本发明专利技术公开了一种浅表层缺陷消除方法，包括：转向架组焊完成后，依次进行焊后磨平处理、退火处理、抛丸处理；焊后磨平处理包括至少一次磨头轴心垂直于焊缝方向的细磨，和至少一次磨头轴心沿焊缝方向的细磨。本发明专利技术通过对焊后磨平处理工艺进行优化，能够对焊缝表面的氧化层充分去除，避免硬化层的产生，防止在焊后磨平过程中焊缝表面出现毛刺，以此降低转向架浅表层磁粉探伤缺陷率，减少产品返工返修量，提高了生产效率与产品质量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于轨道车辆，具体的，涉及一种浅表层缺陷消除方法。
技术介绍
1、随着高速列车的发展和列车速度的不断提升，对列车零部件的设计结构及产品性能提出了更高的要求，需要综合性能更加优异的设计结构、强度及疲劳性能等。
2、转向架是轨道车辆的重要组成部分，其结构强度性是非常重要的。转向架一般体积大，通过各零件焊接形成。转向架焊接构架在新造生产过程中，需要经过焊缝磨平处理、及多次抛丸处理，在构架检修时需经过打磨脱漆处理。
3、转向架的探伤结果是检验转向架构架是否合格的关键依据，根据前期统计结果显示，转向架的新造构架生产过程中和服役构架检修脱漆后，进行磁粉探伤时，出现聚粉现象，造成大量的缺陷处理工作及补焊工作，降低了转向架的生产效率和产品质量。
4、因此，设计一种能够降低转向架浅表层磁粉探伤缺陷率，减少产品返工返修量的浅表层缺陷消除方法，成为本领域技术人员亟待解决的技术难题。
5、有鉴于此特提出本专利技术。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术的不足，提供一种浅表层缺陷消除方法，通过对焊后磨平处理工艺进行优化，具体的，焊后磨平处理包括至少一次磨头轴心垂直于焊缝方向的细磨，和至少一次磨头轴心沿焊缝方向的细磨，能够减少焊后磨平过程中焊缝表面出现的毛刺的数量，以此降低转向架浅表层磁粉探伤缺陷率，克服了现有技术中转向架浅表层磁粉探伤缺陷率高的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案的基本构思是：</p>3、一种浅表层缺陷消除方法，包括：转向架组焊完成后，依次进行焊后磨平处理、退火处理、抛丸处理；
4、焊后磨平处理包括至少一次磨头轴心垂直于焊缝方向的细磨，和至少一次磨头轴心沿焊缝方向的细磨。
5、进一步，先用较大尺寸的细磨头对焊缝依次进行一次磨头轴心垂直于焊缝方向的细磨，和一次磨头轴心沿焊缝方向的细磨；
6、再用较小尺寸的细磨头对焊缝进行一次磨头轴心垂直于焊缝方向的细磨。
7、进一步，“磨头轴心沿焊缝方向的细磨”具体为，磨头轴心与焊缝延伸方向的夹角处于0°至20°之间的细磨。
8、进一步，较大尺寸的细磨头的具体尺寸为26mm*75mm，较小尺寸的细磨头的具体尺寸为10mm*25mm。
9、进一步，抛丸处理包括两次；
10、第一次抛丸结束后，对转向架进行探伤和焊修处理，对焊修完成后的转向架进行二次抛丸。
11、进一步，抛丸处理中，选用颗粒度为1.0mm-1.5mm的钢丸；
12、第一次抛丸的时间参数设置为30分钟，第二次抛丸的时间参数设置为20分钟。
13、进一步，对抛丸处理后的转向架进行刷漆处理；
14、对服役状态下的转向架进行检修时，使用纳秒-皮秒复合激光清洗方式对转向架进行脱漆。
15、进一步，“使用纳秒-皮秒复合激光清洗方式对转向架进行脱漆”具体包括：同时进行或分别进行的：
16、纳秒激光清洗：激光器脉冲宽度为5ns、扫描速度为600mm/s、激光功率为30w、激光频率为60khz、扫描线间距为0.02mm、清洗次数为2次；
17、皮秒激光清洗：激光器脉冲宽度为150ps、扫描速度为6000mm/s、激光功率为30w、激光频率为600khz、扫描线间距为0.02mm、清洗次数为2次。
18、进一步，还包括：
19、对焊缝的焊接态、焊磨态、退火态、抛丸态、及服役打磨脱漆态取样，并分别对各时态的焊缝进行宏观和微观分析，确定缺陷的产生时态及后续变化；
20、根据缺陷的产生时态及后续变化对转向架的生产工艺流程进行优化。
21、进一步，还包括：
22、在进行抛丸处理前，对经不同参数的抛丸处理后的转向架的探伤评价结果进行记录，分析出不同参数下的抛丸处理后，转向架的缺陷检出情况；
