【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻领域，特别涉及一种小基片衬底的双面对准方法。
技术介绍
1、微纳加工技术是指尺度为亚毫米、微米和纳米量级元件以及由这些元件构成的部件或系统的优化设计、加工、组装、系统集成与应用技术，是先进制造的重要组成部分，是衡量国家高端制造业水平的标志之一，具有多学科交叉性和制造要素极端性的特点，在推动科技进步、促进产业发展、拉动科技进步、保障国防安全等方面都发挥着关键作用。在实验室级别的微加工工艺探索中，需要在衬底的正面和反面都制作图形，同时对正反面的图形相对位置均有很高的精度要求(μm甚至nm尺度)，而这需要用双面对准加工工艺来实现。
2、在实验室研发阶段，当晶圆衬底为价格非常昂贵的绝缘体上硅soi、砷化镓gaas等时，为节约成本，通常会将晶圆衬底切割成尺寸为10mm*10mm或更小的小基片衬底。当前，现有的光刻设备均可以在小基片衬底正面朝上时实现正面图形制备；然而，当将小基片衬底1翻转至背面朝上对背面图形加工时，翻转到背面朝上的过程中，小基片衬底会产生一定偏移，因此无法在于正面朝上时的相同位置，对小基片衬底的背面进
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1.一种小基片衬底的双面对准方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的小基片衬底的双面对准方法，其特征在于，步骤1)中：绘制各所述坐标系对准标记(11)时，各所述坐标系对准标记(11)的位置均位于光刻机识别窗口的范围内。
3.根据权利要求1所述的小基片衬底的双面对准方法，其特征在于，步骤1)中：相邻的各所述正面切割标记(21)形成正面切割线(211)。
4.根据权利要求1所述的小基片衬底的双面对准方法，其特征在于，步骤3)中：在各小基片衬底(3)的正面绘制小基片正面标记(31)，各所述小基片正面对准标记(32)和所述...
【技术特征摘要】
1.一种小基片衬底的双面对准方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的小基片衬底的双面对准方法，其特征在于，步骤1)中：绘制各所述坐标系对准标记(11)时，各所述坐标系对准标记(11)的位置均位于光刻机识别窗口的范围内。
3.根据权利要求1所述的小基片衬底的双面对准方法，其特征在于，步骤1)中：相邻的各所述正面切割标记(21)形成正面切割线(211)。
4.根据权利要求1所述的小基片衬底的双面对准方法，其特征在于，步骤3)中：在各小基片衬底(3)的正面绘制小基片正面标记(31)，各所述小基片正面对准标记(32)和所述小基片正面标记(31)绘制于小基片衬底(3)的边缘区域。
5.根据权利要求1所述的一种小基片衬底的双面对准方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋艳汝，彭鹏飞，王镜喆，张晓航，安正华，徐旭光，陆卫，
申请(专利权)人：上海科技大学，
类型：发明
国别省市：
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