复合材料及其制备方法、发光二极管技术

本申请公开了一种复合材料及其制备方法、发光二极管，该复合材料的制备方法包括以下步骤：将硒源、钨源和酸性溶液混合，获得中间混合溶液；将锑源与所述中间混合溶液混合，进行第一加热反应处理，得到所述复合材料，所述复合材料包括掺杂Sb阳离子的WSe<subgt;2</subgt;纳米颗粒。该复合材料通过将Sb阳离子掺杂进入WSe<subgt;2</subgt;中取代W的格位而形成强p型材料，从而具有更好的空穴注入能力。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及材料领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法、发光二极管。

技术介绍

1、发光二极管是基于有机或无机材料的半导体器件，包括但不限于有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)和量子点发光二极管(quantum dot lightemitting diodes,qled)。发光二极管在新能源、传感、通信、显示、照明等领域具有广泛的应用。

2、传统的发光二极管的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光层，空穴从器件的阳极注入至发光层，电子和空穴在发光层复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子从而发光。

3、然而，目前发光二极管在研发过程中依旧存在着很多问题，例如器件的空穴功能层的材料的空穴注入能力过低的问题。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种复合材料及其制备方法、发光二极管，旨在改善空穴功能层的材料的空穴注入能力过低的问题。

2、第一方面，本申请还提供一种复合材料的制备方法，包括以下步骤：>

3、将硒源、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一加热反应处理的温度为170～320℃，时间为8～12h。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在进行第一加热反应处理之前，还包括：对所述中间混合溶液进行除氧气处理。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，进行所述第一加热反应处理之后，还包括：加入配体进行第二加热反应处理；

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，得到所述复合材料之前，还包括：

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述中间...

【技术特征摘要】

1.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一加热反应处理的温度为170～320℃，时间为8～12h。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在进行第一加热反应处理之前，还包括：对所述中间混合溶液进行除氧气处理。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，进行所述第一加热反应处理之后，还包括：加入配体进行第二加热反应处理；

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，得到所述复合材料之前，还包括：

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述中间混合溶液的ph为0.9～1.1；...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏思雨，杨一行，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：