【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于复合材料，具体涉及一种基于3d打印的金属电子元件及其制备方法。
技术介绍
1、现有传统材料制成的电子元件，元器件自身强度不高，易损坏，且受温度影响，电磁特性会发生变化，热稳定性不佳；因此适用环境限制大，需要严格控制环境参数。同时，现有电子元件若采用传统的制造流程，步骤繁琐，加工成本高。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决上述技术问题。为此，本专利技术目的在于提供一种基于3d打印的金属电子元件及其制备方法。
2、本专利技术所采用的技术方案为：
3、一种基于3d打印的金属电子元件的制备方法，包括以下步骤：
4、s1、按照重量份数，取4-6份mos2粉末、12-16份石墨粉、1份pvp(聚乙烯吡咯烷酮)和溶剂放入球磨机中球磨得到mos2分散液；溶剂的量以使混合物能够良好分散并形成可加工的浆料即可；
5、s2、按照重量份数，取1份mos2分散液和1份alsi7mg粉末放入球磨机中球磨得到mos2改性复合材料；
6、s3、对所需打印的电子元件进行建模，将mos2改性复合材料作为3d打印的原料，3d打印制得电子元件。
7、mos2粉末，即二硫化钼粉末，是一种半导体材料，具有较大的电子带隙，通常在1.2到1.8电子伏特之间，mos2在没有外部激发的情况下，通常不会导电，因此在电磁场下可以保持稳定，这有助于防止电子在无意之间流动，减少电磁干扰。
8、alsi7mg粉末具有良好的导电性
9、mos2具有良好的力学性能，例如较高的硬度和强度，当它与alsi7mg组合时，mos2可以增强复合材料的力学性能，使其具有较高的抗弯曲和抗拉伸性能。
10、mos2的特性还使得复合材料在电磁场下表现出较低的电磁散射和吸收，助于提高电磁性能，降低电磁干扰。
11、mos2的硬度和强度有助于提高复合材料的抗压、抗拉伸和抗弯曲性能，这使得制造的电子元件更加耐用，能够承受更大的机械应力。
12、mos2的层状结构可以在alsi7mg中形成增强层，增强复合材料的强度，这种结构设计有助于提高元件的强度。
13、综上，mos2改性复合材料之所以具有良好的电磁稳定性、各项参数优良以及高强度的优点，是由于mos2的电学性质、力学性能以及其与alsi7mg相结合的协同效应共同决定的。
14、优选地，所述步骤s1中球磨时间为45min，球磨转速为1000rpm。所述溶剂为三乙醇胺。所述alsi7mg粉末的粒度为20～60μm。所述步骤s2中球磨时间为4h，球磨转速为1000rpm。所述mos2改性复合材料的粒度为20～60μm。所述3d打印的层厚为50μm，打印时通入氩气保护。
15、一种基于3d打印的金属电子元件，采用上述的制备方法制得。
16、本专利技术的有益效果为：
17、本专利技术先制备mos2改性复合材料，再将mos2改性复合材料通过3d打印制造出成品电子元件，电子元件由于使用了mos2改性复合材料，其电磁稳定性好，各项参数优良，环境适应性强，对工作环境要求低，元件强度高，存储运输成本降低；且使用3d打印的制备方法，减少了人力成本，制造成本低。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于3D打印的金属电子元件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的金属电子元件的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中球磨时间为45min，球磨转速为1000rpm。
3.如权利要求1或2所述的金属电子元件的制备方法，其特征在于：所述溶剂为三乙醇胺。
4.如权利要求1所述的金属电子元件的制备方法，其特征在于：所述AlSi7Mg粉末的粒度为20～60μm。
5.如权利要求1所述的金属电子元件的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中球磨时间为4h，球磨转速为1000rpm。
6.如权利要求1或4所述的金属电子元件的制备方法，其特征在于：所述MoS2改性复合材料的粒度为20～60μm。
7.如权利要求1所述的金属电子元件的制备方法，其特征在于：所述3D打印的层厚为50μm，打印时通入氩气保护。
8.一种基于3D打印的金属电子元件，其特征在于，采用如权利要求1-7任一所述的制备方法制得。
【技术特征摘要】
1.一种基于3d打印的金属电子元件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的金属电子元件的制备方法，其特征在于：所述步骤s1中球磨时间为45min，球磨转速为1000rpm。
3.如权利要求1或2所述的金属电子元件的制备方法，其特征在于：所述溶剂为三乙醇胺。
4.如权利要求1所述的金属电子元件的制备方法，其特征在于：所述alsi7mg粉末的粒度为20～60μm。
5.如权利要求1...
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