【技术实现步骤摘要】
本申请涉及材料领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法、发光二极管。
技术介绍
1、发光二极管是基于有机或无机材料的半导体器件，包括但不限于有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)和量子点发光二极管(quantum dot lightemitting diodes,qled)。发光二极管在新能源、传感、通信、显示、照明等领域具有广泛的应用。
2、传统的发光二极管的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光层，空穴从器件的阳极注入至发光层，电子和空穴在发光层复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子从而发光。
3、然而，目前发光二极管在研发过程中依旧存在着很多问题，例如器件的空穴功能层的材料的空穴注入能力过低的问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种复合材料及其制备方法、发光二极管，旨在改善空穴功能层的材料的空穴注入能力过低的问题。
2、第一方面，本申请还提供一种复合材料的制备方法，包括以下步骤：
3、将硒源、钨源和酸性溶液混合，获得中间混合溶液；以及
4、将锑源与所述中间混合溶液混合，进行第一加热反应处理，得到所述复合材料，所述复合材料包括掺杂sb阳离子的wse2纳米颗粒。
5、可选的，所述第一加热反应处理的温度为170～320℃，时间为8～12h。
6、可选的，在进行第一加热反应处理之前，还包括：对所述中间混合溶液进行除氧气处理。
8、其中，所述配体选自三辛基膦，油胺、dmf、dmso中的至少一种，所述配体材料的浓度为0.2～0.4mmol/l，所述第二加热反应处理的温度为290～320℃，时间为1～3h。
9、可选的，得到所述复合材料之前，还包括：
10、对经过所述第二加热反应处理的反应物依次进行沉淀处理、洗涤处理和烘干处理。
11、可选的，所述中间混合溶液的ph为0.9～1.1；和/或
12、所述酸性溶液包括柠檬酸、乙二胺四乙酸二钠和盐酸；和/或
13、所述硒源选自硒酸或亚硒酸中的至少一种，所述中间混合溶液中所述硒源的浓度为1.9～2.1mmol/l；和/或
14、所述钨源选自钨酸钠、钨酸镁或钨酸钾中的至少一种，所述中间混合溶液中所述钨源的浓度为0.9～1.1mmol/l；和/或
15、所述锑源选自乙酸锑、溴化锑或氯化锑中的至少一种，所述锑源的浓度为0.8～1.2mmol/l，以所述硒源、钨源和锑源的总质量计，在所述中间混合溶液中，所述锑源摩尔百分数为5％～10％。
16、第二方面，本申请实施例提供一种复合材料，包括掺杂sb阳离子的wse2。
17、可选的，所述掺杂sb占所述wse2材料的质量百分比为3％～8％。
18、可选的，所述复合材料中还包括：结合在所述复合材料表面的配体，所述配体选自三辛基膦，油胺、dmf、dmso中的至少一种。
19、第三方面，本申请提供一种发光二极管，包括：
20、相对设置的阴极以及阳极；
21、发光层，设在所述阴极和所述阳极之间；以及
22、空穴功能层，设在所述发光层和阳极之间；
23、空穴辅助层，设在所述空穴功能层和所述发光层之间，所述空穴辅助层的材料选自：第一方面所述的制备方法得到的复合材料，或第二方面所述的复合材料，或。
24、可选的，所述空穴辅助层由掺杂sb阳离子的wse2组成；和/或
25、所述空穴辅助层的厚度为10～30nm；和/或
26、所述阳极材料为选自ito、fto、zto或izo中的至少一种；和/或
27、所述阴极材料选自al、cu、mo、au、ag或moo3中的至少一种；和/或
28、所述发光层为量子点发光层，所述量子点发光层的材料选自cdse/zns、cdse/cdzns/zns、cdse/cds或cdte中的至少一种；和/或
29、所述空穴功能层为空穴注入层，所述空穴注入层的材料选自pedot:pss。
30、可选的，所述发光二极管还包括：
31、空穴传输层，设在所述空穴辅助层和所述发光层之间，所述空穴传输层材料选自tfb、pvk、npb或tpd中的至少一种；和/或
32、电子传输层，设在所述发光层和所述阴极之间，所述电子传输层的材料选自n型氧化锌。
33、有益效果：
34、本申请提供一种复合材料及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：将硒源、钨源和酸性溶液混合，获得中间混合溶液；将锑源与所述中间混合溶液混合，进行第一加热反应处理，得到所述复合材料，所述复合材料包括掺杂sb阳离子的wse2纳米颗粒。通过向wse2中掺入p型掺杂剂sb从而形成更稳定的强p型材料，不同于偏n型的sb与wse2的异质结结构的材料，本申请是将sb阳离子掺杂进入wse2中取代w的格位而形成强p型材料，从而具有更好的空穴注入能力。
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1.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一加热反应处理的温度为170～320℃，时间为8～12h。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在进行第一加热反应处理之前，还包括：对所述中间混合溶液进行除氧气处理。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，进行所述第一加热反应处理之后，还包括：加入配体进行第二加热反应处理；
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，得到所述复合材料之前，还包括：
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述中间混合溶液的pH为0.9～1.1；和/或
7.一种复合材料，其特征在于，包括掺杂Sb阳离子的WSe2。
8.根据权利要求7所述的复合材料，其特征在于，所述掺杂Sb占所述WSe2材料的质量百分比为3％～8％。
9.根据权利要求7所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料中还包括：结合在所述复合材料表面的配体，所述配体选自三辛基膦，油胺、DMF、DMSO中的至少一种。<...
【技术特征摘要】
1.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一加热反应处理的温度为170～320℃，时间为8～12h。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在进行第一加热反应处理之前，还包括：对所述中间混合溶液进行除氧气处理。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，进行所述第一加热反应处理之后，还包括：加入配体进行第二加热反应处理；
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，得到所述复合材料之前，还包括：
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述中间混合溶液的ph为0.9～1.1；...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏思雨，杨一行，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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