交换树脂与阴离子(负离子)交换树脂分别作为单床使用的复床式离子交换装置、以及将阳离子交换树脂与阴离子交换树脂以混合状态使用的混床式离子交换装置。关于复床式离子交换装置，例如在jp特开2000-301145号公报中有所记载。另外，关于混床式离子交换装置，例如在jp特开平6-315683号公报中有所记载。
4、近年，超纯水要求的水质有愈加严格的趋势，发电厂、医药品制造所、半导体制造工厂等所使用的超纯水要求高纯度的水质。关于上述复床式以及混床式离子交换装置当中的混床式离子交换装置，在使离子交换树脂的离子交换性能再生(恢复)的再生处理中，需要使混合状态的阳离子交换树脂与阴离子交换树脂相分离。通常，在分离作业中，一边从离子交换装置的底部以上升流注入清洗水来对内部的混合树
技术实现思路
1、本专利技术是为了解决上述那样的
技术介绍
所具有的技术问题而提出的，其目的在于，提供纯水制造方法以及纯水制造装置，能在混床式离子交换装置中降低向处理水侧泄漏的二氧化硅浓度。
2、为了达成上述目的，本专利技术的纯水制造方法是使用混床式离子交换装置从含有二氧化硅的被处理水制造纯水的纯水制造方法，包括：
3、采水工序，使所述被处理水与所述混床式离子交换装置所内置的离子交换树脂接触；
4、再生工序，执行于所述采水工序之后，使所述离子交换树脂的离子交换性能再生；以及
5、静置工序，在所述再生工序后将静置状态维持给定的静置时间，所述静置状态是不对所述混床式离子交换装置进行通水、采水的状态，
6、所述静置时间为0.5小时以上且720小时以下。
7、另一方面，本专利技术的纯水制造装置是从含有二氧化硅的被处理水制造纯水的纯水制造装置，具有混床式离子交换装置以及控制装置，
8、所述控制装置执行如下工序：
9、采水工序，使所述被处理水与所述混床式离子交换装置所内置的离子交换树脂接触；
10、再生工序，执行于所述采水工序之后，使所述离子交换树脂的离子交换性能再生；以及
11、静置工序，在所述再生工序后将静置状态维持给定的静置时间，所述静置状态是不对所述混床式离子交换装置进行通水、采水的状态，
12、所述静置时间为0.5小时以上且720小时以下。
13、本专利技术的上述以及其他的目的、特征和优点通过说明本专利技术的例子的参照了附图的后述的记载而明确。
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1.一种纯水制造方法，是使用混床式离子交换装置从含有二氧化硅的被处理水制造纯水的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的纯水制造方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的纯水制造方法，其中，
4.根据权利要求1或2所述的纯水制造方法，其中，
5.一种纯水制造装置，从含有二氧化硅的被处理水制造纯水，所述纯水制造装置具有混床式离子交换装置以及控制装置，
【技术特征摘要】
1.一种纯水制造方法，是使用混床式离子交换装置从含有二氧化硅的被处理水制造纯水的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的纯水制造方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的纯水制...
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