23、参数至少包括：颗粒度、抛丸时间。
24、采用上述技术方案后，本专利技术与现有技术相比具有以下有益效果：
25、1)、本专利技术通过对焊缝的焊接态、焊磨态、退火态、抛丸态、及服役打磨脱漆态取样，并分别对各时态的焊缝进行宏观和微观分析，确定缺陷的产生时态及后续变化，并据此对转向架的生产工艺流程进行优化，能够提高所述缺陷消除方法的可靠性和针对应。
26、2)、本专利技术通过对焊后磨平处理工艺进行优化，具体的，焊后磨平处理包括至少一次磨头轴心垂直于焊缝方向的细磨，和至少一次磨头轴心沿焊缝方向的细磨，能够对焊缝表面的氧化层充分去除，避免硬化层的产生，防止在焊后磨平过程中焊缝表面出现毛刺，以此降低转向架浅表层磁粉探伤缺陷率，减少产品返工返修量，提高了生产效率与产品质量。
27、3)、本专利技术通过对经不同参数的抛丸处理后的转向架的探伤评价结果进行记录，分析出不同参数下的抛丸处理后，转向架的缺陷检出情况，并据此选用颗粒度为1.0mm-1.5mm的钢丸进行抛丸处理，一次抛丸的时间参数设置为30min，二次抛丸的时间参数设置为20min。使一次抛丸过程中，将转向架上存在的浅表层缺陷尽可能多的暴露出来，一次性焊修完成，二次抛丸避免再次出现浅表层缺陷，能够减少焊修次数，加快生产进程。
28、4)、本专利技术通过设置对服役状态下的转向架进行检修时，使用纳秒-皮秒复合激光清洗方式对转向架进行脱漆，能够避免因打磨脱漆产生浅表层缺陷，进一步降低转向架浅表层磁粉探伤缺陷率，减少产品返工返修量。
29、同时，本专利技术结构简单，效果显著，适宜推广使用。
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【技术保护点】
1.一种浅表层缺陷消除方法，包括：转向架组焊完成后，依次进行焊后磨平处理、退火处理、抛丸处理；其特征在于，
2.根据权利要求1所述的浅表层缺陷消除方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的浅表层缺陷消除方法，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的浅表层缺陷消除方法，其特征在于，
5.根据权利要求1至4任一所述的浅表层缺陷消除方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的浅表层缺陷消除方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的浅表层缺陷消除方法，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的浅表层缺陷消除方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的浅表层缺陷消除方法，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求5所述的浅表层缺陷消除方法，其特征在于，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种浅表层缺陷消除方法，包括：转向架组焊完成后，依次进行焊后磨平处理、退火处理、抛丸处理；其特征在于，
2.根据权利要求1所述的浅表层缺陷消除方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的浅表层缺陷消除方法，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的浅表层缺陷消除方法，其特征在于，
5.根据权利要求1至4任一所述的浅表层缺陷消除方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯自立，孙进发，邱培现，蔡卫星，陈北平，吴向阳，孙福庆，
申请(专利权)人：中车青岛四方机车车辆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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